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本文对在InSb及GaAs衬底上用分子束外延生长的InSb分别以Be和Si作p型和n型的掺杂作了研究。当衬底温度超过340℃时,利用二次离子质谱技术,在InSb衬底上生长时,发现Be向表面有反常迁移现象。而在GaAs衬底上生长的掺Be的InSb薄膜中未发现这种迁移。在掺Si的InSb膜中也未发现掺杂剂的再分布现象。InSb中Be的掺杂效率约是GaAs中的一半,若想使Si在InSb中的掺杂效率达到其在GaAs中的掺杂效率,在整个生长过程中,需将衬底温度维持在<340℃。利用低温生长技术,可生长出呈现二维电子气体特性的Si△-掺杂结构。 相似文献
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本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey 相似文献
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本文报道了采用含有InSb非晶过渡层的两步MBE生长技术,在GaAs(100)衬底上异质外延生长的InSb外延层材料特性及初步的器件性能。5μm厚的n型本征InSb外延层77K时的电子浓度和迁移率分别为:n~2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3),μ~5.12×10 ̄4cm ̄2V ̄9-1)s ̄(-1),高质量InSb外延层的X射线双晶衍射半峰宽(FWHM)<150″。InSb表面的相衬显微形貌,InSb/GaAs界面的TEM形貌相和InSb外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了MBEInSb外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用MBE生长的n型InSb外延层薄膜首次制作了中波(3~5μm)多元光导线列器件,终测表明,器件的光导响应率较高R(V)~7800V/W,均匀性很好ΔR(V)/R(V)<7%,MBEInSb外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。 相似文献
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不同方法生长的InSbMIS结构的退火效应研究张钢(电子工业部第十一研究所北京100015)本文介绍了采用等离子体CVD和光致CVD两种方法进行介质膜生长。在预处理好的新鲜N型InSb材料上生长一层厚度约为0.12μm的氮氧化硅层,生长温度为180℃... 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
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本文利用卢瑟福背散射及沟道(RBS/C)技术,二次离子质谱(SIMS)技术等研究了MeVSi离子束轰击对BF2注入Si样品特性的影响.结果表明,退火后在BF2注入形成的PN结结区内仍有大量的二次缺陷.退火前附加一次MeVSi离子轰击可以有效地消除BF2注入区内的二次缺陷,抑制B原子的扩散,并提高B原子的电激活率. 相似文献
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SiGe外延层中硼注入和退火 总被引:1,自引:0,他引:1
对采用快速加热、超低压-化学汽相沉积(RTP/VLP-VCD)技术生长的Si0.8Ge0.2/Si应变外延层进行硼注入,注入能量为40keV,注入剂量为2.5×10^14cm^-2。然后,进行不同时间、不同温度的快热退为(RTA)稳态炉退火。结果表明,RTA优于稳态炉退火,其最佳条件下:退火时间为10s,退火温度范围为750℃-850℃,或者退火温度为700℃,时间为40s,基本可消除由注入引起的 相似文献
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在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子(GaAs:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(photoluminescence-PL)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs(GaAs:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SecondaryIonMasSpectrometry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在GaAs:Er样品中的剖面分布.SIMS测量分别给出O注入前后Er和O在GaAs:Er,O中的深度剖面分布,分析表明Er和O共注入后形成光学激活有效的发光中心. 相似文献
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本文采用SIMS、TEM、RB等测试手段,分析了注入剂量改变对SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响,研究结果表明,注入剂量低至0.6x1018O+/cm2时,经过1300℃,6小时的高温退火过程,能形成界面清晰的三层结构,得到高结晶度的表面硅层,埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛;标准注入剂量(1.8x1018O+/cm2)形成的SIMOX材料表层硅出现明显的缺陷,分析结果表明,注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留,成为最终材料表面缺陷的原因之一;形成低表面缺陷和高绝缘性能埋氧化层的优化注入剂量在注入能形成连续氧化物的临界注入剂量左右。 相似文献
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用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒,实验结果表明,Si2-xGex样品,As浓度分布呈组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快,对于Ge组分较大的Si1-xGex样吕,Asdispla 相似文献
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采用SiCMESFET对和厚膜混合集成技术,设计,制作了一种运算放大器,并在350℃下进行了测试,在25~350℃温度范围内对这种放大器成功地进行了测试。放大器的增益大于60dB,共模抑制比大于55dB,在整个温度范围内偏移电压从139mV,变化到159mV,这些结果证明了采用SiCMESFET和厚膜混合集成技术实现高温电路设计和组装的可行性。 相似文献
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利用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火工艺在n-GaAs上形成低阻的欧姆接触,研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系,400-500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为-10^-6Ω.cm^2,接触层的表面光滑、界面平整,利用俄歇电子谱(AES)和二次离子质谱(SIMS)揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理。 相似文献