Ca~(2+)、Y~(3+)共掺杂CeO2对其发射率性能影响

本文通过共沉淀法,以草酸为沉淀剂,Ca~(2+)、Y~(3+)共掺杂CeO_2来降低其高温下红外发射率,并且Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体发射率最低,最小值为0.271。再用两种不同沉淀剂KOH及NH_4HCO_3分别合成Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体,所得结果可知,KOH为沉淀剂所合成的Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体发射率最低,最低值为0.223。通过γ射线辐照处理Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体,可使其最低发射率由0.271降至0.187。     

掺杂浓度对ZnS∶Er~(3+)EL器件发光特性的影响

研究了ZnS：Er3+薄膜电致发光（EL）器件中，不同Er3+掺杂浓度的发光特性。发现，随发光中心Er3+的浓度增加而红色发光峰相对两个绿色峰有所增强，而两个绿色峰的相对强度却不变，在器件结构相同的情况下，浓度低于5×10－3克分子浓度时发光随浓度的增加而增强，两个绿色峰的亮度没有红色峰的亮度增加幅度大。当浓度大于1×10－2克分子浓度时，绿色发光峰的强度开始下降，红色峰的强度明显增强。说明，发光器件中存在交叉弛豫现象。     

Er~(3+),Yb~(3+)掺杂氟氧化物微晶玻璃上转换发光的研究

测量了 Er3+掺杂氟氧化物微晶玻璃、Er3+ ,Yb3+掺杂氟氧化物微晶玻璃退火前后 3种样品的吸收光谱、激发光谱、上转换发光光谱及其强度随泵浦光强的变化 ,对比讨论了其上转换发光特性     

Tb~(3+)掺杂ZnO-3SiO_2发光材料的制备与发光性质

采用溶胶-凝胶法制备了Tb3+掺杂的ZnO-3SiO2发光材料,通过DTA-TG、IR、XRD、SEM、激发和发射光谱图对其结构和发光性能进行了分析。DTA-TG测试表明,20~400℃出现明显失重现象,说明在此过程中凝胶中的吸附水、乙醇等物质发生了脱附释放;XRD测试证明,材料属于非晶态;SEM显示形成了表面光滑的四面体和多面体颗粒;IR光谱显示,样品制备过程中Si—O—Si桥氧键和非桥氧键的转变对材料的发光有较大影响。激发和发射光谱图显示,材料制备的最佳退火温度为600℃,Tb3+在ZnO-3SiO2基质中的掺杂量为2.75%(摩尔分数)时发光最好。在544nm监测波长下,测得的最佳激发波长为紫外光377nm,即在377nm光激发下,材料发射的绿光单色性好。     

ZnS:Er~(3 )在960nm激光泵浦下的上转换发光

对Er~(3 )掺杂的ZnS在960nm激光泵浦下的上转换发光作了研究报道.结果表明ZnS:Er~(3 )在960nm激光的泵浦下具有较强的上转换发光.研究中,对Er~(3 )构成的聚集团(cluster)及Er~(3 )离子之间的相互作用对ZnS:Er~(3 )的上转换发光的影响作了讨论.     

980 nm半导体激光器激发下Er~(3+),Yb~(3+)共掺杂氟氧化物微晶玻璃的上转换发光

测量了Ｅｒ３＋,Ｙｂ３＋掺杂氟氧化物微晶玻璃的吸收光谱、激发光谱、上转换发光光谱及其强度随泵浦光强的变化,讨论了其上转换发光特性．     

碱土、稀土元素掺杂对Y(VP)O4:Eu3+荧光粉发光性能的影响

采用共沉淀法制备了高亮度红色荧光粉YAx(VP)O4:Eu3+、Y0.94-Lny(VP)O4:Eu0.06(3+)(A=Mg,Ca,Sr,Ba;Ln=La,Ga),通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱分析仪等测试方法对样品进行了研究.结果表明:选择合适的实验条件,可以制得颗粒分布均匀、表面光滑的Y(VP)O4:Eu3+荧光粉,其发射峰位于620 nm,是现有PDP商品(Y,Gd)BO3:Eu3+荧光粉的良好替代品.     

Eu~(3+),Tb~(3+)共掺杂NaY(MoO_4)_2材料的制备及发光性能研究

采用水热法制备出NaY(MoO4)2:Eu3+,Tb3+下转换发光材料。通过X射线粉末衍射、红外光谱、荧光激发和发射光谱对其进行表征。讨论了不同反应温度及Eu3+掺杂浓度对NaY(MoO4)2:Eu3+,Tb3+的晶体结构和发光性能的影响,得到水热温度为180℃及Eu3+浓度为摩尔分数0.7%时,样品具有最佳的发光效果。在395nm光激发下,观察到了591nm处橙光发射峰以及616nm处强红光发射峰,分别对应于Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁。并研究了NaY(MoO4)2:Eu3+,Tb3+材料中Tb3+对Eu3+的敏化作用及能量传递过程。     

微结构调控对Dy~(3+)掺杂GeSe_2-Ga_2Se_3-CsI玻璃红外发光性能的影响

采用传统熔融-淬冷法制备了掺杂O.1 mol%Dy~(3+)的GeSe_2-Ga_2Se_3-CsI玻璃,研究了其热稳定性、透过光谱和红外发射光谱,用拉曼光谱表征了玻璃结构.结果表明:在808 nm激发下,玻璃近红外发射荧光中心位于1.3μm,荧光半峰宽约90 nm;Dy~(3+)的1.3μm发光性能(~6F_(11/2)·~6H_(9/2)→~6H_(15/2)跃迁)由玻璃Dy~(3+)局域环境所决定.当I/Ga摩尔比固定为1时,Dy~(3+)的1.3μm荧光寿命随着[Ge(Ga)I_xSe_(4-x)]、[Ge(Ga)I_4]和[Ga_2I_7]-新的低声子能量基团的形成而增加;当I/Ga摩尔比变化时,微小的玻璃组分变化导致Dy~(3+)局域环境晶体场的变化,从而引起Dy~(3+):1.3 μm发光寿命急剧变化,其最大值可达到2885μs.Dy~(3+)掺杂的GeSe_2-Ga_2Se_3-CsI玻璃可通过微结构调控获得较优良的1.3μm红外光输出.     

Ag纳米颗粒对Er~(3+)/Tm~(3+)/Yb~(3+)共掺铋锗酸盐玻璃上转换发光特性的影响

采用传统熔融淬冷法制备了系列Er3+/Tm3+/Yb3+共掺复合Ag纳米颗粒的铋锗酸盐玻璃样品。从吸收光谱中确定了Ag纳米颗粒表面等离子体共振(SPR)峰位于545nm附近;透射电镜(TEM)图像中观察到均匀分布的Ag纳米颗粒,尺寸约为6~18nm。研究了纳米Ag含量对Er3+/Tm3+共掺复合Ag纳米颗粒铋锗酸盐玻璃上转换发光特性的影响,结果表明,Tm3+离子472nm处的上转换蓝光、Er3+离子525nm处的上转换绿光、543nm处的上转换绿光和661nm处的上转换红光发光强度在AgCl含量的质量百分数为1%时达到最大值,与未掺杂AgCl的基质玻璃相比,分别提高了约3.2、3.8、5.4和2.3倍。     

Sm~(3+)掺杂ZBLAN玻璃中一种上转换发光现象的分析

对ZBLAN氟化物玻璃中Sm~(3+)离子在脉冲1.06μm激光激发下产生的上转换发光现象(单光子吸收随后发生激发态双光子吸收)进行了详细的计算和分析。     

Dy~(3+)掺杂Ga-Sb-S玻璃的3～5μm发光研究

制备了一系列Dy3+掺杂新型Ga-Sb-S硫系玻璃,研究了玻璃的热稳定性(玻璃态稳定性)、光学性能、结构和中红外发光性能,通过组分微调改善了玻璃的抗析晶性能,拉制了高光学质量的光纤。结果表明,Dy3+掺杂Ga-Sb-S玻璃具有良好的热稳定性、优异的红外透光性和较低的声子能量,在2.95、3.59、4.17、4.40μm附近表现出较强的发光;少量As替代Sb可显著减弱光纤拉制过程中玻璃的析晶倾向,同时未对玻璃的发光产生显著影响。光谱分析结果显示,Dy3+在Ga-Sb-S玻璃中的2.95μm和4.17μm荧光量子效率分别为88.1%和75.9%,对应的受激发射截面分别为1.1×10-20cm2和0.38×10-20cm2。较高的量子效率和较大的受激发射截面使得Dy3+掺杂Ga-Sb-S玻璃成为极具潜力的中红外激光增益材料。     

Si~(4+)掺杂对Gd_(1.6)WO_6:Eu_(0.4)~(3+)荧光粉发光特性的影响

采用高温固相法合成了不同Si 4+掺杂比例的Gd1.6(W1-x Six)O6:Eu3+0.4荧光粉,分析了Si 4+掺杂对Gd1.6(W1-x Six)O6:Eu3+0.4荧光粉晶格结构的影响,研究了不同Si 4+掺杂比例下的XRD谱、激发光谱、发射光谱和衰减曲线。结果发现:Si 4+的掺杂改变了基质的结构,使得激活剂离子Eu3+周围的晶体场改变,从而改变了荧光粉的发光效率,当Si 4+的掺杂浓度达到0.4mol时,晶体对称性最差,粉体发光强度最大。根据发射光谱和衰减曲线计算了样品的J-O强度参数和无辐射跃迁几率,结果表明适量的Si 4+掺杂可以抑制无辐射跃迁,提高发光强度。计算结果与实验结果相符。     

基于Ir(ppy)2acac的掺杂浓度对 OLED器件发光性能影响研究

制备了结构为:ITO/MoO3(40nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:Ir(ppy)2acac(x%)(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的器件,Ir(ppy)2acac为绿色磷光染料,x分别为4%、6%、8%、10%。通过调节绿色磷光染料的掺杂浓度,对器件的发光性能进行了研究,发现在掺杂浓度为8%,亮度为490cd/m2,器件获得最高电流效率为69.43cd/A,相比4%的器件高出27.5%。分析原因是掺杂浓度越高,载流子在绿色染料上复合的几率越高;CBP与Ir(ppy)2acac的LUMO能级均为2.5eV,注入主体CBP上的电子可以直接传递给掺杂染料,避免电子对掺杂染料传递过程中的能量损失;较高的掺杂浓度更有利于载流子的传输。然而,较高的掺杂浓度会引起三线态激子的猝灭效应。另外,由于TCTA、BCP为载流子阻挡材料,具有较高的三线态能量,可以将载流子和激子限制在发光层内。     

掺杂浓度对BaF2:PbWO4闪烁晶体发光性能的影响

用多坩埚温度梯度系统生长了一批不同掺杂浓度的BaF2:PbWO4晶体,研究了这些晶体的透过光谱、x-射线激发光谱(XEL)与晶体掺杂浓度的关系,结果发现合适浓度的掺杂增加了晶体的透过率、XEL光谱强度,并使XEL光谱峰红移.当掺杂浓度1000mol-ppm浓度时,晶体的透过率明显增大、XEL光谱强度明显增强.当掺杂浓度...     

Yb~(3 )-Ho~(3 )双掺杂ZBLAN玻璃中Ho~(3 )的上转换发光

室温下用ＬＤ（０．９７μｍ）作为激发源，测出不同双掺浓度（Ｙｂ３＋－Ｈｏ３＋）玻璃Ｙｂ３＋敏化Ｈｏ３＋离子的可见上转换发光光谱，给出了单掺和双掺玻璃中的Ｙｂ３＋荧光寿命。双掺玻璃中Ｙｂ３＋荧光寿命明显降低，Ｙｂ３＋对Ｈｏ３＋离子的敏化上转换发光是非常有效的，并讨论了敏化机理。     

掺Yb~(3+)/Er~(3+)石英光纤中频率上转换的实验研究

首次报道了实验研究连续1064nm Nd:YAG激光器泵浦的掺稀土离子Yb~(3+)/Er~(3+)石英光纤中频率上转换过程。测量了掺Yb~(3+)/Er~(3+)石英光纤产生的频率上转换可见荧光谱,并用能量转移、受激态吸收和双光子吸收过程解释了467,546和667nm三条频率上转换荧光谱线的产生机理。     

草酸对KLa(WO_4)_2:Eu~(3+)纳米晶形貌及发光性能影响

采用水热法,以K_2WO_4·2H_2O和La_2O_3为原料,以草酸为沉淀-模板剂,在pH=7,180℃下,通过调控草酸的添加量制备出了纯四方相结构的球形KLa(WO_4)_2:5%Eu~(3+)纳米晶。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及荧光光谱(PL)对不同条件下制备出的产物物相、形貌以及荧光性质进行表征,探讨了草酸添加量对产物形貌及发光性能的影响。结果表明,在初始溶液的pH值为7,摩尔比n(C_2O_4~(2-))/n(La~(3+))=0.3~0.5时,得到表面光滑直径为6~7μm的"足球形"KLa(WO_4)_2:5%Eu~(3+)纳米晶,在393 nm激发下在614 nm处发光性强,草酸起到控制游离La~(3+)浓度和模板剂的作用,草酸添加量对产物的形貌及发光性能起到重要作用。     

BNT掺杂对0.95BaTiO_3-yNb_2O_5-(0.05y)Co_2O_3材料的影响

采用固相合成工艺制备了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT),研究了BNT掺杂对符合X7R特性的0.95BaTiO3-yNb2O5-(0.05 y)Co2O3(BTNC)材料介电性能的影响。结果表明,掺入质量分数0.5%～2.0%的BNT的BTNC在–55～+150℃的容温变化率在±15%以内,且在室温和1 kHz下,其εr为2 615,tanδ为1.41×10–2,符合X8R特性。     

KSrPO_4:Eu~(3+)红色发光材料的制备及性能研究

采用高温固相合成工艺制备了KSrPO4:x Eu3+红色发光材料,通过X射线衍射、荧光光谱、量子效率仪、封装对发光材料的晶体结构及发光特性进行了研究。XRD表明KSrPO4晶体结构并没有随着Eu3+的掺入而发生变化;荧光光谱表明KSrPO4:Eu3+在394 nm处存在最强激发峰,发射光谱最强发射峰为612nm;量子效率研究表明随着Eu3+掺杂量的增加,量子效率先增后降,在Eu3+掺杂量x=0.04时,量子效率存在最大值51%;封装光源的显色指数为83,色温3497 K,并且随着电流的变化色坐标(X,Y)基本保持不变,因此,KSrPO4:Eu3+红色发光材料作为近紫外激发的红色发光材料具有一定的潜力。