电镀锡铅合金

介绍了电子行业电镀可焊性锡铅合金体系发发展,比较了优缺点,认为烷基磺酸系是具有发展前途的电镀锡铅合金体系。     

叠层片式电感器用低烧低银浆料的研究

针对叠层片式电感器用银端电极浆料领域,通过对主要原材料金属粉、无机粘结剂、有机体系的研究,并结合采用封端烧结制样后电镜分析的表征方法,成功研发一种低银含量低温烧结银端电极浆料,用于匹配叠层片式电感器产品的生产。     

片式多层陶瓷电容器电镀失效分析与控制

为了解决片式多层陶瓷电容器(MLCC)电镀后脱层及溢镀缺陷,研究了除油、浸蚀和电镀的工艺条件对产品脱层及溢镀的影响.结果表明,选取以碳酸钠为主的除油液,在柠檬酸中浸蚀,采用能使镀层产生压应力的氨基磺酸盐镀镍液以及活性不及氰化物镀金的柠檬酸盐镀金液,可有效解决上述问题.     

引脚可焊性镀层无铅纯锡高速电镀添加剂的开发

介绍了引脚可焊性镀层高速电镀工艺流程、高速电镀添加剂各组分的作用及其选择要求。通过Hull槽实验、10L电镀实验和高速模拟实验确定了甲基磺酸、二价锡离子、温度、电流密度和自制的添加剂——可焊性镀层锡铅高速电镀添加剂SYT845和无铅纯锡高速电镀添加剂SYT843H等各工艺条件对高速电镀过程的影响。可焊性实验和扫描电镜照片表明,采用SYT845型和SYT843H型添加剂所得的高速电镀镀层具有良好的可焊性,且结晶规整、细致,晶粒尺寸为1～3μm;SYT843H无铅纯锡高速电镀样品经TCT试验1000个循环（-60～150℃）后在500倍的SEM照片中没有发现锡须。该自制的添加剂应用于生产中已有2年。     

焦磷酸盐Sn-Ni枪色电镀的研究

1　前言Ｓｎ Ｎｉ枪色镀层由于具有非常迷人的颜色和较高的硬度 ,已得到广泛的应用。从 φＮｉ2 + /Ｎｉ =- 0 .2 5Ｖ、φＳｎ2 + /Ｓｎ =- 0 .136Ｖ来看 ,必须加入适当类型和数量的络合剂 ,才能使其共沉积。电镀工作者经过努力 ,先后开发了氟化物、氰化物、葡萄糖酸盐和焦磷酸盐型Ｓｎ Ｎｉ枪色工艺。由于氟化物对设备有较强的腐蚀性及氟常以ＨＦ形式挥发 ,作业温度高 ,故很少采用。氰化物工艺虽然很稳定 ,但对环境及操作人员产生危害 ,而且工艺本身要求的操作温度一般接近 70°Ｃ ,能耗大 ,限制了氰化物Ｓｎ Ｎｉ枪色工艺的应用。葡萄糖酸…     

片式元件三层镀技术

1　前言无引线片式电子元件 (电容、电阻、电感 )的生产中 ,最后一道工序是通过三层镀制作元件的端电极。因此 ,三层镀技术直接影响元件的性能。随着对元器件要求的不断提高 ,三层镀的电镀液 ,除对元件端头、引线的软钎焊性、致密性等有影响外 ,对元件的基体复合材料也可产生不良影响 ,尤其是小型片式电阻、多层片式电容元件的大量生产和使用 ,原来广泛采用的酸性、碱性电镀液对以特种玻璃 (高铅玻璃 )封装、高活性陶瓷为基料的片式电阻和多层片式瓷介电容的溶解和腐蚀十分明显 ,大大影响了元件的质量。同时这类镀液对设备腐蚀、对操作人员…     

轴瓦电镀Pu-Sn-Cu三元合金工艺的优化

Ｐｂ－Ｓｎ－Ｃｕ三元合金电镀中工艺参数对镀层性能的影响进行了试验,从而得到Ｐｂ－Ｓｎ－Ｃｕ三元合金电镀的优化工艺参数,通过优化试验,获得了最高硬度及最佳镀层成份的施镀工艺。     

镍/镍/铬多层电镀故障的处理

分析了镀镍层产生毛刺的原因,并提出了解决和预防的方法。     

电镀多层镍／铬工艺综述

综述了电镀多层镍／铬工艺技术，包括镀层组合，镀层分述，新工艺技术。     

甲烷磺酸电镀Sn-Pb合金添加剂研究

介绍了国内外磺酸型Sn-Pb合金电镀添加剂近十年的研究历程现况并根据各组分的化学结构及其在电镀中所体现出的性质将添加剂分为Sn^2 离子稳定剂、光亮剂及分散剂三类。最后列出了新研制的甲烷磺酸Sn-Pb合金电镀添加剂的主要性能及具体工艺配方。     

化学镀锡铅合金

研究了甲基磺酸体系化学镀锡铅合金,讨论了其中各组分的作用,并获得了最佳工艺条件,在此条件下,铜片上沉积速度能达到14um/30min.     

脉冲电镀Ag-Sb合金的研究

研究了脉冲参数对Ａｇ－Ｓｂ合金镀层中Ｓｂ含量和硬度的影响。比较了脉冲电流和直流电流电镀Ａｇ－Ｓｂ合金镀层的孔隙率、结合力、耐磨性和硬度等。应用Ｘ－射线和电镜扫描分析了镀层的结构和形貌。     

热处理对化学镀Ni-Sn-P镀层结构和性能的影响

对化学镀Ｎｉ－Ｓｎ－Ｐ合金层的结构和性能,以及热处理对其结构和性能的影响进行了研究。结果表明：Ｎｉ－Ｓｎ－Ｐ合金层在镀态下为非晶态结构,耐蚀性好,硬度高,与基体结合力优良,经３５０℃热处理后,镀层发生晶化,耐蚀性下降,硬度增高,结合力提高。     

Zn-Ni合金镀层中Ni含量影响因素及镀层耐蚀性

研究了碱性Zn-Ni合金电镀工艺,采用扫描电镜、极化曲线、交流阻抗及浸泡试验测定了镀液温度、电流密度及镀液组成等因素对镀层表面形貌、镀层中Ni含量及耐蚀性能的影响.结果表明:温度和电流密度对镀层中Ni含量的影响不大;镀层中Ni含量随着镀液中Ni2+与Zn2+质量浓度比的升高而增大.随着镀层中Ni质量分数的增加,镀层颗粒越来越细致、均匀;在5%NaCl溶液中的电化学腐蚀行为表明:Ni的质量分数为13%的合金镀层具有最佳的耐蚀性.     

(Sn_(1-x),Ni_(2x))O_2纳米颗粒膜的制备及半导体性能

为提高SnO2的半导体性能,以分析纯SnCl2.2H2O和NiCl2.6H2O为主要原料,控制不同n(Ni2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜及半导体元件。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了(Sn1-x,Ni2x)O2元件的半导体性能。结果表明,(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜表面椭球形颗粒排列致密,尺寸约30 nm,(Sn1-x,Ni2x)O2为金红石型结构,但Ni2+代替了SnO2晶格中的部分Sn4+,使其晶胞参数a轴长平均减小0.000 4 nm,c轴长平均减小0.000 3 nm;随n(Ni2+)/n(Sn2+)由0.006增大到0.03,(Sn1-x,Ni2x)O2的晶粒尺寸由约45 nm减小至约18 nm;随温度由30℃上升至150℃,n型(Sn1-x,Ni2x)O2半导体元件的电阻约减小至其10%,而纯净SnO2元件的电阻仅约减小至其15%;随n(Ni2+)/n(Sn2+)的增大,离子化杂质散射增强,(Sn1-x,Ni2x)O2内部载流子迁移率下降,元件在150℃左右的电阻也由4.8 kΩ增大至12.1 MΩ,提高了元件的半导体性能。     

柠檬酸-EDTA电镀光亮Sn-Pb合金的研究(Ⅰ)工艺研究

研究了以柠檬酸和EDTA为络合剂,QB-1为添加剂的电镀光亮Sn-Pb合金工艺。探讨了络合剂含量、[Sn~(2+)]/[Pb~(2+)]、阴极电流密度及温度对镀层中Pb含量的影响。综合考虑合金镀层组成、镀层的光泽度及镀液的稳定性,确定了电镀光亮sn-Pb合金的最佳镀液组成及工艺条件。     

焦磷酸盐体系电镀Ni_(70)Cu_(30)合金工艺

为了得到Ni70Cu30合金镀层,研究了镀液中主盐浓度比、配位剂浓度、温度、pH、电流密度等工艺参数对合金镀层成分、外观等的影响,并考察了多种添加剂对镀层性能的影响.确定了最优镀液组成及工艺条件为:七水合硫酸镍70 g/L,五水合硫酸铜10 g/L,三水合焦磷酸钾242 g/L,硼砂38 g/L,二乙二醇3mL/L,,温度55℃,pH 8.7,电流密度4～9A/dm2.     

铝和铝合金镀镍及其前处理

介绍在铝及铝合金的电镀镍的工艺及基表面准备，阐述了化学浸锌及镀镍过程中需注意的一些问题。