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Sol-Gel法低温烧结NiCuZn铁氧体的磁导率、温度系数等性能与Zn含量的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶-凝胶法制备了Ni1-a-xZnxCuaFe2O4(0.15≤a<0.25,0.1≤x≤0.65)铁氧体超细粉。测量了烧结样品的起始磁导率μi、Q值、比温度系数αμ/μi、居里温度TC、饱和磁化强度Ms、矫顽力Hc等与Zn含量的μ关系。给出了六个不同Zn含量样品的磁导率温度曲线。发现随Zn含量的增加比温度系数αμ/μi(20~60℃)由正到负。获得了μi>1000、比温度系数αμ/μi<1×10-6/℃、居里温度TC=125℃、比损耗因子tanδ/μi<2×10-5μ的高导、低温度系数、低烧(880±20℃)NiCuZn铁氧体材料。 相似文献
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为了进行永磁材料温度稳定性的研究,我们采用差值补偿法,采用标准样品补偿,建成一台永磁材料温度稳定性测试装置。其灵敏度为1×10~(-5),测量温度系数为1×10~(-4)/度的永磁材料,引入的误差为2%到4%。测量稳定性好的 AlNiCo8类永磁材料,经稳定化处理后的温度系数为0.7×10~(-4)度。 相似文献
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采用传统氧化物陶瓷工艺制备锰锌铁氧体,研究了主配方的氧化铁含量、烧结工艺等因素对材料微观结构和磁导率的影响。结果表明,主配方氧化铁含量在52.2 mol%时,可以获得较好的磁导率温度特性;烧结温度1380℃,保温8~12 h,有助于提高起始磁导率;晶粒直径25μm左右和致密的微观结构,可提高材料的起始磁导率。通过优化配方和制备工艺,开发出了宽温、高磁导率锰锌铁氧体材料RH15K,性能如下:起始磁导率μi:15000±30%(25℃,10 k Hz),μi5000(-40℃,10 k Hz),居里温度TC105℃。 相似文献
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给出一种铁基软磁合金薄带高频磁导率的测量方法,详细介绍了该方法的测量原理,并利用Agilent E4991A射频阻抗/材料分析仪研究了退火温度对20μm厚铁基软磁合金薄带高频磁导率的影响。结果表明,随退火温度的提高,磁导率实部单调提高,磁导率虚部则是先升高后降低。尤其是在550℃下退火,在1MHz和10MHz下样品磁导率实部分别为2210和330;比较了不同温度退火样品的磁导率的测量结果,得知550℃是一个比较理想的退火温度。研究结果对以铁基非晶、纳米晶软磁合金薄带为磁心的高频微电感、微变压器等磁性器件的设计具有重要的指导意义。 相似文献
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采用氧化物陶瓷工艺制备低温共烧铁氧体(LTCF)多层片式器件用NiCuZn铁氧体材料,研究了V_2O_5掺杂对材料微观结构、磁导率及其温度特性的影响。结果表明,随V_2O_5掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸增大,材料烧结温度降低,磁导率先增大后降低;宽温NiCuZn铁氧体配方采用0.4wt%的V_2O_5掺杂,可使材料实现低温烧成(烧结温度900℃左右),并具有高磁导率(500左右)、致密的细晶粒显微结构,从而获得满足LTCF多层片式铁氧体器件高、低温应用环境(-55~+85℃)下磁性能要求的低温烧结NiCuZn铁氧体宽温材料。 相似文献
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在10~(-1)~10~6 Hz频率和20~150℃温度范围内测量了SF_6气体绝缘套管芯子材料的频谱和温谱曲线。利用改进Havriliak-Negami(HN)方程的非线性数值计算,对实测数据进行曲线拟合,获取了介电谱HN数学模型的特征参数。研究表明:试样击穿场强随其厚度的增加而降低,且在10~(-1)~10~6 Hz频率范围内,20~60℃温度区间芯子材料主要为β弛豫作用过程,70~90℃温度区间可同时发现α、β弛豫过程,100~150℃温度区间α弛豫、直流电导作用过程占主导地位。 相似文献
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超导量子干涉器件在电磁测量中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从使用者的角度介绍了超导量子干涉器件的原理。利用这种器件可望测量极弱磁场(10~(-11)G)及极弱电压(10~(-15)V)。文中介绍了它在电磁测量中的几个典型应用:磁强计、电压计及电流比较仪。 相似文献
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本文推荐一种YlG滤波器测磁探头,该种探头灵敏度高(可达10~(-4)Oe以上),温度系数小(可小于10~(-6)/℃)。因此,该种探头可用于各种磁场的温度系数的测量,也可用于磁场分布的测量以及电磁铁的磁场与电流的线性度测量等。本文着重介绍该种YIG滤波器探头的测磁原理、温度特性、设计制作方法和温度特性的校准等。该种探头经过多年的使用证明性能稳定,测试数据可靠,能满足一般工程技术上的需要。 相似文献
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采用固相法制备Sr2+部分取代Ba2+的Co2Z铁氧体材料(Ba1.5Sr1.5Co2Fe24O41),探究了预烧温度、烧结温度、烧结气氛等制备工艺对材料磁性能的影响,并用扫描电镜和XRD分析仪对材料的微观形貌和相成分进行了观察、测试。研究表明,当预烧温度为1250~1280℃时,起始磁导率随预烧温度的增高而降低,Q值(1GHz)随之增高。当烧结温度从1220℃升高到1280℃时,起始磁导率随之增高,Q值(1GHz)随之减小。当烧结气氛由空气改为氧气时,起始磁导率降低,Q值(1GHz)增高。1280℃下预烧2h、1240℃氧气气氛中烧结3h的材料磁性能较优,起始磁导率为4.2,品质因数Q值在1GHz时为11.3,截止频率高于1.8GHz。 相似文献
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在前期实验的基础上并根据实际需要,选用Ni0.25Cu0.4Co0.15Zn0.2Fe2O4为主配方,采用普通氧化物陶瓷工艺制备NiCuZn铁氧体材料,通过添加V2O5助熔剂来改善材料的显微结构。主要研究了助剂含量对材料致密化程度、起始磁导率、截止频率、比损耗、温度稳定性等的影响。最终制备出可以用于射频领域的宽频带铁氧体材料,性能为:起始磁导率为7.4,截止频率700MHz左右,在-60~120℃磁导率的比温度系数小于4.5×10-4/℃,比损耗系数在100MHz以下小于1×10-2。 相似文献
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《高压电器》2016,(7)
SF_6气体具有较高的温室效应,减少SF_6气体的使用量已达成共识。笔者从SF_6混合气体的角度,对短间隙SF_6/N_2混合气体完全击穿时的光谱特性开展研究。采用光谱仪测量压强0.1~0.4 MPa、电极间距2~12 mm时SF_6及SF_6/N2混合气体完全击穿时的电子温度、电子数密度等参数,从微观和宏观相结合的角度研究混合气体放电时形成等离子体通道的物理特性。研究结果表明:0.1~0.4 MPa下随着气体压强的升高SF_6气体完全击穿时的电子温度由6.06×10~4 K下降到2.67×10~4 K,电子密度由3.15×10~(17) m~(-3)增大到6.91×1017 m~(-3);0.1 MPa下随着SF_6混合比的升高混合气体完全击穿时的电子温度由N_2时的1.17×10~4 K上升到SF_6时的6.06×104 K,电子数密度由N_2时的5.94×1017 m~(-3)下降到SF_6时的3.15×10~(17) m~(-3)。 相似文献
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真空灭弧室触头温度是影响其开断能力的重要因素之一,非接触式温度测量手段以其反应时间快,测量范围宽,测量精度高,不干扰等离子体分布等优点被应用于真空灭弧室触头温度测量中。触头材料发射率是材料本身的物性参数之一,也是非接触式温度测量中推算温度所需的基本参数之一,只有在测得材料发射率的情况下才能根据光谱强度推算出材料表面温度。本研究的目标是测量得到真空灭弧室6种常用触头材料Cu、CuCr(25)、CuCr(30)、CuCr(40)、CuCr(45)、CuCr(50)的发射率。利用黑体辐射参考源在中温黑体炉中进行光谱测量,检测波长范围从5~20μm,加热温度为400~800℃。得到测量波长在5~7μm范围内为发射率测量值最稳定,适合用于触头温度非接触式测量。测得5~7μm波长范围内上述6种触头材料在800℃时的发射率值分别为0.50、0.58、0.56、0.52,0.48和0.41。触头材料发射率随着材料表面粗糙程度的增加而增加;随着温度的上升触头材料发射率随之增加;铜铬合金触头的发射率会随着铬组分比例增加而下降。 相似文献
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针对非色散红外SF_6气体传感器测量精度易受环境温度、气压影响的问题,提出采用混合粒子群优化-误差反向传播(PSO-BP)神经网络预测模型对环境温度、气压变化引起的测量偏差进行实时补偿,并与其他补偿方法进行分析比较。实验结果表明,该SF_6气体传感器在气体浓度0~1000×10~(-6)、温度10~40℃、气压100~120 kPa,相对测量误差为1.5%,检测精度小于±15×10~(-6),检测分辨率为1×10~(-6),有效地消除了环境温度、气压波动引起的非线性影响。相比于经验公式法和RBF神经网络补偿方法,该方法具有较高的测量准确度和稳定性,且无需增加电路模块,有利于降低传感器的体积和成本。 相似文献
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《电气技术》2020,(3)
当使用相关函数法测量介质损耗时,电网频率的波动会影响测量的介质损耗的精度。本文针对电网频率波动会造成较大测量误差的问题,提出根据电网频率调节采样时间的方法改进相关函数法。改进算法通过移频滤波方法获取电网的频率,通过测量的频率改变采样持续的总时间,然后通过复化梯形公式计算介质损耗。仿真结果表明,采用改进相关函数法进行介质损耗测量可以降低测量误差。在无谐波干扰、电网频率在49.5~50.5Hz波动的情况下,介质损耗测量误差的最大值从10~(-3)级别下降到10~(-5)级别。在有谐波干扰、电网频率在49.5~50.5Hz波动的情况下,介质损耗测量误差的最大值从10~(-2)级别下降到10~(-4)级别。 相似文献