大功率分子激光器

自从杰范(A. Javan)发现了受激发射以来,在这个领域里做了大量的工作。现在已从气体中获得几百种受激发射光线,其中有一些在连续工作中具有1瓦以上的功率。由于发现分子激光器随着效率的提高可能获得大功率,从而实现了一个很大的进展。人们实现了能提供接近于300瓦、效率为10%的分子激光器,而原子激光器的效率却超不过千分之一。     

大功率紫外激光器

洛斯·阿拉莫斯国家实验室正在寻找一个建造紫外激光器的合同户。该激光器发射的脉冲能量3.6焦耳，重复频率1,25千赫，平均功率4.5千瓦。     

大功率半导体激光器

日本某公司研制成MEL4744型25毫瓦半导体激光器,它是根据被称为TRS(双晶脊形基片)的新结     

大功率固体激光器

本文对大功率固体激光器作了简要的概述,同时论述了固体激光器的性能,技术现状和发展趋向。     

便携式大功率激光器

由LTB Lasertechnik Berlin公司推出了大功率MSG和UDL系列激光器和便携式PNL和UDL系列激光器.功率激光器包括MSG范围中的氮激光器,这种激光器带有多级激光通道结构来保证高效率、高可靠性和低的电磁噪声.在所有的功能中,激光器是用光学方法被一个综合控制器来控制和监视.脉冲功率在10Hz范围内为400kW～800kW.此外,光束横截面适合用于通信的目的.用于染料激光泵浦的横截面是线形的,而用于微结构的激光截面是方形的.上述所叙性能归于高的脉冲功率、小的光束发散和短的脉冲持续时间,因此,MSG激光器尤其适合于科学研究,例如:用作染料激光器的泵浦光源;非常短的激光脉冲的放大;用于时间分辨光谱的激励光源.其它的技术应用还包括激光感应连接、硬化和清洁、探测空气、水、土壤     

大功率激光器阵列

日本夏普公司已开发比以前大4～5倍大功率半导体激光器阵列,并确立实用化技术。所开发的激光器阵列采用和以前MOCVD不同的液相处延生长法,适合于批量生产。器件需要在GaAs衬底上淀积Al,Ga,As的六层薄膜,每层的厚度为0.05μm必须在稳定反应中进行晶体生长,以往用MOCVD法制造,很费时间。     

大功率激光器的应用与聚焦

文中谈到要想作出适用的大功率激光器存在那些困难以及探索采用什么样的透镜能聚焦光束并使焦点准确地落在固态氘靶上。     

大功率激光器温度控制系统设计

为了实现大功率激光器的高功率输出,必须考虑激光晶体的热效应。针对激光晶体的热效应控制提出了一种以PIC为核心的大功率激光器温度控制系统。为了确保大功率激光器在合适的温度下正常运行,系统采用铂丝热电阻PT100、XTR105自带传感器激励源及内置线性化电路变送器组成温度传感器,温度传感器将采集的温度送入PIC单片机进行处理,对水流及电磁阀进行控制,从而达到控温的目的。系统还具备水流、液位监测报警功能,可有效保护大功率激光器关键部件。测试结果表明,系统温度的有效测试范围为0~40℃,控制精度≤±1℃。目前系统已投入工程化应用,可有效提高泵浦模块的效率,改善光束质量。     

大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列

分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长 Ga Al As/Ga As GRIN-SCH-SQW结构 ,经光荧光谱、X-射线双晶衍射、和载流子浓度测试 ,结果表明 ,该结构各参数均满足设计要求。应用此结构制成激光器阵列 ,室温准连续输出功率达5 8W(t=2 0 0 μs,f=5 0 Hz) ,峰值波长为 80 8nm。     

小型大功率He-Ne激光器

106型He-Ne激光器由于采用了多种技术,具有以下优异特性:对He-Ne激光器稳定性的要求总是很高,就是说输出功率不但要高,而且要有短时间或长时间的输出功率稳定性。106型He-Ne激光器满足上述条件。除制造等离子体管的特殊技术外，还为反射镜研制成新型选择性介质膜。这样由3.39 μm波长的光所引起的干扰被消除，这种新型激光器只发射632.8 nm波长的光。     

大功率半导体激光器阵列

综合介绍了目前半导体大功率激光器普遍采用的材料结构、芯片结构、封装技术、散热致冷技术以及发展现状;给出了当前大功率半导体激光器的研究发展方向。     

小型大功率白光激光器

东京电工大学助教Hiromi Kawase等研制成目前世界上功率最大的小型长寿命白光激光器，输出功率41毫瓦，为一般器件的两倍。它也是世界上第一台空心阴极氦-镉离子白光激光器，属封离和低噪声型。激光管外径为1厘米，长46厘米。在激光 振荡持续1小时以后，测得漂移误差小于±5%。激光通常发射约300个小时。     

单模大功率GaAlAs-GaAs激光器

一般讲，如果只考虑器件的功率特性，则制造大功率激光器并不太困难。但要想制出同时具有大功率和稳定单纵模与横模的激光器则很难。然而，在诸如高速激光印刷、光盘记录以及远距离空间通信等许多应用中，偏偏要求激光器具备这些特性。为了满足大功率及稳定模式的要求，人们已研制出许多种结构的激光器。这些结构包括压缩双异质结大光腔(CDHLOC)、掩埋条形异质结构(SBH)、 窗口条形(WS)、沟槽衬底平面结构（CSP)以及双边衬底（TRS )等。所有这些激光器的激光功率都可以超过50 mW/面。但是，在输出功率超过30 mW时，这些激光器的横模都是多模。     

大功率相控阵列激光器

本文描述了增益导引和折射率导引相控阵列GaAlAs半导体注入激光器的大功率连续波(CW)工作。这种增益导引耦合多条形(CMS)器件(示于图1)由10个质子轰击成的中心距为10μm、宽为3μm的条形组成,制作在用MO-CVD法生长的多量子阱激光品片上,而与面之间的近似中心间距的弯曲,用以提高发射体之间的光耦合(也出现了损耗波耦合)。端面未涂敷层的此种器件在λ≈0.83μm、CW功率高达410mW下出现突然破坏。微分量子效率为55%,总功率转换效率为17%,为锁相器件所特有的这种远场图形在     

大功率光纤激光器研究进展

对当前大功率光纤激光器的研究进展作对比分析,以期得出一些研究方向及方法的借鉴.以连续波与脉冲光纤激光器作为区分标准,对于国内外的大功率光纤激光器报道中所提到的大模场面积光纤激光器、离子掺杂方式、调Q光纤激光器、锁模光纤激光器,以及锥形光纤的泵浦方式等做了相关介绍.     

大功率半导体激光器应用

分析了大功率半导体激光器的特点，对它的发展现状进行简要的介绍，并结合实际应用，对大功率半导体激光器的设计进行了阐述。     

多头放大大功率激光器

在短暂的能量爆发中，安装在巴特耳哥伦布实验室的激光器是世界上最大功率的激光器，它所产生的功率可与地球上任一时刻所产生的整个电功率相比。这种掺钕的玻璃激光器在1.25到5毫微秒的时间范围内产生900到150.0焦耳的脉冲。