一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法——比较法

在正交偏光干涉实验装置中,用DKDP晶体的电光效应补偿其它晶体电光效应所引起的光程变化,测量晶体电光系数相对于DKDP晶体γ63的数值,提出了一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法。     

自身电光效应补偿法测量DKDP晶体感应主轴方向的应力双折射

本文用DKDP晶体自身电光效应补偿的原理,测量了其感应主轴方向的应力双折射。     

锥形折射调制的研究

本文以电光效应和双轴晶体的锥形折射理论为基础,分析研究了锥形折射调制的特点:计算了加电场后一些晶体在常温下的圆锥孔径角以及KDP、DKDP晶体由相变温度附近的圆锥孔径角;对于观察这种锥形折射调制的实验条件进行了论证和分析,结果表明相变温度附近的KDP,DKDP晶体由于电光系数较常温时显著增加,从而引     

比较法测量晶体的电光系数

我们用一台旋光仪,以DKDP晶体纵向电光效应所引起的光程变化补偿其它晶体的电光效应所引起的光程变化,提供了一种简单、迅速和高灵敏度地测量晶体半波电压和电光系数的方法.采用此方法测量了典型的电光晶体ADP和KDP的横向与纵向半波电压和相应的电光系数γ_(63),以及LiNbO_3;晶体的横向半波电压与相应的电光系数γ_(22).实验结果与其他方法的测量值及文献报道的值基本一致.     

DKDP电光晶体真空性能的研究

一、概述 用于晶体光阀管中的DKDP电光晶体,由于它处于真空环境并依靠电子束的轰击而工作,所以它的真空性能以及抗电子束轰击的能力对电光晶体本身是否能正常工作显得十分重要。 晶体光阀管真空性能的研究,国外早有报导,但它们只研究了电子束轰击下以及不同温度下光阀管内气体总压强的变化,没有进一步分析气氛变化的过程和气体的种类。这对保证DKDP电     

KDP和DKDP电光晶体沿表层缺陷研究

对激光技术广泛使用的磷酸二氢钾(KDP)和磷酸二氘钾(DKDP)电光晶体另件加工的基本要求是获得的抛光表面缺陷要最少。根据对晶体损伤提出的热电子机理得出,为了提高表面的抗光强度首先要改善加工,即在保持表面光学质量条件下尽可能完全消除由于机械加工而引起的损伤裂纹层。根据文献[2]数据,KDP晶体经极粗的机械加工(切割)后,其〔001〕面方向损伤层深度不大于145微米。关于DKDP晶体的类似数据文献中未见到。作者研究了KDP和DKDP晶体用不同粒度金刚砂粉研磨后的凸凹和裂纹层,并讨论     

高平均功率热补偿电光开关

慨述了高平均功率激光器电光开关中产生的热光退偏和波前畸变，介绍了采用KTP和DKDP晶体热补偿电光开关的原理和技术。     

晶体光阀显示

本文论述了国外晶体光阀的研制和发展情况,主要包括DKDP光阀,BGO光阀和PLZT光阀.另外还简单地介绍了用作全息存贮的PROM和铁电光折射器件,并在第二部分叙述了作为晶体光阀物理基础的普克尔斯效应.我国晶体的研制和生产都有一定基础.如何将各种新晶体引入信息存贮显示领域是个很值得重视的问题     

铌酸锶钡单晶的制取及研究

铌酸锶钡 Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6(当 x=0.25～0.75时)系四角晶系钾-钨铜结构,它具有很大的线性横向电光效应。用切克劳斯基法以铱坩埚可制得深琥珀色铌酸锶钡单晶。这类晶体在1400℃氧气中经长时间退火能部分变成无色晶体。     

硅酸镓镧晶体电光调制器

用新型非线性材料硅酸镓镧(LGS)晶体制作了电光调制器,研究了单晶硅酸镓镧晶体的电光效应。利用极值法和倍频法测定了硅酸镓镧晶体的半波电压值,计算出电光系数γ11分别为1.85pm/V和1.90pm/V,对比发现倍频法比极值法实用、快速、方便。测定了在0.3～0.6328μm波长内硅酸镓镧单晶的旋光率为21.1°～2.6°/mm。利用自制的高压调制电源进行了调制实验,实验结果表明:有旋光性非线性材料硅酸镓镧晶体是一种新型电光晶体,可用作电光调制器,调制信号稳定。     

第三章 实用激光技术(二)

(接上期 )此后 ,由于前面的巨脉冲消耗了反转粒子数 ,腔内光子数迅速减少 ,染料的透明度降低 ,恢复到原来不透明状态 ,相当光腔又处于关闭状态。这样就完成一个关 -开 -关的周期。显然 ,可饱和染料Ｑ开关是一种控制吸收损耗的Ｑ开关技术 ,非常简单实用。3.4 .3　电光Ｑ开关某些晶体如磷酸二氢钾 (ＫＤＰ)、磷酸二氘钾(ＫＤ Ｐ)、铌酸锂 (ＬＮ)等施加电压后 ,通过它的线偏振光的偏振方向将发生偏转 ,称为电光效应。具有电光效应的晶体叫电光晶体。用一个偏振器和电光晶体构成Ｑ开关插入光腔 ,当施一适当高压于晶体时 ,透过偏振器的线偏振光进…     

GaAs电光调相器

原理与结构 所谓电光调相,就是利用电光晶体(即介质)的折射率随着外加电场而变化的性质(称为电光效应)来实现对光波进行相位调制。 对于CO_2激光光波而言,其波长为10.6微米。在该波长上的电光晶体有硫化锌(ZnS)、氯化铜(CuCl)、碲化镉(CdTe)和砷化镓(GaAs)等。目前国内用得较多的是GaAs晶体。它属于43m晶系。线性电光系数γ_(41)=1×10~(-7)厘米/千伏。 图1所示是GaAs电光调相器原理装置图。其中(110)、(110)和(001)分别表示GaAs晶体的三个     

普克尔盒

在外加电场作用下,某些晶体的折射率的变化与外加电场的一次方成比例,称之为线性电光效应或普克尔效应。利用普克尔效应制成的电光效应元件,由透明晶体在选定的加压方向设置电极而成。有时为防潮、防尘将调制晶体密封在有石英或光学玻璃窗的盒内,故有此称。若电极恰在通光方向,可在晶体表面蒸涂透明金属氧化物(如氧化锡)薄膜作电极。当用作巨脉冲Q开关时,则采用较厚的圆环状电极。     

电光晶体用于快速变焦的设计

在利用晶体的电光效应实现快速变焦时,需要合理地设计电光晶体及电极结构。基于晶体电光效应的基本原理,提出了其设计的基本原则和思路,并通过对一次电光晶体(铌酸锂晶体)和二次电光晶体(钽铌酸钾晶体)内部非均匀电场及其总附加光程的模拟和比较,获得了优化的电光晶体及电极设计结果。在此基础上,开展了电光晶体用于快速变焦设计的性能分析,并讨论了电光晶体长度、外加电压等参数对总附加光程的影响。结果表明:电光晶体的附加光程调制的曲率半径随控制电压增大而减小,在加载电压不变的情况下随晶体厚度的增大而增大。因此,在实际应用中,需要对晶体厚度和加载电压综合进行考虑,以获得最佳的变焦效果。     

BGO单晶生长中熔体的分区现象及对单晶生产的影响

本文描述了用提拉法生长闪烁、电光锗酸铋单晶时熔体的分区现象,分析了产生这种现象的原因,指出了它对单晶生长及晶体性能的影响,找到了解决的办法.     

La3Ga5SiO14晶体电光Q开关的研究

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态．建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究，得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图，并将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14成功地制作成了电光Q开关。     

磁光盘存贮信息的检测

本文介绍了一种检测磁光盘存贮信息的静态测试装置。本装置具有读、写、擦位于同一光路的特点,其直流读出功率的输出可以从对电光晶体预置偏压或检偏器和电光晶体之间预置偏振轴得到;并试用了磁光石榴石单晶薄膜调制器来测量1微米左右磁域的克尔效应,以提高观察和测量的灵敏度。     

高质量钽酸锂单晶

美国加利福尼州晶体技术公司将为美国空军航空电子学实验室研制一种用于宇宙激光通讯系统的、每秒1千兆位电光调制器的高质量钽酸锂单晶。和其它电光调制器材料相比较,钽酸锂显示出高效率和低畸变,但是,到目前为止,由于它强烈吸收可见光而且损坏阈低,妨碍了它的使用。该公司发展了一种生长光透明单晶材料的特有方法,将在该项计划中致力于提高损坏阈值,其重点是防止铁进入原材料和从晶体成品中把铁清除掉。     

薄片DKDP晶体前后表面损伤识别技术研究

在全内反射边缘照明的基础上,利用DKDP晶体的双折射特性,解决了区分DKDP晶体自身前后表面损伤的问题。紫外光入射到11 mm厚的DKDP晶体会分解为o光和e光,并在出射面产生254.738 m（理论值）的偏离量。这个偏离量导致DKDP晶体后表面损伤在CCD上成双像（一个是o光成像,另一个是e光成像）,可以用偏振片对双像进行调制;DKDP晶体前表面损伤在CCD上只有单像,不受偏振调制影响。通过偏振调制,可以避免重复提取同一个损伤信息,提高损伤识别精度。实验证明:该方法可以区分厚度为11 mm的DKDP晶体前后表面损伤。     

KTP电光开关

利用KTP晶体的有效电光系数γc1,制成电光开关,实验研究了它的热光效应,通过温控实现了晶体的静态双折射补偿,并将它成功地运用于调Q脉冲的削波整形