逆变触发电路

将控制信号转变为某一频率的脉冲或脉冲群，用这些脉冲控制无源逆变电路中的功率开关元件的通断，以控制逆变器输出电压和频率的电路。主要应用于变频调速装置或不停电电源的逆变器中。它的一般功能是：根据控制信号的要求产生相应频率的输出脉冲：确定逆变器各功率开关的驱动信号间的相位关系：产生是够的驱动功率以驱动功率开关元件：完成功率开关元件和控制电路之间的电隔离。     

2.5GW 长脉冲功率模块优化设计与实验研究

为LTD 型重复频率脉冲驱动源研制了一种阻抗6Ω、功率2.5GW的长脉冲功率模块。为了提高单模块输出功率、 优化模块空间结构、减小脉冲波形畸变,采用了两个放电开关同步驱动四条环形Blumlein PFN 的设计思想,实现高压电 脉冲对直线变压器初级线圈的四端口对称馈电。借助激光触发火花开关技术,初步开展了LTD 电压叠加实验研究,在两 级2.5GW 脉冲功率模块上获得了功率5.2GW、半宽160ns、重频5Hz 的脉冲输出。     

基于功率MOS型场效应管的4 kV纳秒脉冲源

为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。     

一种先进高压纳秒脉冲功率合成器设计

提出了一种基于先进高压纳秒脉冲线路功率合成器设计全固态高重频高压纳秒脉冲源新方法,并用实验证实了该方法的有效性和可行性,实现了全固态、高重频、高压、纳秒脉冲源的高功率输出,满足了实际应用需求。解决了全固态高重频纳秒脉冲线路功率合成、多个高压纳秒脉冲源的高精度同步(小于50ps)、高稳定全固态高压纳秒脉冲源单源模块设计、系统设计的电磁兼容等关键技术问题。该高压纳秒脉冲线路功率合成器新方法将为高功率先进高性能小型全固态高重频高压纳秒脉冲源设计提供技术参考。     

半导体激光器稳功率脉冲电源设计

根据半导体激光器的温度-驱动电流-光功率特性,通过脉冲驱动技术、功率控制技术和抗浪涌技术的综合应用,设计、制作了一种实用的半导体激光器脉冲驱动电源,解决了半导体激光器应用中常见的浪涌冲击问题和宽温度范围内脉冲驱动时的发光功率同步控制难题.     

850MHz高重复频率、窄线宽被动锁模皮秒脉冲光纤激光器

高功率超短脉冲光纤激光器,通常由低功率种子源和多级功率放大器组成。低功率种子源决定了激光的输出波长、脉冲宽度、重复频率等关键性能,而功率放大器决定了激光输出的平均功率、脉冲能量和峰值功率等。由于高功率超短脉冲光纤激光器     

用二极管激励的平均功率为275W的Nd：YAG激光器

我们研制并测试了可层叠的微通道致冷式激光棒二级管泵源组件，运用于条形激光器高占空比下的直接面激励。由４１个二极管组件形成一个叠层，给出一个１３．５ｃｍ￣２的泵源阵列，它能产生峰值功率３７５０Ｗ，平均功率１０００Ｗ，平均照度７５Ｗ／ｃｍ￣２。已经做出了有８０个二极管的组件，高平均功率，全内反射，面对面激励的Ｎｄ：ＹＡＧ激光器。在脉冲重复频率２．５ｋＨｚ，脉冲电流宽度１００μｓ条件下，获得的平均功率为２７５Ｗ。     

基于声光调Q的高峰值功率全光纤脉冲激光器

报道了基于声光调Q的高峰值功率全光纤脉冲激光器,通过改变驱动信号,可获得不同特性的脉冲激光输出。当重复频率为10 kHz时,脉冲宽度在3~900 ns可调。在脉冲宽度为65 ns时,获得1.24 W的平均功率输出,单脉冲能量0.13 mJ,峰值功率2 kW。当重复频率为100 Hz时,可获得脉冲宽度为86 ns、平均功率84 mW的输出,单脉冲能量0.84 mJ,峰值功率10 kW。该激光器结构简单,可以通过调制方便地改变激光参数,可作为进一步放大、压缩脉冲和提高重复频率的种子源。     

一种新型50 MW全固态高压纳秒脉冲源设计

介绍一种输出功率50 MW的新型全固态高重频高压纳秒脉冲源设计,提出了一种高压纳秒脉冲源线路功率合成设计实现新方法,并用实验证实了该方法的有效性和可行性,实现了全固态、高重频、高压、纳秒脉冲源的高功率输出,满足了实际应用需求.解决了输出功率50 MW全固态纳秒脉冲源设计实现方法、多个高压纳秒脉冲源的高精度同步(小于50 ps)、高稳定全固态高压纳秒脉冲源单源模块设计、系统设计的电磁兼容等关键技术问题.采用该线路功率合成新方法设计的高压纳秒脉冲源将为先进高性能小型全固态高重频高压纳秒脉冲源设计提供基础技术支撑.     

开关式稳压电源（四）

(2)它激式晶体管逆变器结构框图如图1所示。该逆变器常采用占空比可控的矩形波脉冲作为激励源,通过驱动功率开关晶体管的通断来实现直流变交流的逆变功能。占空比控制方式又简称TRC(Time Ratio Control);根据脉冲宽度、脉冲频率间关系和内容的不同,又有脉冲宽度调制式(Pulse Width Modulation)、脉冲频率     

1064nm可编程半导体激光脉冲种子源的研究

为了运用主振功率放大技术获得纳秒量级的高功率密度激光脉冲,设计了一种运用于主振功率放大的半导体激光种子源,通过编程可输出多种形状光脉冲,并采用主动脉冲外形控制技术提高了输出光脉冲的波形质量。实验中研制了高速大电流驱动模块和可编程多种调制波形发生器,并采用了1064nm量子阱分布反馈的大功率半导体激光器。结果表明,该种子源脉冲光功率优于200mW、动态范围优于20dB、脉冲宽度40ns~1μs和重复频率0MHz~5MHz可调,可编程控制输出多种波形。     

高重频可调小型高功率半导体激光电源研究

为了获得高功率、高重频半导体激光脉冲,设计了一种体积小、重量轻、造价低的纳米级大功率半导体激光器驱动电源。采用改进的单稳态触发器产生窄脉冲,经放大后驱动快速开关MOSFET获得大电流窄脉冲;电源脉冲电流驱动能力0A～80A,脉冲上升时间2.8ns,下降时间3.8ns,脉冲宽度5ns～500ns范围内可调,最小5.2ns,重复频率可达200kHz。用该电源实验测试了激光波长为905nm的半导体激光器,在重复频率为10kHz时,激光脉冲峰值功率达到70W以上。结果表明,采用窄脉冲驱动MOSFET可以得到高重复频率10ns以内的大电流窄脉冲,可以驱动大功率半导体激光器,若驱动100A以上的激光器需进一步研究。     

905nm InGaAs脉冲激光二极管驱动电流特性分析与测试

为了实现高功率905nm InGaAs脉冲激光二极管激光脉冲宽度和峰值功率可调,采用现场可编辑门阵列产生触发脉冲、集成模块EL7104C作为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）驱动、以MOSFET为核心开关器件控制高压模块和储能电容之间充放电的方法,设计了脉冲激光二极管驱动电路,对驱动电流特性进行了理论分析和实验验证,取得了不同电容和高压条件下的电流脉宽和峰值数据,分析了具体变化关系,并以此进行了光谱和功率-电流特性测试。结果表明,影响驱动电流脉宽和峰值电流的关键因素是电容大小和充电高压,脉冲激光二极管驱动电流峰值在0A~40A、脉宽20ns~100ns时可控调节,脉冲激光二极管最大峰值功率输出可达40W,实现了脉冲式半导体激光器输出功率和脉冲宽度的可控调节。该设计与分析对近红外高功率脉冲激光器的可控驱动设计具有一定的实用参考意义。     

超短脉冲掺Yb3 光纤激光器的多脉冲运转

报道了一种由偏振敏感的光隔离器(ISO)和偏振控制器(PC)构成的掺Yb3 光纤超短脉冲环形激光器,其在没有进行色散补偿的情况下,通过调节PC的方向,实现了稳定的锁模多脉冲运转.在偏振状态一定的情况下,随着抽运源功率的增加,光纤激光器输出经历单脉冲到多脉冲的改变,通过改变PC和抽运源的抽运电流,可实现不同的多脉冲输出.分析表明,多脉冲的产生主要是可饱和吸收体的过驱动引起的.     

UWB冲激雷达全固态高重频脉冲源设计

超宽带(UWB)冲激雷达中脉冲源的峰值功率和重复频率是其主要指标,通常,气体开关源和油开关源拥有很高的峰值功率,但其稳定度指标很差,最大重频较低;全固态源拥有很好的稳定度指标和较高的重频,但其峰值功率较低.前期工作中利用相干合成技术对提高雪崩管全固态源脉冲源峰值功率进行了研究.在此基础上,本文利用相干合成技术对进一步提高雪崩管固态脉冲源的重频进行了研究,指出了脉冲源单元的高稳定度是合成的基础,分析了电路合成与空间合成两种相干合成的方式.最后,根据需要研制出了32单元的4路电路合成和8路空间合成的脉冲源,峰值功率0.2MW,重频可达300kHz,其脉宽抖动与峰值抖动均小于1%,峰值功率合成效率可达90%～95%.     

基于ZigBee远程控制的激光光源系统

针对激光在生物神经科学研究中的应用,设计出了一种可遥控的脉冲激光器。这里介绍了以ZigBee为通信模块的脉冲源,具有集成度高、便携性强、体积小、成本低、工作稳定等优点。采用单片机为控制中心,利用相应的C语言程序,实现了电流脉冲宽度和脉冲频率的调节。该脉冲源用于驱动全固态半导体激光器,实现了距离为300米的遥控可调节脉冲,并由FC/PC光纤耦合输出。同时加入了恒温控制,保证了激光器的输出功率的稳定性,有效地延长了其使用寿命。该器件依托ZigBee自有的自组网技术,有着很好的应用前景。     

脉冲驱动双稳态继电器ZS-12F1及其应用

<正> 脉冲驱动双稳态继电器ZS-12F1集脉冲驱动记忆自锁节能技术和中功率继电器技术于一体,具有任意极性脉冲电压驱动、静态不耗电、机械记忆锁存、双稳态输出、控制功率大等特点,可广泛用于过载、过流保护及大功率电器电源切换和遥控开关等电路中。 性能与参数 ZS-12F1的外形尺寸及引脚如图1所示。该器件顶部设     

脉冲式激光引信用连续可调LD驱动电路的研究

为了满足引信用脉冲式半导体激光器驱动电路的脉冲宽度可调、频率可调、功率可调的需要,根据LD驱动电路的工作原理,建立LD驱动电路的一般模型,并进行了仿真分析。采用电子多频振荡器来提供驱动信号,用双MOS驱动器来驱动半导体激光器,通过大量的实验、仿真、分析、比较,设计出了方便可调的大功率LD的驱动电路。结果表明,该驱动电路完全能满足激光近炸引信对脉宽、频率和功率的需要。     

半导体功能器件、微波半导体器件

Y98-61429-121 9907354大功率微波器件1(含5篇文章)=Oral Session 2:highpower microwaves Ⅰ[会,英]//1997 IEEE 11th Inter-national Pulsed Power Conference,Vol.1.—121～152(AG)本部分共有5篇文章。篇名为:由微秒平面状电子束驱动的毫米波超大功率发生器,大功率微波源中的脉冲缩短,由高功率微波引起的窗和腔的击穿,基于大电流重复脉冲加速器的 X 波带3GW 峰值微波功率的相对论性回波振荡器(RBWO),以及小型1MV10Hz 脉冲源。     

基于STM32的脉冲峰值功率测量核心设计

针对提高脉冲峰值功率的测量精度的目的,通过利用微波信号处理、信号峰值检波、信号采样和数据处理相关理论,以AD8318对数检波芯片和AD9238高速A/D芯片为核心,以STM32为计算显示平台,构成脉冲峰值功率测量的设计方案,并通过标准功率源进行了测试,试验证明该方案设计的脉冲峰值功率仪实现了对脉冲峰值功率的准确测量。