光孤子的光流线量子理论研究

运用光流线量子理论研究光纤中的光孤子问题,给出了非线性色散光纤中光孤子传输基本方程。     

孤子源啁啾对量子光孤子的影响

在线性近似条件下，量子化了非线性薛定谔方程，用后向传播法数值求解了孤子源啁啾对量子光孤子的影响，数值求解结果表明，孤子源正啁啾在初始一定距离范围内能减小压缩比。     

光孤子通信的研究现状及其未来展望

本文概述近期光弧子通信的突破性进展，这些突破性进展主要包括光孤子放大技术和光弧子的控制技术，本文还展望了光弧子通信的发展前景。     

光纤中光孤子的传输

本文对光孤子的形成条件,各种非线性效应,诸如光孤子之间的相互作用,光纤损耗和频率啁啾等效应进行了讨论,并介绍了光纤孤子通信试验系统和光孤子的应用前景。     

光孤子源进展

本文简述光孤子通信对光孤子源的要求，着重介绍半导体光孤子源及掺铒光纤光孤子源的工作原理、特点、关键技术及其进展。     

光孤子通信技术研究

光孤子通信巧妙的利用光纤非线性来抵消光纤色散效应，是下一代超高速长距离光纤通信的优选技术。本文系统介绍了光孤子通信技术的原理和光孤子通信的关键技术，特别研究了利用现有大量敷设的普通单模光纤进行高速通信的新技术－色散管理反子，并且总结了光孤子通信技术的研究现状和应用前景。     

光孤子通信理论与基础技术

光孤子通信理论与基础技术杨祥林于虹温扬敬毛庆和陈明华（东南大学２１００１８）主题词：光孤子源；光孤子放大；光孤子传输项目批准号：６９２３７０２１１．光孤子的传输控制理论，包括光孤子的传输演化、能量补偿、噪声控制及高速长距离光孤子通信系统的设计理论和方...     

光孤子研究的新进展

简要介绍了时间光孤子和空间光孤子的研究现状,侧重介绍了亮空间光孤子和暗空间光孤子的最新研究进展,最后分析了光孤子研究的未来发展方向。     

浅析光孤子通信技术

光孤子通信具有容量大、误码率低、抗干扰能力强、不用中继站等特点,被认为是最有发展前途的下一代通信技术之一。文章介绍了孤子的发现,光孤子通信系统工作原理,探析了光孤子通信中的若干关键技术,并对该技术的研究现状进行了总结,对应用前景进行了展望。     

非线性光孤子通信技术研究

非线性光孤子通信是一种全新的、大容量、超长距离通信技术，它是线性光纤通信技术的发展，是21世纪最有发展前景的通信方式。本文系统介绍非线性光孤子通信的基本原理、关键技术、研究现状和发展前景。     

Photo CVD system for silicon nitride film

An ultraviolet light excitation photo CVD system for silicon nitride film deposition, in which the use of mercury photo-sensitizer and the undesirable wall deposition onto the optical window inside are eliminated, has been developed. The elimination of the use of mercury sensitizer is achieved by employing direct photolysis of SiH₄/NH₃ gas mixture, using 185 nm light emitted from a low pressure mercury lamp. The wall deposition prevention is achieved by inserting an optically transparent “separator plate” with a number of through-holes on its plane area underneath the optical window and by draining inert gas into the reaction chamber through this “separator plate.” With this system, silicon nitride films have been deposited without marked degradation of deposition rate, keeping a reasonable deposition rate of about 40 A/minute. The inert gas used for wall deposition prevention has no influence on the properties of deposited films.     

GaN基发光二极管外量子效率研究进展

近年来,GaN基发光二极管发展迅猛,但其发光效率一直是制约LED在照明领域广泛应用的主要瓶颈。本文简要介绍了提高发光二极管外量子效率的几种途径：生长分布布喇格反射层（DBR）结构,表面粗化技术,异性芯片技术,采用光子晶体结构,倒装芯片技术,激光剥离技术,透明衬底技术等。     

被动双包层光纤中包层光产生实验研究

双包层光纤中的包层光不仅会影响到其输出激光的光束质量,还会对光学器件造成损坏。分析了被动双包层光纤中产生包层光的几种原因。通过在双包层光纤激光器的输出端引入产生包层光的不同要素,使用功率和光场分布检测等手段,实验研究了被动双包层光纤之间的熔接质量和模场失配以及无源光学器件的插入对于包层光产生的影响。实验结果表明,被动双包层光纤之间的低质量熔接和模场失配会导致纤芯基模与包层模式发生耦合,光纤合束器会激发高阶泄漏模式导致信号光泄漏到包层中,光纤隔离器会将部分信号光耦合到输出尾纤的包层中,从而导致包层光的产生。讨论了为抑制包层光的产生和减小包层光的影响应注意的事项和采取的措施。     

光偏振的矩阵与量子描述

讨论了光偏振态和偏振器件的矩阵表示和量子描述.将光子的水平偏振和竖直偏振作为一个两态系统,用光子的偏振状态描述量子计算中量子位的状态.在琼斯矩阵的基础上,给出了常用偏振器件的量子描述,相应的偏振光通过光学偏振器件时,也可用类似矩阵相乘的方法给出相应偏振器件和偏振状态的量子描述.

Abstract：

Matrix and quantum representation of polarized light and polarized elements are discussed. The horizontal polarization and vertical polarization of photon are regarded as quantum states of a tow-state system. On the basis of Jones matrix, the common polarized elements in quantum states are described. With the quantum express of polarized light and polarized elements, obtained are the polarized properties of the light via polarized elements by using matrix operation.     

量子密码的原理、应用和研究进展

基于量子物理原理的量子密码术已被证明是保密售密钥安全分配的有效手段。本文介绍了量子密切的基本原理,探讨了实现量子密码的3种方案,并研究了各自的密苴分配机制。还讨论了近年来的理论和实验研究进展,并指出现存在的问题以及今后研究重点。鉴于其应用前景,最后建议我国尽快开展量子密码的实验研究。     

只用两个量子态的星型量子密钥网络方案

要建立一个安全的保密通信通道,关键就是密钥管理。传统的密钥管理并不能完全解决安全问题,量子密码技术却可以从根本上解决这个问题。本文从实用的角度提出一个基于无源光学网络环境中建立量子密钥的实用方案,这个方法可以由一个网络控制者在一个星型网络上和多个网络用户分别建立、更新密钥。为节约量子探测设备,和通常用四个量子态的保密通信方案相比,这个方案只用了两个量子态。本文还分析了在网络的各个位置上存在窃听时网络的安全性能。     

光纤点光源的应用研究及其球面波的评价

采用光纤点光源的光学干涉实验与检测系统,需要的光学元件最少,具有最好的环境与机械稳定性,并以最简单的方法获得高精度的基准球面波,可最大限度地减少非平面检测的系统误差。为此,全面分析了影响光纤点光源品质的诸多因素,应用光纤光波传输的基本理论,提出了提高光纤点光源性能的简易方法,并采用数字全息的方法,对两个光纤点光源产生的球面波的干涉图进行计算分析,实现了对光纤点光源球面波的评价。结果表明,由光纤点光源所产生的球面波可以满足一般干涉检测对基准球面波精度的要求。     

量子光场中二能级原子跃迁几率研究

本文在理想近似下，用Wigner相空间处理单纵模激光腔内二能级原子在相干态及压缩态量子光场中的跃迁几率．     

发光层厚度对基于CdSSe/ZnS量子点LED性能的影响

采用粒径约为10 nm的CdSSe/ZnS量子点层作为发光层,制备了叠层结构的量子点发光器件,研究了量子点层厚度对其薄膜形貌及量子点发光二极管性能的影响.原子力显微镜测试结果表明:量子点层过厚时,量子点颗粒发生团聚,且随着厚度的降低,团聚现象减弱;当量子点层厚度和量子点粒径相当时(约为10 nm),量子点呈单层排列且团聚现象基本消失;而量子点层厚度低于10 nm时,薄膜出现孔洞缺陷.器件的电流-电压-亮度等测试结果表明:量子点发光二极管中量子点层厚度与器件的光电特性密切相关,量子点层厚度为10 nm的器件光电性能最优,具有最低的启亮电压4.2V,最高的亮度446 cd/m2及最高的电流效率0.2 cd/A.这种通过控制旋涂转速改变量子点层厚度的方法操作简单、重复性好,对QD-LED的研究具有一定应用价值.