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研制出的ＰＨＥＭＴ采用一种新的０．１μｍＴ型栅制备方法。将薄膜的纵向可控变为横向可控，应用这一原理，对时间等参量进行控制，获得了０．１～０．３μｍ微细金属栅条，此工艺应用于３ｍｍＰＨＥＭＴ器件研制，器件的直流跨导大于４００ｍＳ／ｍｍ，微波性能在４０ＧＨｚ时，Ｇａｍａｘ达５．６７ｄＢ，特征频率ｆＴ可外推至７４ＧＨｚ，最高振荡频率ｆｍａｘ可达１３０ＧＨｚ。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(2)
ＧａＮＭＥＳＦＥＴ宽带隙半导体已在高温电子学和大功率微波器件领域日益引起人们的重视。这主要是因为宽带隙材料产热率较低，击穿电场较高。ＧａＮ材料不仅具有这方面的特性，而且还可以制成异质结构的器件。据《Ｅｌｅｃ．Ｌｅｔｔ．》３０卷第１５期报道，Ｓ．Ｃ．Ｂ... 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。 相似文献
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《电子工业专用设备》1995,(4)
ＮＥＣ、日立在ＩＳＳＣＣ上发表１ＧＤＲＡＭ据ＩＳＳＣＣ’９５的发表内容，ＮＥＣ、日立已经在世界上率先开发了１ＧＤＲＡＭ。ＮＥＣ开发的１ＧＤＲＡＭ的特点是，采用０．２μｍ电子束曝光技术和钽氧化膜低温（５００℃）工艺技术以０．２５μｍＣＭＯＳ工艺，存贮单... 相似文献
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研制出的ＰＨＥＭＴ采用一种新的０．１μｍＴ型栅制备方法，将薄膜纵向可控变为横向可控，应用这一原理，对时间等参量进行控制，获得０．１～０．３μｍ微细金属栅条，此工艺应用于３ｍｍ器件研制，器件的直流跨导大于４００ｍＳ／ｍｍ，微波性能在４０ＧＨｚ时，Ｇｍａｘ达５．６７ｄＢ。特征频率ｆＴ可外推至７４ＧＨｚ，最高振荡频率ｆｍａｘ可达１３０ＧＨｚ。 相似文献
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《电子工业专用设备》1996,(2)
ＮＥＣ开发出了０．０７μｍ线宽的ＣＭＯＳ大规模集成电路ＮＥＣ开发成功了１６ＧＤＲＡＭ千兆位的动态存储器工艺需要０．０７μｍ的线宽，ＮＥＣ制成了在１．ＳＶ电压和低持续电流条件下延迟时间为１６．７ＰＳ的超高速动态存储器。该成果是在去；年６月召开的ＶＩＳＩ... 相似文献
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在ＧａＮ中注入Ｓｉ＾－和Ｍｇ＾＋／Ｐ＾＋之后，在约１１００℃下退火，分别形成ｎ区和ｐ区。每种元素的注入剂量为５×１０＾１４ｃｍ＾－２时，Ｓｉ的截流子激活率为９３％，Ｍｇ的是６２％。相反，在原ｎ型或ｐ型ＧａＮ中注入Ｎ＾＋，然后在约７５０℃下退火，能形成高阻区（＞５×１０＾９Ω／□）。控制这些注入隔离材料电阻率的深能态激活能在０．８－０．９ｅＶ范围内，这些工艺参数适用于各种不同的ＧａＮ基电子和光器件。 相似文献
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为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究，做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 相似文献
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本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术,用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅表面沟ＰＭＯＳＦＥＴ,它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的能力．对不同沟长ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳＦＥＴ的研究表明,当沟道长度从２．０μｍ降至０．５μｍ时,表面沟ＰＭＯＳ管阈值电压的变化（ΔＶＴ）约为６０ｍＶ,而ＮＭＯＳ管相应ΔＶＴ为１１０ｍＶ．计算机模拟的切割曝光和单线曝光立体图象也清楚地表明,切割曝光方法对于消除二次谐波影响,提高分辨率具有一定作用． 相似文献
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研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门． 相似文献
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报道了在当照下具有高跨导值的１μｍ栅Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ／ＧａＮ异质结构场效应晶体管，解释了光照下器件跨导和电流的增加是由于沟道中产生的俘获正电荷和导电子造成的。 相似文献
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Ka波段功率PHEMT的设计与研制 总被引：1，自引：1，他引：0
报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料,采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ;ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ;Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时,输出功率大于２８０ ｍ Ｗ,功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ,增益大于６ ｄＢ。 相似文献
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本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层ＴｉＮ／Ｔｉ复合层作为Ａｌ－Ｓｉ间的扩散势垒层，获得了良好的热稳定性．上述工艺技术已成功地应用于０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＥ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，其平均缴延迟为３１０Ｐｓ（０．２９ｍＷ／级），工作电压 相似文献