电荷泵PLL中PFD的设计

在电荷泵锁相环CP-PLL原理分析基础上,对其重要的组成模块鉴频鉴相器(PFD)进行了详细的理论分析和电路设计.在VCO的动态范围内,可实现任意频率误差下的快速频率跟踪,并最终实现零相位锁定.和一般的鉴相器比较,PFD工作在大的范围(-2π～ 2π),实现零相位误差.电路通过了基于上华0.5μmCMOS工艺的HSPICE模拟仿真验证,得到在5V电源电压和27MHz/s的参考频率下,PFD的增益Kpd为5/4πV/rad.     

宽范围快锁定CMOS电荷泵锁相环的设计

通过研究分析电荷泵锁相环的电路结构,给出了一种应用于超高速ADC的电荷泵锁相环的设计方法。该方法采用动态PFD（鉴频鉴相器）结构和CSA（Current Steer Amplifier）构架的压控振荡器（VCO）结构。在基于3．3V、0．35μm标准工艺在Cadence环境下的仿真结果表明,其VCO的输出频率范围为35MHz～1．3GHz,电荷泵锁相环的功耗为32．68mw,锁定时间仅为2．2μs。     

一种应用于锁相环的线性化电荷泵电路

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种线性化电荷泵电路,并对线性化电荷泵原理进行了分析.基于采样保持原理的充放电电路,配合特定时序逻辑电路,实现了较优的电荷泵线性化和锁相环鉴相杂散性能.该线性化电荷泵用于锁相环的闭环测试.结果表明,与非线性化电荷泵相比,闭环100 kHz频偏处相位噪声性能提升了 9...     

一种用于高速锁相环的新型CMOS电荷泵电路

提出了一种适用于高速锁相环电路的新型CMOS电荷泵电路。该电路利用正反馈电路提高电荷泵的转换速度，利用高摆幅镜像电流电路提高输出电压的摆动幅度，消除了电压跳变现象。电路设计和H-SPICE仿真基于BL 1．2μm工艺BSIM3、LEVEL=47的CMOS库，电源电压为2V，功耗为0．1mW。仿真结果表明，该电路可以很好地应用于高速锁相环电路。     

锁相环中高性能电荷泵的设计

设计了一种结构新颖的动态充放电电流匹配的电荷泵电路，该电路利用一种放电电流对充电电流的跟随技术，使充放电电流达到较好匹配，同时，在电荷泵中增加差分反相器，提高电荷泵的速度。采用Istsilicon 0．25μmCMOS工艺进行仿真，结果显示：输出电压在0．3—2．2V之间变化时，电荷泵的充放电电流处处相等。     

ECL结构的PFDCP设计

设计了一种基于ECL结构的PFDCP.PFD电路采用传统构架,通过增加延迟单元的方法克服死区问题,延迟单元由ECL的逻辑门构成.PFD可以工作在0.15 MHz到2 MHz的输入频率范围之间.同时设计了一个高精度低失配的电荷泵,可以提供四种不同大小的电流.PFDCP设计和仿真采用JAZZ 0.35 μm的BICMOS SBC35工艺模型,电源电压5 V.电路仿真结果表明PFD的死区小于30 ps,CP的失配电流小于0.4%.     

一种适用于NRZ数据的时钟数据恢复电路

提出了一种基于传统电荷泵锁相环结构的时钟数据恢复电路.采用一种适用于NRZ数据的新型鉴频鉴相器电路,以克服传统鉴频鉴相器在恢复NRZ信号时出现错误脉冲的问题,从而准确地恢复出NRZ数据.同时,对其他电路也采用优化的结构,以提高时钟数据恢复电路的性能.设计的电路可在1.1 V超低电压下工作,适合RF ID等需要低电压、低功耗的系统使用.     

高性能CMOS鉴频鉴相器和电荷泵的设计

在最近几代通信系统设计中,锁相环已经成为实现频率合成器的标准方法.采用TSMC0.18μm CMOS工艺,设计了一款应用在芯片级铷原子钟3.4 GHz激励源中的鉴频鉴相器和电荷泵电路.鉴频鉴相器由两个边沿触发、带复位的D触发器和一个与门组成.为了消除死区,在复位支路又加入了延时单位.电荷泵采用电流镜结构设计,有效地抑制...     

一种高性能鉴频鉴相器的设计

分析了电荷泵型锁相环中鉴相器和电荷泵的非理想因素及优化设计方法。基于台积电公司(TSMC)0.35μm 2层多晶硅4层金属(2P4M)CMOS工艺,设计了一种低杂散的鉴频鉴相器结构,该结构通过"自举"的方法,用单位增益放大器使充放电前后开关管各节点处的电压保持不变,从而消除了电荷共享的影响,减小了鉴相器的输出杂散。仿真结果表明相比于传统鉴相器结构,该鉴频鉴相器有效抑制了电荷共享问题,电荷泵开关管开启时的充放电电流尖峰大大减小了,鉴相前后的电压波动小于200μV,脉冲尖峰仅为3.07 mV,有效降低了鉴频鉴相器的输出杂散。     

显示控制CMOS锁相环频率合成器设计

从工程的角度出发,设计了一个应用于显示控制芯片的新颖实用的CMOS锁相环频率合成器.详细论述了系统设计的关键问题,研究了电荷泵充放电电流匹配、精度和输出电压等工程设计问题,并对环路滤波器的计算和仿真以及压控振荡器的噪声性能进行了研究.采用1st Si 0.25μm的CMOS混合信号工艺对整个电路系统进行了带版图寄生的后仿真,仿真结果表明锁相环频率合成器设计的正确性.     

一种高速CMOS电荷泵锁相环设计

文章描述了一种高速CMOS电荷泵锁相环设计与仿真。电路设计基于TSMC 2．5V 0．25μm CMOS工艺。用Cadence Artist Analog对电路仿真的结果显示,用它可以实现快速锁定和较低的功耗。     

基于共模电平偏移电路新型CMOS低电压满幅度运放设计

针对电源电压为1V甚至更低的应用环境,给出了一种基于共模电平偏移电路的新型rail-to-rail运放结构,相对以往同类电路具有很好的对称性和较高的输入阻抗,并对之进行了详细的讨论.在整个共模输入电压范围内,其单位增益带宽随共模电压变化仅为0.05%.     

新型高速高精度CMOS预充电比较器

采用预充电技术和合理的反馈结构设计了一种比较器,与一般的比较器相比,该电路具有更快的响应速度,更高的精度和灵敏度,较小的失调电压和较低的功耗.该比较器采用典型的TSMC 0.6μm硅CMOS工艺模型,利用Cadence进行模拟仿真.结果表明,比较器的延时为0.069μs,精度为20 mV,在5 V电源电压下,功耗为0.776 5 W.     

基于CMOS阈值电压的基准电路设计

在数/模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一.针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点,提出一种新的设计方案,电路中不使用双极晶体管,利用PMOS和NMOS的阚值电压产生两个独立于电源电压和晶体管迁移率的负温度系数电压,通过将其相减抵消温度系数,从而得到任意大小的零温度系数基准电压值.该设计方案基于某公司0.5 μm CMOS工艺设计,经HSpice仿真验证表明,各项指标均已达到设计要求.     

一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~＋120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。     

一种基于0.25μm CMOS工艺的锁相环电路设计

锁相环在很多领域都得到了广泛应用。本文给出了一款全芯片集成锁相环电路设计,其工作输出频率范围在50M到150M之间,抖动在150ps以内,工作电压为2.5伏,该芯片采用了0.25μmCMOS工艺。本文主要阐述全芯片集成锁相环的设计方法,以及对各个参数的折衷设计考虑,最后给出了一些仿真结果和电路物理版图。     

新型CMOS JK触发器

该文以双反相器闩锁电路为基本存贮单元,采用开关级设计方法设计出一种新型的CMOS JK触发器。与传统设计相比,新设计具有较简单的结构、较少的元件以及较快的工作速度。     

电流注入CMOS混频器的设计及特性分析

分析并比较了两种基于电流注入技术的混频器的性能;定量地解释了跨导互补的电流注入混频器线性降低的原因。分析表明,相对于双平衡Gilbert混频器,两种基于Gilbert单元的电流注入混频器的性能,如增益、噪声和线性,都有所改善;传统电流注入混频器具有更好的线性特性,而跨导互补的电流注入混频器在增益和噪声方面则有更好的表现。基于TSMC 0.18μm CMOS混频器的仿真结果,对理论分析进行了验证。     

一种用于数字集成系统的新型CMOS三态缓冲器的设计

三态逻辑电路已被广泛应用于VLSI数字集成系统中.现在也有很多种实现三态逻辑的方法,但它们要么输出驱动能力不足够强要么占有较大的器件面积.在研究传统三态缓冲器的基础上设计了一种新型的三态缓冲器,据我们所知,这是使用晶体管数目最少的一种三态缓冲器结构.通过SPICE仿真实验表明,所设计的三态缓冲器与传统三态缓冲器相比具有更优的面积-延时积特性和更低的静态功耗.     

一种高性能CMOS带隙电路的设计

文章提出一种CMOS带隙参考源（BGR）电路设计，它可以在很宽的电压范围内有效的工作，能够在12．8V，10V范围内实现稳定工作，抗干扰能力强，结构相对简单，由CMOS运放，二极管以及电阻组成，用常规的0．6um CMOS工艺制作，在模拟环境下仿真结果表明其最小工作电压为2．75V，完全能够满足锁相环设计的要求。