半导体二极管

衰U部分变容二极管主要技术今数衰12 ZDH系列恒流二极管主要技术参数(续)型号恒定电流 (n达)起始电压 (V)动态阻抗 (Mn)击穿电压 (V)ZDU吟AZD川70BZDHSCZD卜巧印CZD卜晒D2DH’7A2】)l」SAZDE口BZDH10CZDHllAZDH12BZDH13DZDH14AZDH15CZDH16DZDH17AZDH18BZDH19CZDH20DZDE夕1人ZDE口ZBZDH口3CZD比拼DZDH乃AZD卜反6BZDfl27CZDU口SDZDF夕gA2DI仁旧AZDH刃BZDH刃C2砚毛心D 4士0 .54 .7士0.5 5士0 .55 .6土06 6士0 .5 7士0 .5 8土0 .5 9士0 .510土0 .511土0 .512士0 .513士0 .514土0 .515士0 .5 …     

可调小功率直流高压电源

图1为一款小功率直流高压可调电源的原理图。能输出0～220V左右的直流电压,用于需高电压小电流,如:晶体管击穿电压、二极管反向击穿电压、电容击穿电压等的测量。图中,B1、B2为原边中带有110V抽头的2～5VA的工频变压器,各利用其110V线圈串联后接入市电220V,从其两端可得到大于440V(变压器的付边也串入电路,但应使原、付边的异名端相接,使电压变高)的交流电压。D1～D4为1N4007二极管,C1～C6为2.2μF/630V的涤纶电容,均压电阻R1～R6可用5.1MΩ电阻,R7～R9为1MΩ/1W电阻,R10为10MΩ/1W电阻,W为1MΩ电位器,Q为Vceo≥1000V、β≥30…     

2007年最新发布的电力行业标准目录

序号标准编号标准名称被代替标准号采标情况建议实施日期1DL/T404-20073控.6制kV设～4备0.5kV交流金属封闭开关设备和DL/T404-19972IE0C0:2060232,M71O D-2008-06-012DL/T506-2007六方法氟化硫电气设备中绝缘气体湿度测量DL/T506-19922008-06-013DL/T559-20072定20规kV程～750kV电网继电保护装置运行整DL/T559-19942008-06-014DL/T584-20073规kV程～110kV电网继电保护装置运行整定DL/T584-19952008-06-015DL/T587-2007微机继电保护装置运行管理规程DL/T587-19962008-06-016DL/T614-2007多功能电能表DL/T614-19972008-06…     

2007年11月吸尘器热销型号价格情况统计

金额单位:元本月排名上月排名品牌型号机型本月平均价格价格指数(比市场平均价格)上月平均价格1 2 3 4 5 6 7 8 g {0 1 4 2飞3 8 5 3 7 14 9 PH}L}PS M}OEA PH}L}PS HA}ER M}DEA PH}L}PS HA}ER PH}LI户S HA}ER SANYO FC82OZ 0四)ZT一0巨F FC8254 ZW1200一112 QW14T一06C FC8264     

国外动态

隐极电动机美国 CCL( Chiaphua Component Limited)公司首次推出 4极 SD系列隐极电动机。SD系列电机寿命长、噪音小、振动小 ,电机直径为 82 mm,长度在68.2 mm～ 1 31 .2 mm之间 ;重量从 790 g～ 2 2 0 0 g,适于在 - 5°C～ + 4 0°C的条件下运行。在直流 5 0 0 V下电机绝缘电阻为 1 MΩ。60 HZ 时电机转速为 1 60 0 r/min,5 0 HZ 时为1 30 0 r/min,消耗功率在 2 .5 W～ 75 W之间。电机可用于水泵、排气扇、烘箱、风扇等。(摘自《Appliance》2 0 0 3/1 2 )家用工业用单相电动机日本北芝电机公司集 5 0余年生产销售单相电机的经验 ,…     

变频器的电气制动

变频器的电气制动方法有三种:能耗制动、直流制动和回馈(再生)制动,其性能及特点如表1所示。图1　典型控制变频调整系统原理框图二极管模块制动电路IGBT模块M～驱动、保护电路87C196MC单片机系统显示操作键故障信号检测～ C1C2VzTRB制动性质电阻功率W/kW一般负荷电动机×10%频     

三星DVC—650/DVC—65 0S影碟机电源电路有理图

pJKlMIC IN PJK2PR43～～～470;吾M工C 工Np自46^胁470誉:≈曼邕:№-.}PC己^220116_.I_屯18挚嚏瓣2 2KIt/4Wp010L■1P04C233 PCI6^d70/25V兽圮譬≥裴E10A5 1V j l ;篚幸蘸 而l 吊 嚣PC】】C2 2/50PCIi02 P/50,息j,,鼎茏。PICll 1/2 455BSPC34BiIii 103=Pc己518P p目柏口'Ⅻgi上”g甲 JIW,蠹奄,臀p目5cl 2KpC218pP％PCP7 PA55O 0∥50v..M65844pr一\J—j)LPFI vCC0 JLpF0 Cu—<3)0paJT矩Fd JOPIN∞215ICCl∞206 JCC2 LPFlC7 JGND LPF2C:/f。 0 22/50V。”。 l PTcP{'12 J衬pⅫp:C2(2J¨蓖～霉筹丽…     

卫星接收机多发故障的分析与快修3例

例1故障现象:一台亚视达VEN-2688B型卫星接收机,遭雷击后,声、像皆无。分析与检修:根据以往的检修经验,此机遭雷击或高压浸入时,沿F2、TR1、C2、D9、U1等器件电路,瞬间将开关电源各种机件击毁烧焦。检查目视被击毁的器件变深黄色有焦煳味。应急修理时,TRl可用2.2~6.8Ω/5 W的功率电阻代换;D9(1N5822)为肖特基二极管,应急修理可用快恢复二极管代替;C2可用22~68μF/400 V电容代换。U1(DH321)的同类芯片有DL0165R、DM0265R,它     

半导体二极管

(续)表”部分变容二极管主要技术参数(续)型号击穿电压/V结电容/pF结电容变化比 孰犯C 301A CC842 CC841从旧乡抖2WB夕树3WB5452从旧另12WB5422WB524CWB523CZBI IAIWB55562020l5l56666666206 8()~1 10 1oo 80 1500 .08~0.160 .08、0.160 .08~0.160.佣、0 .250 .08、025 0 .1~0.30 .31一0.5 0 .4、0.80 .08~0.25 5 8 80 .170 190 .170 .190 170 .40 .4 4O25型号击穿电压 /V阶跃时间 /s结电容 /nF正向微分电阻爪2口IA2J5CZJSA认飞431磷、432BTSFB15E503025708030308(X)l〕 ln1 .sn砧OP650P7仪知7(X知5 .51 .51 .56 .5650 …     

基于LabVIEW的UHF RFID射频识别系统的设计

针对目前市场流行的超高频RFID识别系统成本高、制作方法复杂等问题,提出了一种基于射频读写专用芯片MagicRF M100的兼容国际标准ISO/IEC 18000-6C和EPC Class-1 Generation-2协议的UHF RFID读写器的设计方案,详细阐述了读写器的工作原理,并相应地介绍了系统软硬件设计中比较...     

师傅带徒弟——跟我学彩电加装遥控器技术(10)

(2)日立NP82C机芯彩电加装“三森 CPU板”特殊接口的方法。徒弟:在日立NP82C机芯彩电中,如何加装“三森P3301C型 CPU板 XS_(05)接口? 师傅:XS_(05)的①芯(行脉冲)取自彩电主板上行消隐脉冲,并接于二极管D_(782)的正极;XS_(05)的②芯(场脉冲)取自主板上场消隐脉冲,并接于二极管D_(601)正极。在三森CPU板上、短接电容C_(103);XS_(05)的③芯(同步脉冲)取主板同步分离输出,接IC_(701)(LA7801)的⒀脚,拆除CPU板上的C_(71)电容,焊开封口F_2～F_3,短接F_1～F_2封口。     

松下Ml9机芯保护电路原理与维修(上)

松下M19机芯是松下公司继M18机芯之后开发的数码倍频机芯,部分机型具有画中画功能。I2C总线系统主控电路微处理器采用MNl876476TDX或MNl876476-T8J,存储器型号为24LCl6BIPA22或TVRJl82,被控集成电路有:视频/解码/扫描信号处理集成电路TBl2-37N,AV/TV切换集成电路SNl03832APG,几何失真校正电路YA8859AP,数字Y/C分离电路MN82361和画中画处理集成电路CXAl315M,VCJ处理集成电路     

增量式编码器

美国俄亥俄州的 Stagmann公司新近开发了 50 .8mm C1 2 0系列增量式编码器 ,是公司最近研制的核心技术新产品。C1 2 0的增量式计数范围为 1～ 81 92脉冲 /r。既使对罕见的高分辨率 ,也无额外的超前时间或极其贵重的加法器 ,电气带宽为 82 0 k Hz。产生 90～ 1 80标识脉冲 ,允许收到增量式反馈速度达到 1 0 0 0 0 r/min,同时保持标识的宽度和同步。用一组按键能迅速实现电气位置对机械编码器位置的校准增量式编码器@邓隐北     

基于FPGA的UHF RFID阅读器基带处理电路设计

本文介绍一种基于FPGA的UHF RFID阅读器基带处理电路的设计.该基带处理电路兼容EPC Class-1 Generation-2UHF RFID协议,内嵌了Nios Ⅱ软核嵌入式处理器.基带处理中的大部分操作,如CRC校验、PIE编码、ASK/PSK解调、FW0/Miller解码等由硬件实现,处理速度较快:而内嵌的处理器使得本设计对协议的支持更加灵活.本设计在Stratix IS25F780C5 FPGA平台上实现,能快速准确地完成RFID基带处理任务.     

多离子共掺杂对三元正极材料性能的影响

三元正极材料有望成为新能源汽车动力电池首选材料,为改善三元材料性能,采用氢氧化物共沉淀-固相合成工艺制备出一系列正极材料Li [(Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3))_(1-x-y-z)M1_xM2_yM3_z]O_2(0≤x≤0.05、0≤y≤0.05、0≤z≤0.05;M1=Al、M2=Mg、M3=Cu)并与市售三元材料进行对比。XRD、SEM以及电化学测试结果表明:制得的材料均为α-NaFe0_2层状结构,其中三元材料LiNi_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2为类球状形貌,比市售三元颗粒细小,在1 C、2.7～4.3 V下循环50周,保持率为91.56%,在0.1 C、2.7～4.3 V下循环100周,保持率高达92.46%,和商用材料相比,容量值和循环性能相当,倍率性能不佳。此外,本研究还分析了两种及三种掺杂元素同时存在对正极材料的影响:掺杂后材料粒度变小,当掺杂含量为0.05时,高含量的掺杂离子损害了电池性能;当掺杂含量为0.01时,材料Li[(Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3))_(0.97)Al_(0.01)Mg_(0.01)Cu_(0.01)]O_2的倍率性能明显提高,2 C和5 C倍率下的放电比容量分别为112和98.6 mAh/g。     

采用R、D、C触发的晶闸管直流调压电路

采用电阻、二极管、电容作触发电路元件的晶闸管调压电路,其线路简单、需用元件少、稳定性好、可靠性高。下面作一介绍。一、单相半波整流调压电路R、D、C触发电路见图1。在交流电的负半周(A点电位低于0点电位),ωt=0～π/2期间,电源通过负载和二极管D_1向电容充电,电容电压u_σ与此期间的U_(△o)相同,见图1 c)的曲线1。为了防止高的反     

索尼BG—1S机芯彩电I~2C总线维修模式的设定与调整

适用机型:索尼KV—2168MT/2169MNT/J21M/G25M1/T25L1/J29M等。下面以索尼KV—G25M1机为例,介绍一下I~2C总线控制过程:微处理器IC001(CXP85116B—621S)(53)、(55)脚经过串行数据SDA1、串行时钟SCL1线,和IC003(CAT24C04P)⑤、⑥脚进行双向通信。IC001(54)、(56)脚通过串行数据SDA0、串行时钟SCL0线与IC300(TDA8366N31)⑧、⑦脚。IC01(P83C654)(16)、(17)脚通过串行数据SDA、串行时钟SCL线与IC02(SAA5281ZP)     

长虹C2919P型大屏幕彩电的电路解析与检修(1)

十、解码电路(ZB板) 解码电路采用TA8783N,这是一块I~2C总线控制下的PAL/NTSC/SEAM多制式宽度、色度、偏转信号处理电路。开机后,NQ_(501)(TA8783N)初始为4.43MHz工作状态,(15)脚输出低电平,使带通滤波器的选择开关管VQN_(06)截止,集电极c为高电平,开关二极管VQN_(02)导通,带通滤波器CN_(15)、CN_(05)、CN_(04)、LN_(02)、     

TCL王牌彩电机型、机芯一览表

机芯Tv集成块型号电源膜块CPl5微处理器遥控发射块东芝饥。签2101C、2103C,2136A、2136C、2169A、2169C、2101F、211lF、21 36F2I 39A、2909A、2966～/B、2969B、2976A、2969C、2966GfI)、250IAC/’F、2510C,251lC、253612/Ⅵ’、2568C、2503C、2536F、2533F290lA/12/F、2966F、2502、2909B、2952B、2913A、2907TB 1238^NTBl240/TBl23lA、TDA 16846/TDA4605TCLM5C02rt;9028F一022TCLM06、D—T/T12.LM06Y6SAA30102528Z、I、2938ZNIDT、’29122966、2966N、3409、3409NI、3438、3438PB、3438、ITA.8759B、…     

Ag改性氟化石墨材料及电化学性能

采用化学还原法对氟化石墨材料(CFx)进行金属(Ag)掺杂改性。采用XRD、SEM、能量散射谱、电化学阻抗谱及恒流放电测试,分析CFx/Ag复合材料的电化学性能。与纯CFx相比,制备的CFx/Ag复合材料的放电比容量较高。以0. 1 C放电至1. 50 V,最高达790 m Ah/g,且没有电压滞后现象,中值电压高达2. 62 V;0. 5 C、1. 0 C放电时,低波电压分别提高0. 82V、0. 83 V。