2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准１４脚蝶型管壳对集成器件进行了封装．封装后的发射模块阈值电流约为２０～３０ｍＡ,边模抑制比大于４０ｄＢ,耦合输出光功率大于２ｍＷ,在３Ｖ的反向调制电压下消光比约为１７ｄＢ．我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输实验．经过２４０ｋｍ普通单模光纤传输后,在误码率为１０－１０的情况下功率代价小于０．５ｄＢ．     

1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件

本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．     

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

Ka波段功率PHEMT的设计与研制

报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料,采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ;ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ;Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时,输出功率大于２８０ ｍ Ｗ,功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ,增益大于６ ｄＢ。     

GaAs1×2Mach－Zehnder 波导开关／调制器

文报道了ＧａＡｓ１×２ＭＺ波导开关／调制器的研究结果，并分析了该器件的工作原理．这种器件利用Ｙ分支作为３ｄＢ耦合器，非对称Ｘ结作为干涉器．在波长１．１５μｍ下测试，得到了串音比小于－１６ｄＢ和开关电压１９Ｖ的开关特性．预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ１×。开关列阵及高速光调制等方面．     

GaAs1×2Mach－Zehnder波导开关／调制器

文报道了ＧａＡｓ１×２ＭＺ波导开关／调制器的研究结果，并分析了该器件的工作原理．这种器件利用Ｙ分支作为３ｄＢ耦合器，非对称Ｘ结作为干涉器．在波长１．１５μｍ下测试，得到了串音比小于－１６ｄＢ和开关电压１９Ｖ的开关特性．预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ１×。开关列阵及高速光调制等方面．     

在1．8GHz频率下功率密度为2．8W／mm的4H－SiCMESFET

本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间；当频率为５ＧＨｚ时，该器件的增益为９．３ｄＢ，ｆｍａｘ＝１２．９ＧＨｚ。当Ｖｄｓ＝５４Ｖ时，功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ，功率附加效率为１２．７％。     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

Eu3+配合物红色有机电致发光器件

合成了一种新型的Ｅｕ＾３＋配合物－Ｅｕ（ＢＡ）２（ＭＡＡ）（Ｐｈｅｎ）,并将其作为红光发射材料制备了结构为Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｅｕ（ＢＡ）２（ＭＡＡ）（Ｐｈｅｎ）／Ａ１ｒ的有机电致发光薄膜器件。这种材料具有很强的荧光和很好的单色性且比较强的电致发光。器件的开戾电压为１２Ｖ。在电压为２６Ｖ的正向驱动下,器件的亮度为１５ｃｄ／ｍ＾２,发光效率为０．２５１ｍ／Ｗ。结合测量粉末、薄膜状态下的荧光光谱、激发     

宽带GaAs MMIC放大器

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ研制的ＭＡＡＭ２８０００-Ａ１型宽带ＭＭＩＣ放大器的工作频率为２～８ＧＨｚ,它采用２级放大,单电源１０Ｖ供电,具有较好的增益平坦度,输入输出阻抗均为５０Ω,增益为１７ｄＢ,增益平坦度为±０．５ｄＢ,在２～４ＧＨｚ、４～６ＧＨｚ和６～８ＧＨｚ时的最大噪声分别为８．０ｄＢ、６．５ｄＢ和６．０ｄＢ,输入和输出驻波比分别为１．６和１．５,输入ＩＰ３为+７ｄＢｍ,输出１ｄＢ压缩为+１．４ｄＢｍ,反向隔离为３５ｄＢ,最大偏压电流为１００ｍＡ。该器件采用廉价的小型８脚陶瓷封装,不需要任何外部元件,可用于卫星通…     

InP系波导和光电探测器单片集成

本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．     

梁式引线GaAs混频二极管对

文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底,选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒,ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强,可靠性好。其伏安特性ｎ因子小于１．１,结电容２Ｃｊ＝０．１～０．２ｐＦ,正向微分电阻为３～６Ω,分布电容较小,结电容差为ΔＣｊ≤０．０２５ｐＦ,正向电压差为ΔＶＦ≤２５ｍＶ。将该器件应用于１８～４０ＧＨｚ宽带分谐波混频器中,中频带宽为４～８ＧＨｚ,混频器的变频损耗低于２０ｄＢ,本振功率为１３ｄＢｍ。     

双频/双模pHEMT GaAs集成功率放大器

Ｍｏ ｔ ｏ ｒ ｏｌ ａ公司的 Ｍ Ｒ ＦＩＣ１８ ５ ６是为３．６Ｖ蜂窝电话（８００ＭＨｚ）和ＰＣＳ（１９００ＭＨｚ）频段的双频用户设备应用设计的。此器件在一个封装内包含两个ｐＨＥＭＴ ＧａＡｓ放大器链路（见图１）,其优点是：极大的灵活性和极高的性能且缩小印制板占据空间。该器件的应用包括：ＴＤＭＡ／ＡＭＰＳ和 ＰＣＳ ＴＤＭＡ蜂窝电话的双频／双模手机。 该集成功率放大器的主要性能为： 工作频率范围：８２４－８４９ＭＨｚ ＴＤＭＡ／ＡＭＰＳ, １８５０－１９１０ＭＨｚ ＰＣＳ ＴＤＭＡ ３．６Ｖ工作 ３０ｄＢｍ输…     

AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果

借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

GaAlAs／GaAs多量子阶增益耦合型DFB激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件

我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源．为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构．本文从理论上分析了该新型器件的可行性，优化设计了器件结构．在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件．器件阈值电流为３５ｍＡ，在—５Ｖ调制电压下消光比达５ｄＢ．静态调制过程中，激射波长与阈值没有变化．     

InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器

用国产ＭＢＥ设备生长出与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多量子阱材料，并对材料的量子限制Ｓｔａｒｋ效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究．用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在２．４Ｖ驱动电压下实现了２０ｄＢ以上消光比，光３ｄＢ带宽达３ＧＨｚ     

2英寸GaAs快速热退火技术研究

为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

高速光通信用的光电子器件的进展

人类社会的信息化建设正在加速进行,即使是在全球经济发展不景气的情况下,通信和信息行业也十分红火。光通信呈现着蓬勃发展的新局面,正朝着高速、超高速光纤传输、超大容量的ＷＤＭ、ＯＴＤＭ以及全光网等方向发展。但这些系统的实现还依赖于相应的光电子技术的进步。一系列的光电子器件将在未来的通信网中起着重要的作用,因而各国从事光电子器件的研究者都在奋力开发各种高性能器件,研究其材料及工艺,并取得了丰硕成果。１．ＤＦＢ激光器／ＥＡ调制器集成光源ＤＦＢ激光器／ＥＡ调制器集成光源具有低啁啾、低驱动电压（Ｖｐｐ：２～３ｖ,ＬｉＮｂＯ３调制器的Ｖｐｐ：４～５ｖ）、低功耗、容易与激光器或其它波导器件集成、耦合损耗低、调制效率高、且体积小（一般长０．２ｃｍ左右,而ＬｉＮｂＯ３调制器长８ｃｍ）等优点,特别是含有增益耦合的ＤＦＢ激光器因为具有动态单模和调制啁啾小等特性,有助于减小集成器件线宽,而且它还具有较强的抗端面反射能力,从而减小因端面反射引起的啁啾,改善集成器件的啁啾特性等。该光源现已广泛用于２．５Ｇｂｉｔ／ｓ、１０Ｇｂｉｔ／ｓ等高速传输系统,其中２.５Ｇｂｉｔ／ｓＤＦＢ激光器／ＥＡ调制器集成器件已成为干线光纤通信系统的主要光源。１０...     

8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器

报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。