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赵近 《电子产品可靠性与环境试验》1995,(1):14-20,6
本文简要地回顾了CMOS电路芯片上ESD保护电路设计技术发展概况,给出了在中小规模、大规模及超大规模各阶段的CMOS电路芯片上ESD保护电路的主流技术,双寄生的SCR结构VLSI CMOS芯片上ESD保护电路的最新设计技术,就其ESD保护原理、设计技术及取得的成果做了较详细分析和探讨。对于研制高密度、高速度的VLSI CMOS电路。开展高ESD失效阈值电压,小几何尺寸及低RC延迟时间常数保护电路的 相似文献
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深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法 总被引:1,自引:0,他引:1
详述了目前用于亚微米CMOSIC的静电放电保护方法,比较了它们各自的特点,并详细阐述了栅耦合PMOS触发/NMOS触发横向可控硅ESD保护电路的工作原理。 相似文献
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黄璇 《电子元器件与信息技术》2022,(12):56-59
随着射频电路工作频率不断升高,ESD已经成为影响电路可靠性和射频电路性能的重要因素。针对高速射频电路,设计了高速I/O口ESD防护电路和电源到地的箝位电路,并采用斜边叉指型二极管进行版图和性能优化。采用Jazz 0.18μm SiGe BiCMOS工艺对ESD防护电路进行设计和流片。经过测试得出,ESD保护电压最高可达到3000V。更改二极管叉指数取得更高的ESD防护级别,改进后保护电压最高可达到4500V。文中阐述了ESD防护架构的基本原则,并给出了一种采用CMOS工艺设计应用于IC卡晶片上的防护工作电路。探讨了几个关键设计参数及其对ESD保护电路特性的影响,并做出了物理上的说明。 相似文献
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亚微米CMOS集成电路的ESD保护新结构 总被引:1,自引:1,他引:0
本文主要介绍几种新型的ESD保护结构,包括互补SCR结构,双寄生SCR结构,低触发电压,高触发电流的横向SCR结构等,利用这些结构可以对CMOS集电路的输入/输出进行有效地ESD保护。 相似文献
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CMOS VLSI ESD保护电路设计技术 总被引:4,自引:0,他引:4
本文对CMOSVLSI芯片ESD失效现象及其ESD事件发生机理进行了分析,介绍了CMOSVLSIESD保护电路设计技术。使用具有大电流放电性能的MOS器件构成的ESD电路,以及采用周密的版图布局布线技术,可实现良好的ESD保护性能。 相似文献
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一种新型互补电容耦合ESD保护电路 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种改进型的基于亚微米工艺中ESD保护电路,它由互补式电容实现,结构与工艺简单。电路采用0.6μm1P2MCMOS工艺进行了验证,结果表明,ESD失效电压特性有较明显改善,可达3000V以上。 相似文献
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ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题.光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、聚焦离子束FIB等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及其机理.通过对两个击穿失效的CMOS功率ICESD保护电路实际案例的分析和研究,提出了改进ESD保护电路版图设计的途径. 相似文献
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CMOS集成电路的ESD设计技术 总被引:4,自引:0,他引:4
于宗光 《电子产品可靠性与环境试验》2001,(2):16-21
首先论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性 ,接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术 ,包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等。采用适当的ESD保护技术 ,0 8μmCMOS集成电路的ESD能力可以达到 30 0 0V。 相似文献