硫化锌基底上减反膜的镀制

硫化锌是红外波段重要的光学材料,在许多光电系统应用中,要求镀制适当的减反膜增加其透过率.介绍了硫化锌基底上的减反膜,该设计是用薄的氧化钇层作为与硫化锌的结合层,用一氧化硅和锗分别作为低、高折射率膜料的膜堆组成的.这种五层膜满足环境稳定性标准,在3μm～5μm波段的某应用范围内平均透过率即可达96%,并在4.2μm处有超过98%的峰值透过率.     

硫化锌基底上减反膜的镀制

硫化锌是红外波段重要的光学材料,在许多光电系统应用中,要求镀制适当的减反膜增加其透过率.介绍了硫化锌基底上的减反膜,该设计是用薄的氧化钇层作为与硫化锌的结合层,用一氧化硅和锗分别作为低、高折射率膜料的膜堆组成的.这种五层膜满足环境稳定性标准,在3μm～5μm波段的某应用范围内平均透过率即可达96%,并在4.2μm处有超过98%的峰值透过率.     

硫化锌基底上减反膜的镀制

硫化锌是红外波段重要的光学材料 ,在许多光电系统应用中 ,要求镀制适当的减反膜增加其透过率。介绍了硫化锌基底上的减反膜 ,该设计是用薄的氧化钇层作为与硫化锌的结合层 ,用一氧化硅和锗分别作为低、高折射率膜料的膜堆组成的。这种五层膜满足环境稳定性标准 ,在 3μm～ 5 μm波段的某应用范围内平均透过率即可达 96% ,并在 4.2 μm处有超过 98%的峰值透过率。     

类金刚石表面改性C/C复合材料的摩擦磨损性能

采用等离子体增强化学气相沉积法在C/C复合材料基底表面制备了不同厚度的类金刚石（DLC）表面改性膜;用球-盘对磨的方式测试了C/C复合材料基底和DLC膜在干态下的摩擦磨损性能。结果表明:制备的表面改性膜具有典型的DLC结构特征,均匀致密;随着沉积时间的延长,DLC膜厚度逐渐增大,膜基结合强度依次减小;C/C复合材料基底的平均摩擦因数为0.285 8,磨损率约为1.6×10^-4mm³·N^-1·m^-1,表面改性膜的摩擦因数较基底有较大程度的降低,在0.08～0.27之间,磨损率也降低了1～2个数量级,且沉积时间越长其摩擦因数越小、磨损率越低。     

极紫外多层膜基底表面粗糙度综合表征技术

研究用不同清洗方法对硅基底表面粗糙度的影响,首先使用原子力显微镜(AFM)直接测量硅片表面粗糙度;然后,利用直流磁控溅射方法,在相同制备工艺条件下镀制M o/S i多层膜,使用X射线衍射仪(XRD)对多层膜二级衍射峰进行摇摆曲线扫描;最后,利用同步辐射测量多层膜的反射率,间接表征基底的粗糙度。结果表明,超声清洗后镀制的多层膜反射率最高,结论与AFM,XRD等表征方法一致。     

沉积温度对磁控溅射Ti/TiN多层膜光学和电学性能的影响

采用直流反应磁控溅射法于不同温度下在Si(111)基底上制备了Ti/TiN多层膜,采用X射线衍射仪和原子力显微镜对膜的物相和表面形貌进行了分析,研究了沉积温度对膜结构及其光学、电学性能的影响。结果表明:不同沉积温度下制备的Ti/TiN多层膜均由钛和TiN相组成,多层膜与单层TiN膜一样,其表面粗糙度随沉积温度的升高而减小,电阻率随沉积温度的升高显著降低;其表面形貌则比单层膜更加致密和均匀;多层膜红外反射率与其电阻率有关,当电阻率减小时,红外反射率增大。     

沉积方式对ZnS薄膜表面缺陷影响研究

介绍了ZnS薄膜缺陷的分类、特点及成因,在此基础上,采用电子显微镜与原子力显微镜对不同沉积方式沉积的薄膜进行了观察、分析与计算,检测了不同类型与大小的缺陷,对缺陷产生的原因进行了简要分析,分析了沉积方式这一参数对ZnS薄膜表面缺陷密度的影响,得出了镀制ZnS薄膜所需的合适沉积方式。实验结果表明：薄膜表面缺陷主要以节瘤缺陷与陷穴缺陷为主,电阻热蒸发比电子枪所镀制的ZnS薄膜缺陷密度要小,在蒸发舟上加上挡网后,缺陷密度有进一步减小的趋势,并且缺陷面积与数目也有所减小,缺陷面积小于20μm2。     

离子辅助制备碳化硅改性薄膜

介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果.对样品进行了表面散射及反射的测量.通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松.在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃.温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好.     

新产品新技术

据民主德国《精密仪器技术》1986年10月号报道,英国CVC科学产品公司最近采用了一种新镀膜工艺来镀制光学元件。该公司采用这种新工艺可在金属或非金属基底上镀制一层具有金刚石一样硬的碳素薄膜。这种在真空中喷镀的膜层不仅极硬,而且在红外区还可透光,它特别适用于改善那些曝露于侵蚀性工作条件下(例如,在含砂的空气中、水下以及有金属喷溅危险的工作条件下)的光学系     

脉冲磁过滤阴极弧技术制备类金刚石薄膜研究

介绍了弯曲电弧磁过滤设备,并利用脉冲磁过滤阴极真空电弧沉积技术,在高速钢基体上制备了DLC膜.对制得的DLC薄膜表面形貌、Raman光谱及纳米硬度和弹性模量等进行了测试.结果表明,脉冲磁过滤阴极电弧法制备的DLC膜具有优良的性能.拉曼光谱分析显示,制得的薄膜为非晶结构,具有明显的sp2和sp3键杂化结构,符合DLC膜的特征,基体负偏压为50 V时,沉积的DLC膜Raman光谱的ID/IG值最小,sp3键含量最高,纳米硬度和弹性模量值达到最高,分别为29.94 GPa和333.9 GPa.     

离化团束淀积光学薄膜实验装置的研制和性能实验

研制了离化团束淀积装置。目前的实验结果,使用离化团束淀积技术在玻璃冷基底上镀制的ZnS膜MgF₂膜的机械牢固性较电子束在同样条件下制备的ZnS膜和MgF₂膜较强。用反应性离化团束技术制备的ZnO膜具有优良的取向结构。通过控制参数可以控制ZnO膜的结晶结构。     

Al/Zr多层膜生长模型和数值计算

在17～19nm波段,利用直流磁控溅射技术将Al(1%wtSi)/Zr多层膜镀制在掺氟的二氧化硅基底上,基于原子力显微镜对不同膜对数(N=10,40,60,80)表面粗糙度的测量结果,将多层膜的生长模型应用于实际结果中,对表面均方根粗糙度随着膜对数的变化进行了深入的分析,并对Stearns粗糙度动态生长理论的适用条件作了补充性讨论。     

工艺参数和沉积方法对ZnS／YbF3薄膜缺陷的影响

研究了不同沉积方式和工艺参数对沉积在K 9基底上的单层ZnS、Y bF3薄膜和多层ZnS/Y bF3薄膜缺陷的影响,发现基底温度和蒸发速率等工艺参数对缺陷的产生有较大的影响,太高或太低的基底温度和蒸发速率都会导致缺陷增加,采用电子束蒸发和蒸发源形状不同的阻蒸蒸发方式,缺陷密度分布有较大的差异。通过比较不同蒸发方式和工艺参数所镀薄膜的缺陷密度,找到了现有工艺条件下缺陷密度最小的最佳蒸发方式和工艺参数。     

磁控溅射沉积TiB_2/DLC纳米多层膜的结构及其机械性能研究

采用非平衡磁控溅射系统在P(100)硅片和304不锈钢基底上制备TiB_2/DLC纳米多层膜。利用FESEM、TEM、XRD和AFM观察多层膜的微观结构和表面形貌;利用纳米压痕仪、维氏硬度计和CSM球-盘摩擦磨损试验机考察TiB_2靶电流对多层膜的机械性能和摩擦学性能的影响。结果表明:TiB_2/DLC多层膜具有良好的多层调制结构,多层膜沿TiB_2(101)晶向择优生长;多层膜的表面粗糙度随着TiB_2靶电流增加而增加;多层膜中的大量异质界面能显著提高薄膜的硬度及韧性,而且当TiB_2靶电流为2.0 A时,多层膜的硬度约为单层DLC薄膜的两倍;多层膜中具有硬质TiB_2层和软质DLC层的交替结构,在摩擦过程中,硬层TiB_2起到良好的承载作用,软层DLC起到良好的润滑作用,使多层膜具有比单层DLC薄膜更低的摩擦因数。     

应用SiC反射镜表面改性技术提高TMC光学系统信噪比

为了消除SiC反射镜的固有缺陷,提高反射式光学系统的信噪比,使用SiC表面改性技术对同轴三反射(TMC)光学系统的SiC反射镜进行了处理.首先,应用等离子体辅助沉积(PIAD)技术沉积了一层Si改性层,接着对改性层进行精密抛光,然后在反射镜表面镀制Ag膜和增强膜,最后获得了表面改性对TMC光学系统信噪比的影响.Wyko轮廓仪测试表明,SiC反射镜的粗糙度R_a由10.42 nm降低到了0.95 nm;镀制高反射膜后,主镜、次镜、三镜及折叠镜在0.5～0.8 μm可见光波段的反射率＞98%.计算结果表明,应用了表面改性技术后TMC反射式光学系统的信噪比提高了5%以上,说明SiC表面改性技术是一种提高TMC光学系统信噪比的有效方法.     

用X射线反射测量法表征双层结构中 低原子序数材料的特性

介绍了用X射线反射测量术表征双层薄膜中低原子序数材料特性的方法。由于低原子序数材料的光学常数与Si基板材料的光学常数非常接近,用X射线反射法确定镀制在Si基板上的低原子序数材料膜层结构的变化十分困难,因此,提出了在镀制低原子序数材料前,首先在基板上镀制一层非常薄的金属层的方法。实验中,选用Cr作为金属层材料,制备并测试了三种不同C膜镀制时间的Cr/C双层薄膜。反射率曲线拟合结果表明,C膜密度约为2.25 g/cm³,沉积速率为0.058 nm/s。     

先进制造领域推广技术(续)

5新能源领域推广技术1)平板式集热器高效吸热膜a.技术开发单位航天科技集团兰州空间技术物理研究所b.技术简介采用双靶磁控溅射方法在金属条带上镀制高效太阳能吸热膜。该技术采用了高效吸热型复合膜的光谱选择性吸收的原理,复合膜结构由红外高反射金属层、金属陶瓷吸收层和表面减反射层组成,又称     

金属基底刻划红外光栅试制成功

<正> 金属基底刻划红外光栅是用于高能激光器如二氧化碳激光器选频用的分光元件。金属基底刻划红外光栅是选用金属材料,加工成有一定光学性能的光栅白坯、表面蒸镀一层铝或其它材料,并进行刻划而制成的。这种光栅的特点是由于金属基底传热快,在承受高温性能方面大大优于玻璃基底刻划光栅,我们曾在上海精密光学机械研究所的热情帮助下,作了比较:将一块石英玻璃基底的刻划光栅和一块金属基底的刻划光栅,用在同一个二氧化碳激光器上,结果表明石英基底刻划光栅表面铝膜很快就氧化,     

TX系列多弧磁控溅射多功能离子镀膜设备

该设备可在金属或非金属的表面镀制硬质增寿膜、装饰膜、合金膜或多层膜,可广泛用于刀刃、模具、钟表、首饰、灯具、建筑五金及装饰用彩色钢板、眼镜架、电子产品、医疗器械、仪器仪表等领域。该设备在真空条件下采用物理气相沉积技术,在基片上镀制氮化钛及其他薄膜。它将多弧离子镀技术、柱形靶及磁控溅射离子镀技术有机结合在一起,     

提高氟化镁膜层牢固度的方法

做为增透膜和其它的多层膜中的低折射率膜层材料——氟化镁已取得了广泛的应用。氟化镁很容易用钽、钨和钼舟蒸发,也可以用电子束加热的方法蒸发。实践表明,在真空中往不加热的基底上淀积的氟化镁膜层,有很高的孔隙率,因此,机械强度很低(Ⅲ级牢固度),抗潮性能很差。为了提高氟化镁膜层的致密程度,基底要加热到300℃才行。但是在某些情况下,尤其是有些精密的光学表面是不希望加热的,甚至是不允许加热的。此外,基底在镀膜之前加热、镀制后冷却都需要一定的时间,这势必要延长真空