半导体材料电阻率的测量及电阻率测试仪

一、半导体材料电阻率的测量目前对半导体材料的电阻率测量有接触式测量法和非接触式测量法。而接触式测量法包括二探针法、三探针法、四探针法、六探针法、范德堡法等。其中,四探针法使用最广泛,测量准确度较高。该方法对于不同几何尺寸的材     

简谈半导体硅材料的现状与发展趋势

综述了半导体硅的市场、生产及科技新进展,介绍了国内外的发展趋势,提出了加快我国半导体硅材料发展步伐的几点意见。     

日本半导体硅材料三十年的发展

日本的电子工业,自1955年以来,增长速度超过其他产业,继美国之后,成为电子工业国。电子工业国的显著特征是半导体化。半导体硅是半导体产业的主要支柱。估计,半导体硅这一主导地位,到本世纪末将不会改变。日本半导体硅材料的发展速度是十分惊人的。为此,当日本半导体硅材料发展至今,回顾其三十年走过的历程,了解硅业界的发展状况,展望未来,可能对我国半导体硅材料的发展有参考价值。     

Y（NO3）3掺杂BaTiO3半导体材料特性研究

本文研究了以Ｙ（ＮＯ３）３作为施主掺杂元素制备的ＰＴＣＲ材料的显微结构和宏观性能。指出施主以水溶性化合物形式引入制备的ＰＴＣＲ材料，其性能明显优于常规的施主以氧化物形式引入而得到的材料的性能。     

新世纪国内外半导体硅材料的新发展

本文综述了新世纪高速发展的深亚微米级集成电路对硅材料的新要求,以及国内外硅材料的最新研究和发展状况。还叙述了国内外多晶硅和单晶硅材料的生产技术和市场状况。指出了国内存在的差距并提出了发展我国硅材料的建议。     

飞秒激光过饱和掺杂硅材料的研究及发展

飞秒激光利用其超快的作用时间、超强的峰值功率的特性,可以与半导体材料表面发生瞬态光化学反应,从而对材料进行有效的掺杂,且可以实现超过材料固溶度极限的过饱和掺杂,同时能在材料表面形成准周期的微纳结构。导致半导体表面性质发生改变,产生超宽光谱高吸收的特性,从而突破传统物理限制,并由此产生了一系列全新的应用。本文总结了飞秒激光与硅相互作用的基本理论和几种物理模型,介绍了其在相关领域的应用,并对飞秒激光过饱和掺杂及改性硅的发展前景作出展望。

     

常规四探针法和双位四探针法测量半导体薄片电阻率的比较与探讨

本文主要介绍了三种测量薄片电阻率的方法及其测量结果的差别，并探讨了产生不同测量结果的根源。     

TiO_2和CuO掺杂对ZnO导电陶瓷中电子密度和电阻率的影响

测量了ZnO-TiO2和ZnO-CuO导电陶瓷的正电子寿命谱及其电阻率,研究了TiO2和CuO掺杂对ZnO陶瓷中电子密度和电阻率的影响。结果表明:在ZnO中加入少量的TiO2,随着ZnO陶瓷中TiO2含量的增加,样品中的自由电子密度升高,电阻率降低;在ZnO中加入少量的CuO,随着ZnO陶瓷中CuO含量的增加,样品中的自由电子密度降低,电阻率升高。     

金属材料电阻及电阻率的测量与分析

在电学测量中，经常遇到测量金属材料的电阻及电阻率的问题。下面，我们把测量铜、铜钨合金等金属材料的电阻率的原理、要求、方法和测试结果的误差分析做一简要介绍。１测量原理我们知道，铜、铜钨合金等金属材料的电阻值都是极小的，要得到准确的测量数据，可采用直流双电桥的方法进行测量。双电桥有六个桥臂，被测电阻必须用四端钮结构接入双电桥。如图１中Ｉ１、Ｉ２、Ｐ１、Ｐ２所示，Ｒｘ的电流引线Ｉ１、Ｉ２端接入电源回路，电位引线Ｐ１、Ｐ２端接入高电阻值的桥臂中，这样可减少引线电阻和接触电阻的影响。电桥平衡时：式中的ＲＰ…     

银掺杂的半导体氧化物二氧化碳传感器研究

报道了银掺杂的半导体氧化物CuO-BaTiO_3对CO_2的敏感特性。分析了Ag掺杂量对CuO-BaTiO_3灵敏度的影响。Ag掺杂量不仅影响CuO-BaTiO_3对CO_2是的灵敏度和工作温度,还影响材料在空气中的电阻值。通过适当量的Ag掺杂提高了CuO-BaTiO_3的化学活性,增强了对CO_2的吸附和反应,使传感器对CO_2的灵敏度提高。银掺杂的CuO-BaTiO_3传感器对CO_2的检测范围为1.0×10~(-4)到10％,最小检测浓度为1.0×10~(-4)。还对银掺杂后的稳定性进行了分析。     

硅/石墨负极中硅的体电阻率和掺杂类型对锂离子电池电化学性能的影响

将电阻率为1Ω·cm、0.1Ω·cm、0.01Ω·cm、0.001Ω·cm的n型掺杂硅片以及电阻率为1Ω·cm、0.001Ω·cm的p型掺杂硅片球磨制成6种硅粉,并分别将其与石墨按照5∶95的质量比进行混合,用作锂离子电池负极材料并制成扣式电池,通过电化学阻抗谱和倍率性能测试来研究硅材料体电阻率和掺杂类型对锂离子电池电化学性能的影响规律。结果表明,硅材料体电阻率越低,其储锂容量越高,倍率性能越好。电阻率相同时,n型掺杂硅始终比p型掺杂硅具有更大的储锂容量和更好的倍率性能。但是,当p型掺杂硅的电阻率远低于n型掺杂硅时,p型掺杂硅电化学性能更佳。另外,0.001Ω·cm的n型掺杂硅样品具有最佳的充放电比容量和倍率性能,其首次充放电比容量分别为457.7mAh·g~(-1)和543.4mAh·g~(-1)。     

YF3掺杂钛酸钡半导体材料特性研究

在不同气氛下制备了ＹＦ３掺杂钛酸钡材料,并对其电阻的正温度系数特性进行了研究。借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＸＲＦ、阻温特性测试仪和阻抗分析仪,研究了不同处理气氛对ＹＦ３掺杂肽到钡材料结构和性能的影响。研究结果表明,在空气和在氩气中烧结的ＹＦ３掺杂钛酸钡材料都是Ｎ型半导体,其中Ｙ取代Ａ位,Ｆ取代Ｏ位,并对在氢气氛中烧结的ＹＦ３掺杂钛酸钡材料还观察到了不同的ＰＴＣＲ效应。这种ＰＴＣＲ效应的产生可能是由于存在新的取代机制－－Ｏ位取代的半导化机制引起的。     

锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性

采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿（111）取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中。通过对样品M1T曲线的分析,得到样品的居里温度为96．5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3．1μa。这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替位的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合。     

掺杂对金属半导体氧化物气敏性能影响的研究

综述了金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术，探讨了掺杂作用的机理，列举了对最典型半导体气敏元件的掺杂以及掺杂对气敏元件灵敏度和选择性的影响作用。     

论四探针法测试半导体电阻率时的厚度修正

论述了用四探针法测量半导体片电阻率时，怎样更好地进行厚度修正，结果才更准确。首先讲述经典四探针法中从厚块原理出发和从薄层原理出发测试体电阻率的原理及其分界点，再论述双位组合四探针法中实现厚度修正的特点，并给出修正函数计算式及一部分修正函数数据表。     

掺杂氧化物半导体在复合隐身方面的研究进展

从掺杂氧化物半导体材料的隐身理论、复合隐身研究方向以及研究进展等方面,介绍了掺杂氧化物半导体在隐身材料方面的研究现状。     

半导体硅材料的技术进步

70年代前期，为适应半导体器件高速化的要求，大多数硅企业致力于CraAs材料的研究。但是GaAs作为化合物半导体材料在结晶缺陷、大直径化、器件工艺等方面存在着难以解决的问题。因此器件厂家试图通过提高硅材料质量、氧化膜稳定性和微细化水平实现器件的高速化。到目前为止，在半导体材料中硅仍占绝对统治地位。但随着微细化技术接近极限，硅的电子迁移率又成为问题。因此，提高硅的电子迁移率、使用可提高电子迁移率的结晶结构成为研究热点。     

合金材料电阻率的测量方法

本文以测量铜钨合金的电阻率为例，从测量原理、测量技术要求等方面进行了认真分析，说明了测量新型合金材料电阻率的方法，为一些用户解决了实际测量问题。