片式多层陶瓷电容器

本文介绍片式多层陶瓷电容器的发展现状,论及片式多层陶瓷电容器用陶瓷材料和电极材料的进展,并对未来的发展趋势提出见解。     

真空镀膜在片式多层陶瓷电容器上的应用

提供了一种采用真空镀膜方式形成片式多层陶瓷电容器外电极的技术,一方面避开开发生产银、镍、铜等端电极浆料技术难题,同时减少对环境的污染,由于端电极是真空镀膜上去的,无须进行烧结,简化生产工艺,能够有效地降低片式多层陶瓷电容器的制造成本,提高产品竞争力.     

BME0402微型片式多层陶瓷电容器通过鉴定

由深圳市宇阳科技发展有限公司推出的贱金属电极材料体系（BME）0402规格微型片式多层陶瓷电容器（MLCC），于10月13日通过技术鉴定，实现了IT与通信终端产品在高品质MLCC元器件上的国内配套。当前MLCC技术的发展趋势突出表现在微型化、低成本贱金属化、高比体积电容量和高可靠性等方面。深圳市宇阳科技发展有限公司采用抗还原陶瓷介质与Ni、Cu电极组成的贱金属电极（BME）材料体系技术最新研制成功的微型MLCC（包括0402、0603等尺寸规格）达到国际先进标准水平，主要技术指标符合美国国家标准及电子工业协会标准ANSI/EIA-198…     

超小型片式多层陶瓷电容器内电极印刷工艺研究

该文介绍了在超小型片式电容器内电极印刷中影响质量的诸多因素,并分析其原因,具体探讨了丝网网框、网布、丝印制版工艺对印刷质量的影响.结果表明,通过选用合适的网框、网布,使用镜面处理感光胶的制版技术,可以达到理想的印刷效果及合适的镍电极层厚度.     

贴片式多层陶瓷电容器简介

贴片式多层陶瓷电容器的英文名字是Surface Mount Multilayer Ceramic Capacitor,通常用缩写符号MLCC或MCC表示(本文以下简称MLCC)。MLCC是陶瓷电容器的一种,由于其具有性能优越、电容量范围宽、品种齐全、尺寸小等优点,得到了广泛的应用。随着便携式电子产品的产量猛增,MLCC应用已经占电容器之冠。很多电路中都用MLCC取代了传统的钽电解电容器或铝电解电容器,不仅减小了PCB板面积,而     

片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究

根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因。据此提出改进措施。通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右。     

片式陶瓷电容器技术的新进展

电子设备表面安装技术（ＳＭＴ）和小型化的进展，促使电子元件包括陶瓷电容器的片式化率不断提高，尺寸不断缩小。提高瓷料的介电常数，减小介质层的厚度，保持电极可靠的接触及降低瓷料的焙烧温度是当前的主要研究课题。同时为了提高电容器的性能．要求改进瓷料的热稳定性；为了降低电容器的成本，需要采用贱金属电极。本文从这几方面叙述了目前世界上的进展情况，并指出了其发展趋势。     

多层片式陶瓷电容器的DPA技术

从提高多层片式陶瓷电容器(简称MLC)的可靠性出发详尽地研究了工艺参数、环境因素、材料性能、人员状况与MLC的内部缺陷的关系,提出生产高质量、高可靠的MLC须采用破坏性的物理分析(简称DPA)技术进行质量监控和工艺调整,以达到动态质量控制的目的。     

片式电容器发展现状与技术动态

本文对全球片式陶瓷电容器、片式钽电解电容器、片式铝电解电容器、片式有机薄膜电容器、片式微调电容器等各类片式电容器的发展、现状及走势作了系统而扼要的阐述,分析了国内外该系列产品在生产规模、质量管理、工艺技术等方面存在的差距,探讨了我国赶超世界先进水平的奋斗目标和发展战略。     

多层陶瓷电容器Ni内电极研究进展

研制贱金属电极是降低多层陶瓷电容器成本的有效途径之一，日本已研制成用Ｎｉ电极取代银电极的生产技术，本文介绍了有关Ｎｉ电极的技术进展。     

片式多层陶瓷电容器陶瓷晶粒酸腐蚀应用研究

以混合酸作为腐蚀液,腐蚀陶瓷介质层晶粒晶界,再使用扫描电子显微镜进行微观结构观察。试验结果表明,腐蚀液的种类、浓度、腐蚀时间及温度均对腐蚀效果影响较大。最终确定适宜的腐蚀条件为：氢氟酸-硝酸体系,氢氟酸2 mL,硝酸5 mL,配置成100 mL溶液,Class 2(BaTiO₃)陶瓷室温下腐蚀时间50 s, Class 1((Sr, Ca)(Zr, Ti)O₃陶瓷腐蚀15 s。     

镍内电极多层陶瓷电容器的进展

介绍片式多层陶瓷电容器(MLCC)电极贱金属化(BME)涉及的主要技术及Ni内电极MLCC取得的进展。Ni内电极MLCC的可靠性已经达到空气烧结Ag／Pd内电极的水平。Ni内电极MLCC技术的成熟将使MLCC大容量、低成本、小型化取得更大进展并将取代部分Ta和Al电解电容器。