DEM技术研究

首次提出用ＤＥＭ（Ｄｅｅｐｅｔｃｈｉｎｇ，Ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ，Ｍｉｃｒｏｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）技术进行非硅材料三维微机械加工，该技术吸收了体硅微加工技术和ＬＩＧＡ技术的优点，解决了ＬＩＧＡ技术的光源问题。目前利用该技术已获得了微复制模具雏形，其加工深度已达到１８０μｍ，深宽比大于２０。利用该技术可对非硅材料，如金属、塑料或陶瓷进行三维微加工。该技术的开发成功，可望成为一项全新的三维微加工技术。     

NEC为1G DRAM开发最小的存储单元

ＮＥＣ为１ＧＤＲＡＭ开发最小的存储单元日本ＮＥＣ公司已为１ＧｂＤＲＡＭ开发了世界上最小的ＤＲＡＭ存储单元─０．３７５μｍ２。这种单元与在ＩＳＳＣＣ９５＇上宣布的用在１ＧｂＤＲＡＭ样品的单元有所不同，这种０．３７５μｍ２的单元技术包括对角开位线结构，相...     

NEC、日立在ISSCC上发表1GDRAM

ＮＥＣ、日立在ＩＳＳＣＣ上发表１ＧＤＲＡＭ据ＩＳＳＣＣ’９５的发表内容，ＮＥＣ、日立已经在世界上率先开发了１ＧＤＲＡＭ。ＮＥＣ开发的１ＧＤＲＡＭ的特点是，采用０．２μｍ电子束曝光技术和钽氧化膜低温（５００℃）工艺技术以０．２５μｍＣＭＯＳ工艺，存贮单...     

Novel Multimode Interference Optical Filters in GeSi/Si for λ=1.3μm and 1.55μm

ＮｏｖｅｌＭｕｌｔｉｍｏｄｅＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅＯｐｔｉｃａｌＦｉｌｔｅｒｓｉｎＧｅＳｉ／Ｓｉｆｏｒλ＝１．３μｍａｎｄ１．５５μｍ①②ＬＩＢａｏｊｕｎ，ＬＩＧｕｏｚｈｅｎｇ，ＬＩＵＥｎｋｅ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ...     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡－倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针书信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为—１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

世界最小的1G DRAM存贮器单元

世界最小的１ＧＤＲＡＭ存贮器单元日本ＮＥＣ公司采用０．２μｍ电子束曝光技术研制成功世界最小的１ＧＤＲＡＭ存贮器单元。单元面积为０．３７５μｍ２。该公司采用了如下技术：①高密度存贮器单元结构，即ＤＢＬ（对角位线）单元结构；②适用低电压工作的边缘工作晶体...     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡—倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为－１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

O2反应离子深刻蚀PMMA

高深度比结构是提高微器性能的重要环节之一。利用ＲＩＥ深刻技术和工具有高深宽比结构的图形,方法简单：它不像ＬＩＧＡ技术那样,需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板,对光刻胶的要求也不是特别高,利用这种技术深刻蚀ＰＭＭＡ膜,以Ｎｉ作掩模,采用普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀的方法将Ｎｉ掩模图形化,然后利用Ｏ２ＲＩＥ技术刻蚀ＰＭＭＡ,可以得到深度达１００μｍ,深度比大于１０的微结构,图形表面平整,侧壁光滑垂直     

利用多层光刻胶工艺的准LIGA技术

ＬＩＧＡ技术在微机械结构的制作中具有很重要的作用。针对ＬＩＧＡ技术所存在的缺点,提出了一种利用多层光刻胶工艺的准ＬＩＧＡ技术。利用此技术,可以用普通光学曝光机将光刻图形转移到较厚的光刻胶上,而且深宽比可以做得很大。     

Electron Mobility of Doped Strained Si_(1-x)Ge_x Alloys Grown on Si(100) Substrate

ＥｌｅｃｔｒｏｎＭｏｂｉｌｉｔｙｏｆＤｏｐｅｄＳｔｒａｉｎｅｄＳｉ１－ｘＧｅｘＡｌｏｙｓＧｒｏｗｎｏｎＳｉ（１００）Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ①②ＬＩＢａｏｊｕｎ，ＬＩＧｕｏｚｈｅｎｇ，ＬＩＵＥｎｋｅ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ...     

2英寸GaAs快速热退火技术研究

为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

2英寸GaAs快速热退火技术研究

为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究，做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

单片系统集成电路ADE3500X和ADE3600X

意法半导体（ＮＹＳＥ :ＳＴＭ）推出的两个新型商用及多媒体用投影仪单片系统集成电路ＡＤＥ３５００Ｘ和ＡＤＥ３６００Ｘ均采用０．１８μｍ制造技术和２０８脚ＦＱＦＰ封装。这两款计数器ＩＣ的输出方式均可编程 ,并支持ＳＶＧＡ、ＸＧＡ和ＳＸＧＡ分辨率 ,且都兼容德州仪器的ＤＬＰＴＭ（数字灯光处理）微型显示器 ,从而实现了全面集成化 ,且不再需要装置外部元器件 ,简化了印制电路板的ＰＣＢ设计。ＡＤＥ３５００Ｘ具有一个集成化的三重９位１４０ＭＨｚＡＤＣ／ＰＬＬ ,它支持直通芯片的模拟信号 ,而且支持ＳＶＧＡ、ＸＧＡ和ＳＸＧ…     

NEC推出新型256MDRAM

ＮＥＣ推出新型２５６ＭＤＲＡＭ日本ＮＥＣ公司在日本电子机械工业会主办的“电子’９３”展览会上展出新型２５６ＭＤＲＡＭ。产品最小加工尺寸０．２５μｍ，芯片面积１３．６×２４．５８ｍｍ，集成度５．５亿个元器件，存贮单元面积０．７２μｍ２，存贮单元容量３０...     

GaAsMESFET和DHEMT的中子辐射效应研究

本文介绍了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理，分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系，其中，器件参数包括物理参数Ｎ＿Ｄ、Ｎ＿ｓ、Ｖ＿ｓ，μ和电参数Ｉ＿ＤＳ、ｇ＿ｍ、Ｖ＿ｐ、Ｇ等。     

DEM技术中微复制工艺研究

利用ＤＥＭ（Ｄｅｅｐｅｔｃｈｉｎｇ，Ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ，Ｍｉｃｒｏｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）技术获得的微复制金属模具进行了微复制工艺研究。对微复制工艺参数进行了优化，在ＰＣ、ＰＭＭＡ和ＰＯＭ塑料上获得了高深宽比的微结构，并对ＰＣ、ＰＭＭＡ和ＰＯＭ和不同图形的微复制效果进行了比较。     

GaN MESFET的微波性能

用ＭＯＣＶＤ法制备了在高电阻率ＧａＮ层上生长沟道厚度为０．２５μｍ的ＧａＮＭＥＳＦＥＴ，这些器件的跨导为２０ｍＳ／ｍｍ，其中一个栅长为０．７μｍ的器件，测得其ｆＴ和ｆｍａｘ分别为８和１７ＧＨｚ。     

Microstructural Study of Zinc Sulfide Thin Films

ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌＳｔｕｄｙｏｆＺｉｎｃＳｕｌｆｉｄｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓ①②ＣＨＥＮＭｏｕｚｈｉ，ＬＩＵＺｈａｏｈｏｎｇ，ＷＡＮＧＹｕｊｉａｎｇＷＡＮＧＨｕｉ，ＤＥＮＧＣｈｏｎｇｈｕｉ（ＸｉａｍｅｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉａｍｅｎ３６１...     

B-implantation and Annealing for SiGe Epilayers

Ｂ－ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄＡｎｎｅａｌｉｎｇｆｏｒＳｉＧｅＥｐｉｌａｙｅｒｓ①②ＪＩＡＮＧＲＬ，ＬＩＵＷＰ，ＪＩＡＮＧＮ，ＺＨＵＳＭ，ＨＵＬＨ，ＺＨＥＮＧＹＤ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２...