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基于4H-SiC 射频功率MESFET 器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法,算法用MATLAB 语言实现,与传统算法相比,经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要参数具有一定的物理意义,其他拟合参数值也具有物理量级。模型仿真结果和实测数据拟合度较好,从而验证了所提出的大信号经验电容模型的准确性。 相似文献
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提出了一种具有阶梯沟道和浮空金属板的新型4H-SiC MESFET结构。在双凹型4H-SiC MESFET的栅漏之间加入浮空金属板,并引入阶梯沟道,减少了靠近漏端的栅边缘的电场积聚,提高了击穿电压。对提出的结构进行二维数值模拟,结果表明,该结构的击穿电压达到232 V,相对于双凹型4H-SiC MESFET的击穿电压103 V,提高了125%,其饱和漏电流相对提高了4.1%,截止频率为15.1 GHz,最大振荡频率为69.2 GHz。该结构在击穿电压提高125%时,没有严重降低截止频率。 相似文献
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采用Voherra级数法对4H-SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系.模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果.进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μm增大到1.6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33.55dBm(36.26dBm)减小到18.1dBm(13.4dBm),1dB压缩点从24dBm下降到7.43dBm.为实际器件的线性化设计提供理论依据. 相似文献
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采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性.结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7 V左右.对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明,4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件.此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极电流增大. 相似文献
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n沟道4H-SiC MESFET研究 总被引:1,自引:1,他引:0
陈刚 《固体电子学研究与进展》2005,25(2):177-179,218
报告了4H-SiCMESFET的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120μmn沟道4H-SiCMESFET,其主要直流特性为在Vds=30V时,最大漏电流密度Idss为56mA/mm,最大跨导Gm为15mS/mm;漏源击穿电压最高达150V;微波特性测试结果在fo=1GHz、Vds=32V时该器件最大输出功率7.05mW,在fo=1.8GHz、Vds=32V时最大输出功率3.1mW。 相似文献