采用连续电子束进行离子注入硅的退火实验

本文提出了用连续电子束对硼离子注入硅后进行退火的实验偿试,分析了连续电子束退火的一些优点,并指出了它在器件制造工艺中应用的可能性。     

大面积电子束对硼离子注入硅片快速退火的研究

本文介绍了一种采用冷阴极大面积电子束对硼离子注入硅片快速退火的实验方法。测试分析结果表明:本法与常规退火方法相比,除了有相同的电激活和晶格恢复之外,还具有快速、低温和杂质再分布影响小等特点。     

通过离子注入前后快速热退火改善多晶硅薄层电阻

对氧化后硅片上的多晶硅膜,进行了砷离子注入前的快速热处理退火。离子注入之后,这种膜进行了另外的快速热处理退火以活化砷。注入前退火使得刚淀积的晶粒尺寸增大到10倍。这些膜的薄层电阻比只是注入后进行退火处理的膜的要低20～30％。注入前退火引起的晶粒尺寸增大,使得晶粒边界区域减小,从而使相对于晶粒的晶粒边界中掺杂剂数量减少至最低限度。     

电子束退火对非离子注入硅晶体管电特性的影响

本文论述一项迄今未见文献报道的试验。作者将能量在20KeV以下的电子束退火试用于非离子注入的硅低频大功率晶体管和高频小功率晶体管,发现这种低能电子束辐照在某种条件下可以大幅度地降低晶体管的电流放大系数,而在另一种条件下又可以提高晶体管的电流放大系数。不但对浅结晶体管,而且对深结晶体管都有这种效应。研究了放大系数的变化与电子束辐照各工作参数的关系。实验证明:电子束流下降的速率对放大系数降低的幅度有显著的影响。电子束辐照引起电流放大系数下降的同时晶体管的击穿电压BV_(ebo)和BV_(cbo)并不降低,BV_(ceo)还有所提高。在晶体管制造工序中加入电子束辐照,降低了大功率晶体管“云雾”击穿的发生率,提高了产品的合格率。     

砷离子注入多晶硅发射区Pt-Si肖特基电路的注硼退火工艺

本文研究了注砷多晶硅发射区双极电路的硼离子注入区的退火特性。实验表明,在退火温度及时间相同的条件下,O_2气氛退火的注硼p-n结特性优于N_2气氛退火的p-n结特性     

电子束退火技术

在由离子注入的杂质掺杂,电极金属材料的烧结等半导体器件制作工艺中,退火是其重要的工艺之一。在半导体工艺技术的研究中,进行了大量的技术革新,并发展了许多新技术,这对现代的电子学发展作出了重大的贡献。就拿退火技术来说,自半导体器件出现以来一直是采用在电炉内加热的办法,与其它的工艺技术一样并没有发生巨大的变化。但是,最近以来,退火工艺中也开始试图引入一种新的     

离子注入和退火技术

离子注入和退火技术（索尼）野口隆１前言多晶硅ＴＦＴ已在ＬＣＤ、ＬＳＩ存储器两个领域中成为重要的开关元件。对于６００℃以上工艺，离子注入和退火技术就成了提高ＴＦＴ性能的最重要的工艺。氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）ＴＦＴ已作为有源矩阵用于大面积显示（ＬＣＤ）...     

离子注入白光退火特性

本文研究了离子注入后碘钨灯的退火效果;测量了离子注入和瞬态退火样品的电阻率、迁移率、电激活率和注入层电阻率的均匀性;用背散射和扩展电阻仪得到As浓度和载流子浓度分布;获得了制备浅结的工艺条件。用超高压电镜分析了注入层的剩余缺陷。同热退火比较表明白光退火技术更适于超大规模集成电路的微细加工工艺的要求。     

多晶硅栅的BCl离子注入技术

在CMOS中,有n—MOS和P—MOS两种晶体管。为了简化制造工艺,在制作多晶硅栅时,最好先都制成n~+多晶硅,然后再对P—MOS管栅的n~+多晶硅注入B~+,使其变成p~+型多晶硅。可是,随着集成度的提高,最小线宽越变越窄,也要求多晶硅膜更薄,即使用很低能量的B~+来注入,B~+也会穿透多晶硅层进入基片中。为避免穿透,已发展了采用BF_2~+注入来形成P~+型多晶硅栅的办法。它确实能有效地降低B的注入深度,但也带来了另外的问题,这就是BF_2~+注入多晶硅中的F元素,在氧化膜中扩散,在随后的热处理中,会使氧化膜中B加速扩散到基片中,引起V_(TH)的变化,而成为一个麻烦问题。     

离子注入多晶硅的等离子腐蚀技术

用平行平板腐蚀器和两种不同的化学蚀剂(SF_6-O_2-Ar和SF_6-CCl_2F_2-Ar)研究离子注入掺磷多晶硅的干法腐蚀。以前发现,这两种方法腐蚀固态源扩散掺磷多晶硅的结果十分理想。使用两种不同的蚀剂产生不同的注入多晶硅剖面。蚀剂SF_6-CCl_2F_2-Ar导致尖锐的凹陷状豁口;而蚀剂SF_6-O_2-Ar则会造成条宽损耗,但不会产生豁口。本文提供了离子注入多晶硅的剖面样品,并对两种蚀剂产生不同剖面的可能机理进行讨论。通过在不同深度掺杂物浓和离子注入多晶硅的结构变化解释豁口。提出,腐蚀剂SP_6-O_2-Ar腐蚀产生的离子注入多晶硅,其剖面无豁口的原因是蚀剂SF_6-O_2-Ar中的氧和腐蚀表面的相互作用致使蚀剂对离子注入多晶硅中的杂质浓度不很敏感。本文提供了支持这种解释的简单实验的结果。     

多次扫描电子束退火

本文主要介绍多次扫描电子束退火方法的的特点、装置及工艺应用情况。     

用激光热处理离子注入多晶硅膜

在集成电路中常用多晶硅代替金属导体,但由于存在大量的晶粒边界而使导电率降低。美国RCA研究所最近采用激光热处理多晶硅膜,增加了其激活载流子浓度并增大了晶粒尺寸,使导电率增加。激光热处理还可限制多晶膜受热的范围,以防止器件其余部分因受高温而产生不良后果。该所研究了下列离子注入:50千电子伏~(11)B,150千电子伏~(31)P,240千电子伏~(75)As,掺杂量为10~(15)～10~(16)原子/厘米~2。采用红宝石或钕玻璃二级Q调激光器的单脉冲光,脉宽30毫微秒,光束     

CCD多晶硅离子注入掺杂工艺研究

研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比研究,发现离子注入掺杂制作的多晶硅栅质量优于扩散掺杂制作的多晶硅栅,这有利于CCD输出均匀性的提高.对两种多晶硅掺杂方式的工艺集成条件进行对比,多晶硅掺杂采用离子注入方式其工艺步骤更简单,工艺集成度更高.     

锑化铟离子注入退火技术研究

对锑化铟（InSb）铍离子（Be+）注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验结果进行了分析。     

硼离子注入多晶硅薄膜的电学性质

本文测量了硼离子注入多晶硅薄膜经热退火及激光退火后的电学性质,并用晶界陷阱模型进行了理论计算。计算结果与实验符合。发现经激光退火后,晶粒变得足够大时迁移率最小值发生在10~(-17)Cm~(-8)附近,而不是在 N=N~*处。     

离子注入硅的碘钨灯快速退火

本文描述作者研制的碘钨灯快速退火装置及其工艺实验。该装置具有结构非常简单、成本非常低廉以及操作十分方便等优点。使用该装置对注入硼和磷离子的硅单晶进行了灯退火实验。电学特性测量和SIMS测量结果表明:该装置退火的样品,电激活率与常规热退火相同,而注入杂质的再分布比热退火小得多。采用电子通道图技术检测样品注入层的晶格完整性。结果表明:经过该装置退火后,样品注入层由非晶恢复为单晶。文中对退火样品的薄层电阻和退火过程中杂质的扩散长度,进行了简单的计算,结果与实验基本相符。     

离子注入片的激光背面退火

本文给出了离子注入片背面激光照射退火的实验结果。用CWCO_2激光器和脉冲钕玻璃激光器从背面照射离子注入片进行退火,不仅可以消除注入损伤,使注入杂质电激活,还可以得到注入图形不发生变化的退火效果。激光背面照射退火可在反刻铝后进行,就能避免激光退火后因再经高温热处理而引起的杂质析出;还可以省掉合金工序。背面照射产生的辐射损伤,也有助于萃取正面的微缺陷。     

离子注入硅的非相干光退火

本文综合概述了非相干光退火的历史,国内外现状,以及在电子工业中的应用前景。将非相干光退火与热退火、射束退火作了比较,表明非相干光退火在很多方面兼有二者的优点,弥补了二者不足之处。     

注砷硅单晶的电子束退火

本文报道使用DT—1型电子束退火机对注砷单晶硅进行扫描电子束退火的实验研究。试验了电子束退火各种条件对结果的影响,以便选择较适宜的退火条件。用背散射法和微分电导法分别测得了未退火和经退火样品的杂质浓度分布和载流子浓度分布,显示出电子束退火的杂质再分布状况,并计算出注入砷的电激活率。此外,还进行了范德堡法霍耳效应测量,得到注入层的平均载流子浓度、平均迁移率和薄层载流子浓度。电子束退火样品与热退火样品作了比较。     

多晶硅提纯电子束熔炼炉高压电源的研究

利用电子束熔炼炉制备提纯多晶硅,是一种新型且已成功应用到工业生产中的制备方式,其具有制备效率高、对环境无污染、节约能源等优点。结合电子束熔炼炉高压电源控制器的特点与目前存在的缺点,提出一种利用可控电抗器调压的电源控制方案,并介绍了工作原理及电路特点。实验表明,该控制方式能精确地调节输出电压,其本身还具有自然限流特性,且达到了性能指标。整个系统稳定可靠,克服了传统的晶闸管交流移相调压控制方式的诸多缺点,其还具有输入内阻小、短路内阻大、功率因数及运行效率高、对电网无“公害”等优点。