基于DSA-ph的高效蓝色有机电致发光器件

以NPBX掺杂3%的DSA-ph作为发光层,BCP或TAZ作为空穴阻挡层,Alq3或Bphen作为电子传输层制作了一组蓝色有机电致发光器件。通过调整不同的空穴阻挡层与电子传输层之间的组合,得到了一组高效的蓝光OLED。测试结果表明,当空穴阻挡层为TAZ,电子传输层为Bphen时,器件的性能最优。当驱动电压为5V时,器件最大电流效率为4.59cd/A。在12V时亮度最大,为6 087cd/m2。     

电子传输层中掺杂Ir(ppy)3改善白光OLED的效率

采用真空热蒸镀技术,制备了结构为ITO/NPBX(40nm)/rubrene(0.2 nm)/NPBX(5nm)/DPVBi(30nm)/TPBi:x%Ir(ppy)3(30nm)/LiF/Al的白光器件。利用Ir(ppy)3掺杂到电子传输层TPBi中,在掺杂层中提高了电子的迁移率,调整了空穴和电子的平衡,从而改善了白色有机电致发光器件的效率。当Ir(ppy)3的掺杂浓度为6%时,器件的电流效率最高,在驱动电压9 V时最大电流效率为10.66 cd/A,此时色坐标为(0.36,0.38);当电子传输层TPBi中不掺杂Ir(ppy)3时,白光器件的效率最低,在驱动电压10V时最大电流效率为1.69 cd/A,此时色坐标为(0.31,0.30)。掺杂浓度为6%的白光器件的电流效率是不掺杂白光器件的电流效率的6.3倍。     

利用磷光敏化和空穴阻挡层提高白光OLED性能

利用磷光敏化和BCP的空穴阻挡作用,制备了结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPBX(20nm)/rubrene(0.2nm)/NPBX(5nm)/CBP∶6%Ir(ppy)3∶15%ADN(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的有机白光器件。器件在电压为7V的情况下,最大发光效率达到5.80cd/A,在12V的电压下最大亮度达12395cd/m2,色坐标为(0.30,0.30),接近白光等能点(0.33,0.33),比非敏化器件最大发光效率3.10cd/A(7V)和最大亮度10390cd/m2(12V)及非敏化不加空穴阻挡层BCP的器件最大发光效率2.13cd/A(8V)和最大亮度8852cd/m2(12V)的性能提高很多。     

基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,发光的峰值波长为444nm。     

基于FHQZn发光的新结构有机黄光器件

利用一种新型材料(E)-2-(2-(9H-fluoren-2-yl)vinyl)quinolato-Zinc(FHQZn)制备了一种新结构的黄光OLED,器件的结构为:indium-tinoxide(ITO)/4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)(15nm)/FHQZn(xnm)/4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl(DPVBi)(20nm)/2,2′,2″-(1,3,5-phenylene)tris(1-phenyl-1H-benzimidazole-(TPBi):6%factris(2-phenylpyridine)iridium(Ir(ppy)3)(45nm)/LiF(0.5nm)/Al,FHQZn作空穴传输层和黄色发光层,DPVBi作空穴阻挡层,TPBi中掺杂Ir(ppy)3作电子传输层;研究了发光层FHQZn的厚度对该器件的发光性能的影响。当FHQZn厚度x=25时,得到了效率和亮度最大的黄光器件,最大电流效率为1.31cd/A(at13V),最大亮度为5705cd/m2(at14V),此时色坐标为(0.4,0.5516)。     

基于FHQZn发光的色度稳定的有机白光器件

研究了一种新型发光材料(E)-2-(2-(9H-fluoren-2-yl)vinyl)quinolato-Zinc的发光性能,利用它的空穴传输和发光特性制备了有机白光器件,器件的结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/FHQZn(38nm)/NPB(25nm)/BCP(10nm)/Alq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al,其中,(E)-2-(2-(9H-fluoren-2-yl)vinyl)quinoato-Zinc(FHQZn)作为空穴传输层和黄橙色发射层,N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPBX)作为蓝光发射层。器件最大的电流效率为1.68cd/A(at7V),最大的亮度为4624cd/m2(at12V),此时色坐标为(0.28,0.25)。器件的色坐标由7V(66.83cd/m2)时的(0.27,0.29)到12V(4624cd/m2)时的(0.28,0.25)几乎不变,是一个基于新型材料的色度较稳定的有机白光器件。     

利用Alq3掺杂在NPB中制备白光OLED

利用Alq3掺杂在NPB中作为空穴传输层,并以DPVBi和rubrene作为发光层,制备了多层的白光有机发光器件(OLED).与在同一条件下的对比器件相比,掺杂的器件在相同电压下亮度和效率都有所增加.掺杂的器件的最大亮度在17 V时达到了19 921 cd/m2,最大效率在7 V时达到了3.69 cd/A,色坐标(CIE)在5～16 V内几乎没有改变,我们认为,掺杂器件性能的提高是由于掺杂剂Alq3分子对空穴有散射作用,阻挡了部分空穴的传输,降低了空穴的迁移率;而Alq3又是很好的电子传输材料,Alq3掺杂提高了空穴和电子在发光层中的注入平衡,有利于激子的形成,从而提高了器件的性能.     

高效率白色有机电致发光器件

通过引入磷光材料Ir(pPy3)作为敏化剂,制作了高效率的白色有机电致发光器件.Ir(pPy)3和荧光染料DCJTB共掺入CBP母体中.此共掺层的厚度以及浓度都影响到整个器件的效率和颜色.Alq和BCP分别用作电子传输层和激子阻挡层,NPB用作蓝光发光层和空穴传输层.器件的最大效率和亮度分别可以达到9 cd/A和12 020 cd/m2.通过调节掺杂层的厚度以及Ir(ppy)3和DCJTB的浓度,可以得到相当纯正的白光,其色坐标为(0.33,0.32),在10～19 V的范围内几乎不随驱动电压的变化而变化.     

空穴传输层NPB中掺杂Alq3制备高性能的蓝光器件

研究了在空穴传输层NPB中掺杂Alq3制备高性能的蓝光有机电致发光器件（OLED）。采用传统的材料和结构，在空穴传输层NPB中掺杂Alq3，在掺杂浓度为3％时，OLED的色坐标为（0．17，0．19）、亮度为10770cd／m^2（在13V时）和最大效率为4．1cd／A。在同等条件下，Alq3掺杂降低了开启电压，在7V时亮度达到了118．8cd／m^2。研究分析表明，OLED性能的提高是由于NPB的HOMO能级比Alq3的HOMO能级高，掺杂剂Alq3对空穴有散射作用，阻挡了部分空穴的传输，降低了空穴的迁移率；而Alq3又是很好的电子传输材料，Alq3掺杂提高了空穴和电子在发光层中的注入平衡，有利于激子的形成，从而提高了器件的性能。     

基于Bphen:BCP:Cs2CO3作为电子传输层的OLED性能研究

为了进一步平衡OLED器件内部空穴和电子载流子 的注入,制备了结构为ITO/NPB(40nm)/Alq₃(45nm)/Bphen:(X%)BCP:(5%)Cs₂CO₃(15nm)/Cs₂CO₃(1.5 nm)/Al(100nm)的OLED器件,通过改变BCP 的掺杂浓度,研究了以Bphen:BCP:Cs₂CO₃作为电子传输层对OLED器件发光亮度、电流 密度和效率等性能 的影响。结果表明,采用Bphen:BCP:Cs₂CO₃作为电子传输层能提高器件的电子注入能力 ,改善器件的性能, 相比于未引入BCP的器件,采用BCP掺杂浓度为10%的Bphen:BCP:Cs₂CO₃作为电子传输层 ,可以使器件 的最大电流效率提高46%,达到3.89cd/A,且 在电压从为5V上升至10V的过程中,器件的色坐标一直为 (0.35,0.55),具有很高的稳定性。原因是由于BCP的高LUMO能级和高 HOMO能级,能够有 效阻挡空穴到达阴极,减小空穴漏电流,同时使电子的注入更容易,电子和空穴的注入更加 平衡,发光也更加稳定。     

有机电致发光器件中复合发光区域的移动

采用在OLED有机层中夹入与主发光材料不同的发光材料薄层标记发光区域，介绍了复合发光区域位置随电压变化而移动的现象。在以Alq为发光材料的单层器件中夹入0．5nm厚的红光材料DCJTB层，或在两个位置分别夹入0．5nm厚的橙光材料QA层和红光材料DCJTB层，研究分析了电压升高时发光颜色的变化。结果表明，复合发光区域位置随电压升高由阳极一侧有机层向阴极方向移动；在有空穴阻挡层BCP层的器件中。在电子传输层与BCP层之间夹入10nm厚的DCJTB掺杂发光层，研究了不同电压时器件的发光颜色，发光区域位置在较低的电压范围内被BCP层限定，但发光区域在驱动电压很高时可越过BCP层进入电子传输层。     

Moiecuiar Doped Poiymer Light Emitting Diodes with Air—stabie Aluminum as Cathode

By using air-stable alumminum as cathode,molecular doped polymer (MDP)blue light emitting diodes(LEDs)were constructed.Poly(N-vinylcarbazole(PVK)doped with,1,1,4,4-tetrapheny 1-1,3-butadiens(TPB)was used as the light-emitting layer,a layer of 2-(4-biphenylyl)-5-(4-terbutypheny)1-3,4-oxadiazole(PBD) as hole-blocking,electron-transporting layer and a layer of tris(8-quinolinolate)-Aluminum(Alq3)film also worked as an electron-transporting layer.The device with structure of ITO/PVK;TPB/PBD/Alq3/Al was fabricated.Blue emis-sion began at about 4V,more than 1000 cd/m^2 was achieved at 14V.This is the lowest turn-on voltage for polymeric lgiht-emitting diodes(PLEDS)used air-stable elec-trodes.Such low-operating voltage,especially using air-stable aluminum as cathode,may be helpful for the devices to be used in commercially viable displays.     

Molecular Doped Polymer Light Emiting Diodes with Air－stable Aluminum as Cathode

ＭｏｌｅｃｕｌａｒＤｏｐｅｄＰｏｌｙｍｅｒＬｉｇｈｔＥｍｉｔｉｎｇＤｉｏｄｅｓｗｉｔｈＡｉｒ－ｓｔａｂｌｅＡｌｕｍｉｎｕｍａｓＣａｔｈｏｄｅ①②ＣＨＥＮＢａｉｊｕｎ，ＨＯＵＪｉｎｇｙｉｎｇ．ＸＵＥＳｈａｎｈｕａ，ＬＩＵＳｈｉｙｏｎｇ（ＳｔａｔｅＫｅｙ...     

以CzHQZn为主体的有机发光器件的发光效率

采用真空热蒸镀技术,分别制备了结构为ITO/2T-NATA(25nm)/CzHQZn(10～25nm)/TPBi(35nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:x%CzHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:10%CzHQZn(xnm)/Alq3((70-x)nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED)。器件中,CzHQZn既有空穴传输特性,又是黄光发射的主体。为了提高其发光效率,利用磷光敏化技术,研究了掺杂层中不同掺杂浓度和掺杂层不同厚度时器件的发光效率。结果表明,器件的效率随着掺杂发光层的厚度和掺杂浓度的变化而改变,当发光层的厚度为18nm时,CzHQZn掺杂浓度为10%的器件性能较好;在10V电压下,器件的最大电流效率达到3.26cd/A,色坐标为(0.4238,0.5064),最大亮度达到17560cd/m2。     

基于DPV的高效率蓝光有机电致发光器件

制备了基于荧光染料2-diphenylamino-7-(2,2 diphenylvinyl)-9,9'-spriobifluoreme(DPV)的高效率蓝光有机电致发光器件(OLED).器件的结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/DPV(d nm)/BCP(10 nm)/Alq3(30 n...     

An organic light-emitting devices of highly efficient white phosphor using an electron/exciton blocker

Highly efficient white phosphorescent organic light-emitting devices （WOLEDs） was fabricated using an electron/exciton blocker. The device structure is ITO/2T-NATA（25 nm）/NPBX（25-dnm）/CBP：5%Ir（ppy）3：0.5%Rubrene（8 nm）/NPBX（dnm）/ DPVBi（30 nm）/TPBi（20 nm）/Alq（10nm）/LiF（1nm）/A1, in which N,N ＇ -bis- （1-naphthyl）- N,N ＇ -dipheny1-1, 1 ＇ - biphenyl-4,4 i -diamine （NPBX） functions as a hole transport layer and electron/exciton blocker, 4,4,N,N ＇ dicarbazolebiphenyl （CBP） is host, 4,4＇ -bis（2,2 -diphenyl vinyl）-1,1 ＇ -biphenyl （DPVBi） is blue fluorescent dye, 5,6,11, 12,-tetraphenylnaphthacene （rubrene） is fluorescent dye, factris （2-phenylpyridine） iridium （Ir（ppy）3） is phosphorescent sensitizer and tris（8-hydroxyquinoline） aluminum （Alq3） is an electron transport layer. The WOLEDs have obtained white light emission by adjusting the thickness of NPBX, when the concentration of Ir（ppy）3 is 5-wt% and rubrene is 0.5-wt%, respectively, the thickness of the doped emissive layer is 8 nm, the WOLEDs show a maximum luminous efficiency is 11.2 cd/ A with d of 10 nm at 7 V and a maximum luminance of 28170 cd/m^2 at 17 V, the CIE coordinates is （0.37.0.42）, which is in white region.     

调整有机层厚度制作高效率的电致蓝光器件

介绍利用优化有机膜厚度的方法,制作了发光效率较高的有机电致蓝光器件.器件的结构为:ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi/TPBi/Alq3/LiF/Al,当2T-NATA,NPB,DPVBi,TPBi,Alq3,LiF的厚度分别为15 nm,10nm,20 nm,15 nm,25 nm,0.6 nm时,器件的性能最好.在电压为12 V,电流密度为537 mA/cm2时·亮度达到最大为13 540 cd/m2.在电压为7 V,电流密度为22 mA/cm2时,器件的最大电流效率为4.48 cd/A.且器件的开启电压较低,在4 V工作电压下,亮度达到4.82 cd/m2.电压在5～12 V的范围内,发光色度几乎不随驱动电压或电流密度的改变而改变,稳定在x=0.17,y=0.16附近,处于蓝光中心区域.