有机聚合物光致抗蚀剂

日本NEC公司和三洋化成工业公司联合开发出可用于64Mbit DRAM生产的新型有机聚合物光致抗蚀剂材料。该材料在低温(200℃)下有较好的流动性,而且可在表面变差为0.3μm的芯片表面     

印制线路板用电沉积抗蚀剂

日本石油化学公司与大和屋商会公司联合开发出使用电沉积技术生产印制线路板用的光致抗蚀剂系统Oligo ED-UV,并准备今年秋季开始大规模联合营销。惯用的光致抗蚀剂膜厚大约为30μ以上,使其难于形成精细图形。这些树脂还发粘,在遮盖掩膜前必须冷却。新系统使用含有光敏剂的水溶性光固化树脂。该树脂可溶于水,并可用类似于电镀     

光致抗蚀剂的干式显影工艺

东京应化工业公司在千叶大学药学部津田穰助教授的协助下,开发成功了完全不用显影液等药物进行的光致抗蚀剂(感光树脂)的干式显影工艺,年内将正式出售成套装置。印制集成电路和大规模集成电路用的感光树脂的干式显影达到商品化,这在世界上还是首次。光致抗蚀剂有正负两种类型,它同照相一样,是用湿式显影方式处理的。但因负型抗蚀     

日本东洋曹达公司研制出超大规模集成电路用的负型光刻胶

东洋曹达工业公司研制成功了具有高感光度、高解像力、耐干腐性的,供超大规模集成电路用的负型光致抗蚀剂,从81年3月份起以(?)的商品牌号销售。该抗蚀剂是以聚苯乙烯为主要成份合成的,化学名为聚氯甲基苯乙烯。为了获得高解像力,光致抗蚀剂的原材料必需使用分子量分布极窄的聚合物。另     

日本合成橡胶公司研制负型光致抗蚀剂和压电橡胶

日本合成橡胶公司1975年以来研制了合成橡胶负型光致抗蚀剂(JSR-CBR 和 JSR-CIR)和压电橡胶(JSR-PCR)。JSR-CBR 是以丁二烯为原料,采用该公司发展的特殊合成工艺制成的,其质量均匀,纯度高,具有极好的耐高温性、粘结性、敏感性和     

世界成像化学品市场将飞速增长

美国Business Communications公司的一项研究报告指出,世界范围内光致抗蚀剂及其相关成像化学品的市场金额1991年为19亿美     

日本各公司竞相开发半导体用正型光致抗蚀剂

半导体用光致抗蚀剂正处于由负型向正型的转变之中,以迎接超大规模集成电路时代的到来。在正式的超大规模集成电路制品256K 随机存取存储器的批量生产同时,各公司在光致抗蚀剂的供应方面竞争激烈。目前以64K 随机存取存储器(RAM)为中心的正型抗蚀剂的市场占有率为东京应化工业和     

厚膜加工方便的感光性聚酰亚胺树脂

旭化成公司从成本和功能两个方面出发,开发了以简单的工艺进行厚膜加工的新的感光性聚酰亚胺树脂-パィメル,并开始上市。该树脂用于半导体器件的微细加工,采用一次涂膜可以加工成膜厚0.1～150μm的厚膜。而且在微细加工时,可利用大致与负型光致抗蚀剂相同的工艺和设备,具有高的功能,同时,成本降低。新型的对特定光反应的聚酰亚胺聚合物的分子结构有所改进,具有下列特点:①一     

国外光致抗蚀剂(光刻胶)概况

一、光致抗蚀剂(光刻胶)概况现代光致抗蚀剂开始于本世纪五十年代初期。美国柯达公司首先引进了聚乙烯醇肉桂酸酯的生产工艺,其产品以KPR商品名称供应市场。这种性能较好的光致抗蚀剂引入到电子工业,导致了电子工业的巨大革新和日新月异的发展。现在整个微电子工业中,各种半导体器件和集成电路都是采用光致抗蚀剂制造的。     

64M DRAM用光致抗蚀剂

日本东·公司与日本电气公司共同开发出64M DRAM芯片生产所必需的光致抗蚀剂,并于最近开始批量生产(在千叶工厂内)。这两家公司生产的新产品是供准分子激光曝光和电子束辐射所用     

硅系列光致抗蚀剂实用化

日立制作所生产技术研究所开发成功硅系列光致抗蚀剂《RU-1600P》,该产品对干蚀刻用的氧气等离子体的耐蚀刻性较目前产品提高30倍。即使在凹凸不平的基板上也能得到线宽0.5μm的解象力。如果选择合适的感光剂它还可适用于制造64兆位DRAM所必须的准分子激光曝光和电子束曝光。     

用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械

报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。要求的掩模数减到最少。同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先，光致抗蚀剂能直接涂敷，能直接光刻成形。此外，用光致抗蚀剂作牺牲层材料不影响结构的厚度和材料的选择。工艺优化后，结构洁净度、固定件与基片的结合强度及牺牲层去除速度都得到了改善。     

东京应化工业公司开发高精度液态光致抗蚀剂

东京应化工业公司的液态光致抗蚀剂,采用丙烯类共聚物代替了原来的聚乙烯醇肉桂酸酯。该抗蚀剂的成本为干膜的十分之一,解像力为干膜的二倍,作为干膜的代用品很引人注目。新抗蚀剂的价格预计为4,000日元/升左右,每平方米印制线路板用的抗蚀剂不到100日     

自显影光致抗蚀剂

美国桑迪亚国家实验室开发了一种自显影光致抗蚀剂——聚硅烷共聚物。该共聚物在紫外线(波长2,500■)下光解和挥发。当在表面上涂敷聚硅烷膜,并用紫外线照射膜上的图案时,膜的遮光部分保留,曝光部分除去,得到正图像。使用它可简便而迅速地生产亚微米线宽和更高解像率的超大规模集成电路。聚硅烷抗蚀剂的热稳定性、化学稳     

聚硅烷—高分辨的光致抗蚀剂

概述了光致抗蚀剂在微电子工业中的作用,着重介绍了聚硅烷光致抗蚀剂的特点,以及聚硅烷紫外、深紫外、X射线、电子未等抗蚀剂的发展状况     

一种新型光致抗蚀剂——负性自增感光敏聚酰亚胺

本文综述了一种新型光致抗蚀剂———负性自增感光敏聚酰亚胺的研究概况，着重论述了它的合成方法、感光机理、感度及其影响因素，以及新型二酐和二胺单体的开发情况。     

TS系列新型感光交联剂

据《电子材料》1982年第8辑报道,应用于光致抗蚀剂(光刻胶)中的TS系列双叠氮型感光交联剂由上海同济大学与苏州捷嘉电子材料器材厂联合研制成功。双叠氮型感光交联剂是环化橡胶负电性光致抗蚀剂、水溶性光致抗蚀剂及射线固化涂料中不可缺少的关键性添加材料。TS系列新型感光交联剂除     

知识介绍-光致抗蚀剂

光致抗蚀剂又名光刻胶,它是将感光性树脂溶解于适当的溶剂中,再加入添加剂(如增感剂等),经光照射后能发生交联、分解或聚合等光化学反应的高分子溶液。光致抗蚀剂是光刻工艺中的关键材料。     

印制线路用抗蚀剂

印制线路用光致抗蚀剂的种类表中按照光致抗蚀剂的物理形状进行分类,并分别列出其各种特征,使用者可以根据其特性灵活应用。如表1所示,干膜光致抗蚀剂各种性能都好,可广为应用。由于液态光致抗蚀剂是液体状的且存在对基板的涂布方法等问题,所以很难用在具有通孔的基板上形成图形,只能用于内层板等方面。而当用其作焊锡抗蚀剂时,尽管抗蚀剂膜会缺乏均匀性,但对线路的凹凸面来说,液体的随动性好,故可广为使用。     

抗蚀剂材料以及在光学元件方面的应用动向

一、前言一般所说的光致抗蚀剂,就是化学蚀刻掩模上涂布的高分子感光材料。从用于半导体元件制造的柯达公司的商品—Kodak Photo Resist,到类似的材料,都称之为“光致抗蚀剂”(Photoresist)。近来,由于照射用的光源已从可见光扩展到X射线,