掺杂物对PSN-PSZT系统准同型相界附近的介电和压电性能的影响

采用传统含铅压电陶瓷工艺制备了不同掺杂物 (La2 O3、MnO2 、MnCO3、SiO2 )掺杂 0 .0 2Pb(Nb1 2 Sb1 2 )O3- 0 .98Pb0 .84 7Sr0 .1 53(Zr0 .55Ti0 .4 5)O3系压电陶瓷材料 (简称PSN -PSZT)。研究了不同掺杂物对PSN -PSZT系准同型相界附近的介电和压电性能、频率温度系数的影响 ,得到了滤波器振子用压电材料 ,其性能为 :平面机电耦合系数Kp=5 6 % ,机械品质因数Qm=5 6 0 ,介质损耗tgδ为 0 .9% ,相对介电常数 (εr)为 195 0 ,频率温度系数TKfr=30ppm ℃ ,同时研究了不同掺杂物样品的电滞回线特征 ,探讨了掺杂物作用机理。     

掺杂对准同型相界附近PMN-PT陶瓷介电和铁电性能的影响

采用氧化物固相反应法制备了A、B位离子掺杂0．67Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0．33PbTiO3陶瓷,研究了掺杂对陶瓷的相结构、介电和铁电性能等的影响。Sm和La两种A位掺杂离子的引入,均较大幅度的降低了样品的介电常数峰温和声誉极化值,同时材料的最大介电常数也有了不同程度的降低。而随着B位离子Mn掺杂量的增加,使陶瓷样品中钙钛矿相逐渐增加,焦绿石相逐渐降低;而且部分掺杂的Mn离子会进入到晶格的B位,形成第二相;同时随着Mn离子掺杂量的增加,介电峰值逐渐增大,压电性能有所提高,弥散度依次增大。当锰掺杂量为1．5％mol时的压电陶瓷组分,其介电和压电性能各为：ε=2300,kp=0．54,Qm=900,tanδ=0．004,d33=400pC／N,适合于制作大功率压电陶瓷变压器。     

PMN—PT系陶瓷准同型相界附近结构与介电性能研究

用二次合成了法制备了（１－ｘ）ＰＭＮ－ｘＰＴ（ｘ＝０．３０，０．３３，０．３５，０．３８）陶瓷，并对其进行了微结构和介电性能研究，Ｘ射线衍射研究结果表明，除０．７０ＰＭＮ－０．３０ＰＴ为立方晶系外，其余三种均为四方晶系，其准同型相界位于ＰＴ含量为０．３０～０．３３之间，对试样的ｌｇ（１／ε－１／ε）与ｌｇ（Ｔ－Ｔｍ）关系研究表明，确立Ｔｍ以上的ε－Ｔ特性可引入指数ｎ表征，ｎ值的大小在１～２之间变化     

PLZT陶瓷的介电弛豫行为与A位有序

用传统粉末工艺合成了（Ｐｂ＿（０．８６５）Ｌａ＿（０．０９））（Ｚｒ＿（０．６５）Ｔｉ＿（０．３５））Ｏ＿３陶瓷（ＰＬＺＴ９／６５／３５）。Ｘ射线研究表明：试样中存在着Ａ位准体心立方有序超结构，有序畴的平均尺寸为１０～２０ｎｍ。测定了１０个频率下介电常数与温度的关系，并将介电常数最大值的温度Ｔ＿ｍ与对应的频率ｆ用Ｖｏｇｅｌ－Ｆｕｌｃｈｅｒ公式拟合，得到物理上合理的激活能及指数前项值，这表明试样的介电弛豫行为与自旋玻璃态类似。基于Ａ位有序超结构及类似于自旋玻璃态的极化行为，对试样的极化全过程进行了探讨。     

ZnO基材料的压电、铁电、介电与多铁性质研究进展

ZnO是一种纤锌矿结构的第三代宽带隙半导体材料,在光电和铁电器件领域具有优良的应用前景.本文综述了近年来ZnO材料在制备与诸如压电、铁电、介电与多铁等物理性质方面的研究进展,指出了ZnO在铁电、介电与多铁性质研究方面中存在的问题,并提出解决的思路.     

聚合物老化的介电性质

导言老化可以改变聚合物的介电吸收,特别是如果偶极的产生是在非极性聚合物的初期的话。本工作的目的是要证实诱导吸收谱带的特性与在一老化聚合物中由于老化过程而断链或交联而引起结构的改变之间的关系。     

PLZT陶瓷的介电驰豫行为与A位有序

用传统粉末工艺合成了（Ｐｂ０。８６５Ｌａ０．０９）（Ｚｒ０．６５Ｔｉ０．３５）Ｏ３陶瓷（ＰＬＺＴ／９／６５／３５）。Ｘ射线研究表明：试样中存在着Ａ位准体心立方有序超结构，有序畴的平均尺寸为１０－２０ｎｍ。     

BNT-BT-ST系无铅压电陶瓷的介电与铁电特性

采用传统固相反应法制备无铅压电陶瓷材料（0.944-x）Na0.5Bi0.5TiO3–0.056BaTiO3–100xSrTiO3（BNT–BT–100xST）。研究材料的相结构、介电、铁电及压电性能。结果表明：在研究的组成范围内,陶瓷材料均能形成纯钙钛矿固溶体;当ST摩尔掺量为0.03≤x≤0.04时,该体系陶瓷具有...     

PbTiO3超微粉的介电性质

对于平均粒径２０～２００ｎｍ的ＰｂＴｉＯ３超微粉，首次通过它们的压块研究了介电性质。在粒径为３５ｎｍ左右时介电常数旦现峰值。     

弛豫铁电材料的准同型相界研究

复合钙钛矿结构弛豫铁电材料尤其是单晶材料在准同型相界附近具有优异的介电、压电和机电耦合性能,因此有广阔应用前景.本文简要介绍了铅基弛豫型铁电材料的准同型相界及3类准同型相界的特点.着重对弛豫型铁电材料在准同型相界附近具有优异性能的原因进行了分析.     

铁电薄膜的材料系统与功能性质

集成铁电体把铁电材料与集成半导体技术联合起来,以发展出一批新的电子器件.铁电薄膜在其中发挥着非挥发性记忆、热释电、压电、光折变、抗辐射、声学的和/或介电的功能性质.在不同的器件应用中,铁电薄膜的材料体系是不相同的.在非挥发性存贮器(NVRAM)中,PZT薄膜面临着SrBi2Ta2O9(SBT)系列铁电体的强力挑战;Ba1-xSrxTiO3(BST)则可能出现在下一代高密度动态随机存贮器(DRAM)中.金属氧化物电极和/或过渡层可以克服Pt电极面临的一些问题,并有助于铁电薄膜的外延生长.     

CoS薄膜的制备和介电性质的研究

以CoCl2和Na2S为试剂,采用改进的化学浴沉积法在玻璃衬底上制备出了CoS薄膜,并分别以偏光显微镜和LCR仪对样品的形貌和介电性质进行了研究。     

煤粉及伴生矿物颗粒的介电性质研究

对煤粉的介电常数进行了研究.煤的分子结构、化学组成直接影响煤的介电常数,低变质程度煤的介电常数较高;随着煤化程度增加,介电常数减少,到中变质程度的烟煤阶段,介电常数最低;但是,随着煤化程度的进一步加深,介电常数又开始增加,在无烟煤阶段介电常数迅速增加.文章从理论上证明了煤及矿物混合颗粒群的介电常数满足立方根相加规律,为静电分选和摩擦电选技术提供理论依据.     

Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3系统准同型相界附近的介电、热释电和压电性能

用两步合成法制备了（１－ｘ）Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ｘＰｂＴｉＯ３系陶瓷,ｘ分别为０．２８,０．３０．０．３２,０．３４,０．３６,０．３８和０．４０,研究了试样的相组成以及介电,热释电和压电性能。ＸＲＤ结果分析表明：准同型要界在ＰｂＴｉＯ３摩尔分数ｘ＝０．３４￣０．３８处,组成在准同型相界附近的试样具有最大的介电常数,热释电系数和压电系数。介电性能测试结果还表明,组成在准同型相界附近的     

镍铬合金镀层的相组成和界层结构

生产搪资制品中的一个迫切问题是保护镍铬合金加热元件和焙烧器件免受高温腐蚀，为此研制出一系列玻璃釉质镀层成分，然而在镍铬合金工业生产中它们并没有被采用。     

Ln_2BaCuO_5附近组成的合成及其电学性质

本文报导采用不同的烧结条件制备Ln_2BaCuO_5(Ln=D_Y,Y)单相化合物,并通过改变组分之间的化学计量配比,研究了其物相与它们电学性质之间的关系。     

煤的介电性质和脱硫的关系

我国是煤炭资源丰富的国家,但不论是炼焦用煤或燃烧用煤都有一定数量的高硫煤。为了有效地利用煤炭资源,国内外对煤中硫分的特性、脱硫方法等进行了广泛深入的研究。据了解有十多种化学的或物理的脱硫方法,来降低煤中的硫分,以提高加工产品的质     

镧掺杂PMN-PT陶瓷在准同型相界处的相组成调控

采用两步预烧工艺制备Pb_{0.962 5}La_0.025(Mg_1/3Nb_2/3)_1-zTi_zO₃(z=0.28、0.29、0.30、0.31)陶瓷,其准同型相界(MPB)的化学组成位于PbTiO₃含量为0.29 mol和0.30 mol附近。选取准同型相界两侧的化学组成,制备四方晶相Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.66Ti_0.34O₃和三方晶相Pb_1-1.5xLa_x(Mg_1/3Nb_2/3)_1-yTi_yO₃(x=0.083 3~0.041 7,y=0.206 7~0.273 3)陶瓷粉体。将两种晶相粉体按照设计比例(三方晶相摩尔分数w=0.3、0.4、0.5、0.6)混合,干压成型,烧结成化学组成相同、晶相占比不同的Pb_{0.962 5}La_0.025(Mg_1/3Nb_2/3)_0.70Ti_0.30O₃陶瓷。研究了晶相组成对陶瓷压电性能、介电性能、铁电性能的影响。结果表明,高温烧结后,陶瓷中的三方晶相和四方晶相占比与配料比基本一致。当w=0.5时,1 250 ℃烧结陶瓷中三方晶相与四方晶相含量占比分别为0.47、0.53,晶粒平均尺寸为(5.24±0.23) μm,相对密度为96.76%。陶瓷的压电应变常数d₃₃、径向机电转换系数k_p、厚度机电转换系数k_t、相对介电常数ε_r、剩余极化强度P_r和场致应变系数S(1 Hz、3.5 kV/mm)分别为1 014 pC/N、0.67、0.64、10 955、24 μC/cm²和0.21%。该方法可人为调控化学组成位于准同型相界的陶瓷的晶相占比。     

PLZT驰豫铁电陶瓷偏压压电效应的研究

本文研究了铌掺杂的ＰＬＺＴ驰豫铁电陶瓷在不同直流偏压及温度下的介电常数ε３３,平面机电耦合系数ｋ和等效横向压电常数ｄ３１。实验表明,铌掺杂的ＰＬＺＴ驰豫铁电陶瓷ｄ３１值可由直流偏压控制及ｄ３１值的温度系数远小于ＰＭＮ－ＰＴ系陶瓷。室温上２ｍｏｌ％和３ｍｏｌ％的铌掺杂的ＰＬＺＴ１０／６５／３５驰豫铁电陶瓷在１０ＫＶ／ｃｍ的偏压下│ｄ３１│分别为２０５ｐＣ／Ｎ和１６０Ｃ／Ｎ。     

PZN－PFN－PFW系陶瓷的介电性质和钙钛矿相的稳定作用

研究了Ｐｈ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）ｘ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）０．６４－ｘ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）０．３６Ｏ３（ＰＺＮ－ＰＦＮ－ＰＦＷ）系陶瓷中ＰＺＮ含量与焦录石相形成间的关系，以及少量添加剂对钙钛矿相的稳定和介电性能的影响。在该系中仅添加０．１５ｗｔ％ＭｎＣＯ３就可制备１００％钙钛矿型结构的陶瓷。文中报导了该系组成的相关系和介电性质。钙钛矿结构的陶瓷介电常数高，电容温度系数较低。