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1.
AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。 相似文献
2.
研诺逻辑科技有限公司宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V其半桥双金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。AAT4910双MOSFET驱动器采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。 相似文献
3.
LTM4611能产生自己的5V N沟道MOSFET栅极驱动,以实现从3．3VIN或更低的输入到0．8V（在高达15A）负载的高效率电压转换。具N沟道MOSFET 的可替代传统低输入电压大功率开关模式DC／DC转换器需要第二个稳压器电路,以提供逻辑电平MOSFET所需的5V栅极驱动。就3．3VIN～2．5VOUT而言,LTM4611在满负载（15A）时的转换效率为92％,而在2．5VIN～1．5VOUT和1．5VIN～0．9VOUT时则分别为88％和81％。 相似文献
4.
凌力尔特公司（Linear Technology）推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压（100V）、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。 相似文献
5.
APL5610／A是茂达电子所推出的低压差稳压控制IC,工作时外部需要搭配一颗N沟道MOSFET做为传送组件,IC输入电压操作范围在4．5V～13．5V,内部提供0．8V参考电压,搭配外部负反馈分压电阻可让使用者自由设定输出电压。稳压器的输出电流则由外部N沟道MOSFET来决定,能实现非常高的输出电流,并且能有极低的压差电压。APL5610／A适用于主机板、笔记本电脑等应用。 相似文献
6.
AUIRS2016S是一款高电压功率MOSFET高侧驱动器,具有内部电压尖峰对地充电NMOS。这款器件的输出驱动器配备一个250mA高脉冲电流缓冲级。相关沟道能够在高侧配置中驱动一个N沟道功率MOSFET,可在高于地电压达150V的条件下工作。AUIRS2016S还可提供负电压尖峰免疫性（VS）,防止系统在大电流切换和短路情况下发生灾难性事件。 相似文献
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ISL8107具有超宽的输入电压范围9～75V,内部的1．192V参考电压在整个工业温度范围内的精度为±1％。该器件集成了一个上位N沟道MOSFET驱动器,可用来驱动连接正电源且没有参考地的MOSFET。 相似文献
8.
凌特公司(Linear Technology)推出一个6A MOSFET栅极驱动器LTC4441,使DC/DC控制器能够驱动更高功率的 N 沟道 MOSFET 或多个并联MOSFET,从而提高了DC/DC 控制器的输出功率和效率。LTC4441的栅极驱动电压在5V~8V范围内可调,使设计师能够选择标准门限或逻辑电平 MOSFET,而不仅仅局限于用一种类型的 MOSFET或使用两种不同的MOSFET驱动器。LTC4441还提供具有可调前沿消隐的漏极开路输出,以防止检测功率MOSFET源极电流时振铃。LTC4441具有从 5V~25V的宽输入电源电压范围,为电信和工业系统中增加输出功率能力提供了一… 相似文献
9.
NCV8876非同步升压控制器工作输入电压范围为2～44V，带有自动唤醒及关闭功能，其设计用于为汽车启动一停止条件期间提供最小输出电压，以应付汽车电池电压突降。当供电电压下降至低于7．2V时，NCV8876启动;一旦此电压降至低于6．8V，升压工作启动，NCV8876驱动外部N沟道MOSFET。 相似文献
10.
车用三相栅极驱动ICAUIR S20302S能够驱动6个通过自举供应高侧驱动电路的N通道功率MOSFET或IGBT。该器件还具备嵌入式死区时间、防止交叉传导功能、以及配备诊断功能的欠压保护和过流保护。新器件采用专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术,可以加固整体单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出相兼容,低至3.3V逻辑。AUIR S20302S适合12V、24V和 相似文献
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