七号信令ISUP协议的一致性测试

本文在简单描述协议一致性测试基本概念的基础上，阐述了ＩＳＵＰ协议一致性测试的理论和方法。详细介绍了已经研制成功的ＩＳＵＰ协议的一致性测试系统。     

SDH DCC管理信息通信的协议栈

本文介绍ＳＤＨＤＣＣ协议栈各层的主要内容和特征，特别是面向目标的应用层ＣＭＩＳＥ、ＲＯＳＥ、ＡＣＳＥ，网络层的路由参数以及数据键路层的ＬＡＰＤ。并给出了各层ＰＤＵ间的对应关系。最后举出两种网络单元中协议栈配置的实例。     

深亚微米薄膜SOI MOSFET的二维数值模拟

本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ不同于厚膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的工作机理及特性，发现薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比，两者吻合得较好。     

COMPACT STAR信函分拣机及SATRUN网络邮件处理系统

ＣＯＭＰＡＣＴＳＴＡＲ信函分拣机及ＳＡＴＲＵＮ网络邮件处理系统卡特一、ＣＯＭＰＡＣＴＳＴＡＲ信函分拣机ＣＯＭＰＡＣＴＳＴＡＲ分拣机采用标准组件的模块化概念，光纤传输及先进的信函跟踪与控制技术，分拣速度达每小时３．８万封信件。产品质量符合ＩＳＯ９００１...     

Net Test推出MPLS interEMULATOR3.0版

ＮｅｔＴｅｓｔ（前ＧＮＮｅｔｔｅｓｔ）公司日前发布了ＭＰＬＳｉｎｔｅｒＥＭＵＬＡ ＴＯＲ３．０版 ,其中增加了对ＯＳＰＦ（ＴＥ）、ＢＧＰ -４和ＩＳ -ＩＳ（ＴＥ）路由协议和下行任意标记映射的支持。此外 ,ＭＰＬＳｉｎｔｅｒＥＭＵＬＡＴＯＲ３．０现在可以从ＯＰＮＥＴＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ公司产品中引入网络拓扑结构 ,消除了劳动密集型的网络建模数据录入工作 ,保证了迅速设计和部署复杂的ＭＰＬＳ网络。随着越来越多的设备制造商和网络运营商开发和部署ＭＰＬＳ战略 ,测试和验证ＭＰＬＳ网络和网络元器件的坚固性、可扩充…     

ＬＳ—ＪＴＡＧ边界扫描测试系统的设计与实现

文章介绍了基于ＩＥＥＥ１１４９．１，协议在ＬＳ－ＪＴＡＧ边界扫描测试系统的设计和实现，系统以ＬＳ－ＪＴＡＧ主控器的核心，可以实现对支的支持协议的ＶＬＳＩ，ＰＣＢ，ＭＣＭ和其它数字系统进行边界扫描测试。     

MOSFET衬底电流模型及参数提取

在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近,可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。     

欧美的数字声音广播（DAB）技术

本文介绍和比较了欧洲Ｅｕｒｅｋａ－１４７和美国ＵＳＡＤＲ两种数字声音广播体制，讨论了信源编码算法ＭＵＳＩＣＡＭ，以及编码正交频分复用（ＣＯＦＤＭ）和带内同频（ＩＢＯＣ）传输技术。     

THE OUTPUT OPTICAL FIELD INTENSITY DISTRIBUTION FORMED BY AN OPTICAL FIBER END

ＴＨＥＯＵＴＰＵＴＯＰＴＩＣＡＬＦＩＥＬＤＩＮＴＥＮＳＩＴＹＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮＦＯＲＭＥＤＢＹＡＮＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲＥＮＤ￥ＹＵＡＮＬｉ－Ｂｏ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＨａｒｂｉｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ...     

SOPHOSET和LAM的结构特点与功能

ＨＪＤ０４－ＩＳＤＮ交换机通过测试邮电部电信传输研究所对ＨＪＤ０４－ＩＳＤＮ综合交换机进行了技术指标测试，测试内容包括“Ｕ”接口、ＰＨ功能、数据链路层一致性、ＤＳＳ１协议３层协议一致性等部分，共计数百项指标。测试结果表明，ＨＪＤ０４－ＩＳＤＮ交换机完...     

凹陷沟道SOI器件的实验研究

本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能．采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ、源漏区硅膜厚度为１６０ｎｍ、有效沟道长度为０．１５～４．０μｍ的高性能凹陷沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，它与常规薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ相比，跨导及饱和漏电流分别提高了约４０％．     

SDLC的空间链路连接

ＳＤＬＣ是ＩＢＭ地面网的数据链层协议，本文以ＨＵＧＨＥＳ ＩＳ－ＢＮ系统为例，阐述了ＳＤＬＣ在空间链路上的处理，ＳＤＬＣ协议与ＯＤＬＣ协议转换，地面线路和空间链路的连接和传输模式。     

利用电子束掺杂技术制备微米,亚微米P—MOSFET器件

本文对辉光放电电子束在ＭＯＳＦＥＴ中的应用进行研究。结果表明，利用辉光放电电子束掺杂方法成功地实现了微米、亚微米Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ。器件的漏流小，Ｉ－Ｖ特性好，源漏结浅、均匀和横向掺杂效应小。此方法与常规ＭＯＳ工艺兼容，所需的设备结构简单、操作方便，价格低廉，易于推广到ＶＬＳＩ中去。     

CMOS跨导电容滤波器

提出了采用ＭＯＳＭＯＯＴＡ、ＭＩＯＴＡ和电容器设计任意滤波器的方法。通过网络函数的直接模拟，导出了任意主阶传输函数的两种ＯＴＡ－Ｃ实现电路，并在此基础同了具有最不秀源元件的任意波器。文中给出了滤波器的设计实例和ＰＳＰＩＣＥ模拟分析，以证明本文所提方法的可行性。     

OPTICAL FIBER-MOBILE COMMUNICATION

ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ...     

CMOS／SOI电路模拟与参数提取

ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。     

国外军事卫星通信发展趋向:民转军、军民结合

观念的转变２０世纪７０年代以来,西方国家和前苏联等建立了一系列的军事卫星通信系统,如美国的ＦＥＥＴＳＡＴＣＯＭ、ＤＳＣＳ、ＭＩＬＳＴＡＲ,英国的ＳＫＹＮＥＴ,北大西洋公约组织的ＮＡＴＯ,法国的ＳＹＲＡＣＵＳＥ,前苏联的ＣＯＳＭＯＳ、ＭＯＬＮＩＡ等,它...     

包含自加热效应的短沟道SOIMOSFET直流模型

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应,对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效应的分析,建立了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的自加热效应模型,在此基础上给出了一个包含自加热效应的短沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流模型,并对该模型进行了验证。     

薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析

提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型．并在该模型基础上,给出了一种分析薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法．利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并定量分析了场ＳｉＯ２界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响．首次提出了临界场ＳｉＯ２界面电荷密度的概念,并研究了其与漂移区掺杂浓度的关系．而且计算结果与ＭＥＤＩＣＩ模拟结果符合得很好．这些为漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的优     

高压RESURF LDMOSFET的实现

利用ＲＥＳＵＲＦ技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ。本文介绍了该高压ＬＥＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺测试结果，此外，本文还从实验和分析的角度探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅－金属栅场板长度ＬＦ对ＲＥＳＵＲＦ器件耐压的影响。