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相比传统热阴极 X射线源而言,碳纳米管 X射线源具有结构紧凑、高时间分辨率、可编程式发射等优势,因此可以采用电子式的扫描方式取代传统扫描方式,提高采集图像的时间分辨率,减少运动伪影,降低辐射剂量。文章针对该新型 X射线源静态扫描系统进行软硬件平台设计。其中,硬件平台集成了多光束 X射线源及其驱动电路、高压发生器、复合真空计和数字平板探测器;下位机软件采用 Quartus II开发平台,Verilog硬件描述语言,实现多路脉冲及触发信号的产生;上位机软件平台采用 LabVIEW图形化编程工具,实现多台仪器的集成控制,完成多光束 X射线源静态扫描、高压控制、真空度监测和图像采集功能。本系统设计通过实验验证,可实现多光束碳纳米管 X射线源脉冲式静态扫描成像,为碳纳米管静态 CT的研制提供了实验和测试平台。 相似文献
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多光束激光围栏是一种新型警戒装置,由半导体激光器和光敏三极管组成光开关,形成触发信号,由8051单片机控制报警器报警. 相似文献
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采用酸氧化法对多壁碳纳米管(MWCNTs)进行表面修饰,并研究了基于MWCNTs/羟乙基纤维素(HEC)复合体系的结露传感特性。通过红外光谱和热失重分析对MWCNTs进行了结构表征。氧化处理有效提高了MWCNTs的分散性。基于改性MWCNTs的结露元件与本征MWCNTs的器件相比表现出更好的开关特性。结露元件在相对湿度(RH)为75 %RH以前伴随湿度变化,电阻变化非常小,而在85 %RH以后呈现电阻的非线性增大。MWCNTs在复合膜中的最佳质量分数约为22 wt%,在100 %RH下灵敏度达到31。 相似文献
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Yoon‐Ho Song Kwang‐Bok Kim Chi‐Sun Hwang Dong‐Jin Park Jin Ho Lee Kwang‐Yong Kang Ji Ho Hur Jin Jang 《Journal of the Society for Information Display》2005,13(3):241-244
Abstract— An active‐matrix field‐emission display (AMFED), based on carbon‐nanotube (CNT) emitters and amorphous‐silicon thin‐film transistors (a‐Si TFTs), was developed. The AMFED pixels consisted of a high‐voltage a‐Si TFT and mesh‐gated CNT emitters. The AMFED panel demonstrated high performance for a driving voltage less than 15 V. The low‐cost large‐area AMFED approach using a metal‐mesh technology is proposed. 相似文献
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在X射线成像检测厚薄不均构件时,经常会出现对比度低或对比度不均以及照度低的问题,这会导致图像显示时构件的一些细节难以被观察与分析。针对这一问题,提出一种基于梯度场的X射线图像增强算法。该算法以梯度场增强为核心,分为两步:首先,提出一种基于对数变换的算法,压缩图像的灰度范围、去除图像冗余灰度信息、提升图像对比度;然后,提出一种基于梯度场的算法,增强图像细节、提升图像局部对比度、提高图像质量,使构件细节清晰显示在检测屏上。选择一组厚薄不均构件的X射线图像进行了实验,并与对比度受限自适应直方图均衡化(CLAHE)、同态滤波等算法进行了比较。实验结果表明所提算法具有更明显的增强效果,能更好地显示构件的细节信息,并且通过计算平均梯度和无参考结构清晰度(NRSS)纹理分析的定量评价标准进一步表明了该算法的有效性。 相似文献
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利用电泳沉积的方法在MEMS结构特定位置上组装碳纳米管薄膜,以此作为发射体研制基于碳纳米管场发射的传感器,并对其场发射进行了测试和分析.电镜观测与场发射实验结果表明,利用电泳沉积方法可以只在MEMS结构的特定位置沉积碳纳米管薄膜,对于4μm的发射间隙、该薄膜的场发射开启电压约为3.6V~4V,发射电压20V时的发射电流可至28μA.这种“post-MEMS“的碳纳米管薄膜组装方法具有工艺简单的特点,同时避免了碳纳米管生长对MEMS工艺环境以及器件的污染、破坏,实现了纳米材料组装与MEMS工艺的兼容. 相似文献