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端镜面镀膜对具有DC—PBH结构的MQW—LD光电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
报告了具有DC-PBH(双沟平面掩埋异质结构)的MQW-LD(多量子阱激光器)端镜面镀膜对阈值电流Ith和激射波长γp的影响。指出:端镜面镀高反射膜HR(反射率R2=75% ̄90%),Ith可降低3.8 ̄5.1mA,γp加长4nm左右;端镜面镀增透膜AR(反射率R1=10% ̄15%),Ith将增加3mA,波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。 相似文献
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程奇 《大气与环境光学学报》2000,(6)
Bandwidth9的研究人员已开发出第一台单片集成电路长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)。这台单横模器件发射波长为1.6μm,完全能在一个适合于批量生产的简单外延生长过程中被生成。至今生产的长波长VCSEL都是采用复杂的工艺来制作的,对大批量生产效益不高。Bandwidth9VCSEL由一个晶格匹配的底端分布式Bragg反射镜(DBR)、一个InGaAs量子阱激活区和一个顶端变形的DBR组成。变形材料允许高反射率和直接电流注入。电子和光学约束由选择性氧化物完成。一台9μm的器件常温下连续波的输出能量达到0.45mW,连… 相似文献
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本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流Icm=20A,最大耗散功率Pcm-250W,C-E结反向击穿电压VBR(ceo)≥900V,C-B结反向击穿电压VBR(cbo)≥1200V,属国内首创,技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。 相似文献
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我们已开发117cm(46英寸)高分辨率、高亮度和高对比度背式投影显示器,这各显示器能自动地显示三种方式的图象,例如:LD(NTSC)、LD-远景(NTSC)和DH。显示器的规格是水平分辨率800线(16:9),1370cd/m^2(亮度峰值)、100(对比率)和672mm厚度。此篇文章报导有关实现这种高性能显示器的技术。 相似文献
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分辨率高达200dpi(每英寸点数)的超高精细TFT-LCD监视器已出台。显示器是16型(41cm对角线)QSXGA级(2560×2048×R·G·B色像素)。亮度达150~200cd/m2。显示板由四个驱动LSI电路驱动,该技术也将用于20.8型QXGA级TFT-LCD监视器,估计1999年底量产。超高分辨率TFT-LCD监视器@贾正根 相似文献
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M otorola公司的 MRFIC1859是一款双频单电源(3.6V)RF集成功率放大器,设计用于GSM900/DCS1800手持无线装置。改变匹配电路,它也可以用于3频GSM900/DCS1800/PCS1900装置。3.6V下的典型特性是:GSM:Pout=35.8dBm, PAE=53%;DCS: Pout=34dBm, PAE=43%。它具有一个宽频带(900-1800MHz)内部负电压产生器,此负电压产生器是基于输入载波经2级缓冲器放大后的RF整流(见图1)。这种方法消除了采用dc/dc… 相似文献
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关于铜布线器件海外数家厂 商已经有产品发布。在世界上最先批量交付铜布线器件的IBM与Motorola并列其名,而与该两家公司可比的Foundry厂商及PLD/FPGA制造商的动向也引人注意,尤其是UMC(联电)与Xilinx已进行了铜布线工艺的共同开发,并开始交付采用其成果的FDGA。此外,TSMC(台积电)从2000年第4季度开始按 0.13μm工艺生产,并实现了各层铜布线。用同样工艺,Altera已批量生产PLD等产品。CharteredSemiconductor Manufacturing也… 相似文献
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脉冲激光沉积铌酸锶钡铁电薄膜及其性能表征 总被引:3,自引:0,他引:3
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在MgO、LSCO/MgO衬底上在位制备了铌酸锶钡(SBN)铁电薄膜,发现SBN薄膜在MgO、LSCO/MgO衬底上均呈(001)择优取向。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表明SBN薄膜的晶粒细小致密,铁电微畴尺寸约为200nm。SBN薄膜的剩余极化强度为18.6μC/cm2,矫顽场为22.3kV/cm。 相似文献
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1PCM1600Y的主要特性PCM1600Y是美国Burr-Brown公司于1999年10月正式宣布推出的高性能单片六声道音频DAC,广泛用于A级DOLBY-DIGITAL解码器、DTS解码器、数字AV功放、带AC-3,DTS,MPEG多声道音频解码的DVD、DVB等领域。PCM1600Y的主要特性包括:24bit分辨率可接受16/18/20/24bit字长的输入音频数据动态性能优异(V_cc=5V时)动态范围DR:105dB(典型值)信噪比SNR:105dB(典型值)THD+N:0.0015%… 相似文献
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OPTICALFIBER-MOBILECOMMUNICATION¥FENGXi-Yu;SUNTie-Cheng(DalianUniversityofTechnologyDalian116023)Abstract:Thetechniqueofmobil... 相似文献
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基于SRAM的可重配置电路 总被引:2,自引:0,他引:2
基于SRAM的可重配置PLD(可编程逻辑器 件)的出现,为系统设计者动态改变运行电路中PLD的逻辑功能创造了条件。PLD使用SRAM单元来保存它的配置数据决定了PLD内部互连和功能,改变这些数据,也就改变了器件的逻辑功能。由于SRAM的数据是易失的,因此这些数据必须保存在PLD器件以外的EPROM,EEPROM或FLASH ROM等非易失存储器内,以便系统在适当的时候将其下载到PLD中,从而实现在电路可重配置ICR(In—CircuitReconfigurability,在电路可重配置)。 如何实… 相似文献