掩模检查设备

<正> LSI、VLSI正以飞快的速度向微细化、高集成化方向发展着,目前已从批量生产的64K位DRAM向256KDRAM逼近。随着设计规划的缩小,将光掩模(以下简称掩模)图形转印到硅片上的光刻方法也正从接触式曝光向投影式曝光乃至缩小投影的步进曝光方式迅速变化着。     

光学曝光系统

<正> 半导体集成电路是在不断追求高密度和低成本的过程中发展起来的。今天,64KDRAM已发展到了全盛时期,256KDRAM 也进入了批量生产阶段。光学曝光设备也随着这些器件的发展,由接触式光刻发展到1:1反射投影式及缩小投影的分步重复式光刻,同时实现了高精度化及多功能化。上述发展的结果,导致     

硅片检查设备

<正> 近期半导体技术的发展使得器件生产正在从批量生产的 64KDRAM 向256KDRAM 迅猛发展,并日益缩短着向1M 位、4M 位 DRAM发展的进程。与此同时,采用缩小设计法测的微细加工技术的高精度化及在更洁净的环境中加工、检测等工作亦越发为人们所注目。     

M5K416S型自备刷新功能的64DKRAM器件

1980年,各公司都制作出了64K动态RAM(64K DRAM)样品,1981年将进入批量生产的竞争时代。 三菱电机公司于1979年11月开始提供5V单电流工作的高性能64KDRAM样品,其后又对其规格、特性和质量作了改进,1980年9月制作成功质量与16KDRAM一样的高性能64K DRAM(产品型号:M5K 4164S),并已达到批量生产水平。     

集成电路测试处理机

最近,集成电路的微细加工技术,已经能够形成1μ的图形,集成度从LSI推进到VLSI。从而64KDRAM、256KDRAM等集成度大的器件的大量生产如今已成为现实。集成度有以2倍/年的比例增加的倾向。可以预测,高集成化将会更加向前迈进。随着集成度的增加,器件高速化;随着位数和门数的增加,呈现出了多引线化的倾向。     

具有折式位线的HM4864

半导体IC生产迅速发展的重要原因在于大容量RAM已经能够大量地用在从大型计算机到游戏机等各种数字装置中。其中以体积小、价格便宜、已走向技术革新尖端行列的动态RAM数量最多。并且,现在正加快步伐把最先进的3μm技术用于64KDRAM的试制和生产。预计这种单5V电源器件在今后的数年内将促进数字机的进一步普及和发展。     

MCM6664型自备刷新功能的64KRAM

一般说来,由于动态随机存取存贮器集成度高,所以价格便宜,但另一方面它必须有对存贮器进行刷新的控制电路等等麻烦的设计。 莫托洛拉公司为了使以前的动态随机存取存贮器(DRAM)更便于使用,在64K动态随机存取存贮器上附加了刷新控制用的引线(参看图1)。这个附加有刷新控制电路的64K动态随机存取存贮器MCM6664采用了HMOS(高性能金属氧化物半导体)工艺,是运用N沟硅栅技术制造的,所以它的存取时间短。并且由于采用+5V单电源,故可减少功耗,还兼有刷新控制功能,可以说MCM6664型64KDRAM是一种具有非常高综合性能的产品。     

瑞萨的SIP(Solution Integrated ProductTM)系统与插件技术的融合

<正>相互对立的构想 对电子产品的小型化和高性能化的无止境的追求使得半导体大规模集成化和高密度配置技术日新月异地不断进化。 芯片、插件、还有电路板,各方面的高集成化都在不断发展。就芯片方面来说Soc(system ona chip)已成为主流。而在插件方面,过去曾采     

电子元器件国内外现状、趋势及关键技术

<正>1世界现状体积越来越小,电路密度越来越高,传输速度越来越快,新型电子元器件正在向片式化、微型化、高频化、宽频化、高精度化和集成化方向发展。     

以技术报道为犁 深耕电子信息材料与元器件的核心价值——《行业资讯》开栏寄语

<正>这是一方技术的沃土,这就是电子信息材料与元器件领域。电子信息材料正向着大尺寸、高均匀性、高完整性、以及薄膜化、多功能化和集成化方向发展,然而核心技术的匮乏成为长期制约中国元器件产业发展的一大痼疾,低端市场的恶性竞争不断上演。规避过度竞争的市场红海     

卡诺FPA__1500型缩小投影光刻机

<正> 为了迎接256KDRAM正式大批量生产的到来,就要搞清楚做为关键生产设备——缩小投影光刻机的性能及光刻技术极限,人们对这种对未来生产具有潜力的设备寄于很大希望。在这种情况下,用户要求这种设备具有更高的分辨能力,更好的对准精度,更佳的生产效     

0.4～0.25μm时代的栅氧化膜形成技术

<正> 1 前言对于 MOS 晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm 工艺技术的64MDRAM 中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM 中则要减薄到8nm。对于高性能 CMOS 逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM 还要早一个时代,对于0.25μm 工艺来说,则要求使用6nm 这样极薄的氧化膜。为了降低热载流子对可靠性的影响,电源电压将从5V 调得更低一些,各类栅氧化膜大体上都会附加一定的电场。但是,对于高集成化来说,由于芯片面积的增大,也就是说,伴随栅面积的增大而如果     

把握“十一五”契机 推进封装业持续发展——第四届中国半导体封装测试技术与市场研讨会开幕报告

<正>随着电子技术的飞速发展,电子产品正朝着微型化、轻便化、多功能化、高集成化和高可靠性方向发展,而半导体器件与集成电路的封装也朝着多引脚、细间距、多芯片系统级的封装方向迈进。一、所面临的机遇     

光学微细加工技术的发展和我所的历史使命

<正> 光学微细加工技术的飞速发展 目前,世界微电子器件正朝着高集成化、高功能化和高可靠性的理想境界发展,不断缩小图形线宽,增大晶片尺寸,采用新的设计结构,从而导致微细加工设备更新速度加快。半导体工业的附加值和技术含量正不断移向微细加工领域,设备的作用越来越重要,半导体设备工业已成为向整个半导体     

富士通最先研制成 HEMT 64k位 SRAM

<正>据日本《电子材料》1991年第4期报道,日本富士通研究所最先研制成HEMT64k位SRAM.这种SRAM与通常半导体一样,在室温下已达到世界最高速存取时间1.2ns,集成度比以前16k位SRAM提高4倍,实现了高集成化.HEMT是新型的超高速器件,用作记忆元件,比目前所用的硅半导体的性能大为提高.这种LSI具有以下特点:(1)与双极SRAM     

超薄栅介质的可靠性研究

一、概述 随着亚微米工艺的日趋成熟,MOS集成电路的集成度也随之大幅度提高,所用的SiO_2在不断地减薄。例如,64KDRAM(动态随机存贮器)的氧化层厚度为30～40nm,256KDRAM的氧化层厚度为15～25nm,1MDRAM和电可擦可编程序唯读存贮器(EEPROM的氧化层厚度小于10nm。如图1所示。 氧化层不仅可用作MOSFET的栅介质,还可构成动态存贮器的存贮电容,并提供器件之间的隔离层。随着集成度的提高,芯片面积不断增大,器件尺寸按比例缩小,栅介质的不稳定和击穿等成为MOS集成电路失效的主要原因。例如,在EEPROM中,隧道击穿是导致其疲劳损坏的主要原因。因此,了解、分析、提高超薄栅介质的稳定性与可靠性是十分必要的。     

电子束曝光技术

大规模集成电路的微细化和高集成化发展速度惊人,预计在八十年代后半期会出现最小图形尺寸为0.5μm的16M动态随机存取存储器(RAM)的样品,在九十年代初会出现最小图形尺寸为0.25μm的64M动态RAM的样品。对此,一般认为以往所用的光学步进曝光机的分辨率极限达到了亚微米的上限。     

塑封器件的耐湿性问题

目前国外集成电路(IC)封装的主流是塑料封装,而且最常用的是环氧树脂低压递模法(transfer molding)的树脂封装.IC80%,分立器件90%以上,民用器件几乎100%采用塑料封装.其中环氧塑封占90%,硅酮塑封已退居次要地位.这种变化是由于管芯制造技术(钝化技术等)的进步和塑封材料可靠性的提高,日益扩大了塑封的适用范围.国外64KDRAM原来完全采用陶瓷封     

国外模拟IC的发展现状分析

本文主要根据电子整机的发展要求,从集成化、高性能和高可靠等三方面分析国外模似IC的发展,进而说明模拟IC总的发展趋势及其表现。最后指出,模拟IC正面临一个新的变革时期。     

耐熔金属硅化物技术

<正> 一、前言迫切需要高集成化和高速化的动态RAM,与其他LSI相比,常常积极采用最尖端技术,因而扮演了工艺技术尖兵的角色。目前在以2μm设计规则工艺为基础的256K动态RAM中,为了提高速度,在栅电极制作上已经部分地采用了多晶硅-硅化物结构(在多晶硅上形成耐熔金属硅化物的双层结构),从而开始了新材料在超LSI上的真正适用期。随着LSI向1M、4M、16M的高集成化微细化方向发展,栅电极布线电阻的增大问题,伴随浅结化而产生的扩