新型有机硅灌封胶

<正>道康宁公司电子部近日推出专用于注塑(压塑、模塑)和涂覆工艺的新型有机硅灌封胶——道康宁OE-6636。该产品符合LED封装基板的工艺要求,具有稳定的     

LED陶瓷基板烧成用高温超平板国产化探索研究

随着LED产业的快速发展,解决制约LED寿命的散热陶瓷基板问题也变得尤为重要,因此LED陶瓷基板烧成用高温超平板的国产化研究也迫在眉睫。本工作通过对进口超平板和试制超平板性能进行对比,来探索超平板国产化问题的可能解决方法,为下一步的国产化研究奠定一定的理论基础。凝胶注模成型未来有望成为解决国产超平板问题的新工艺。     

陶瓷金属化中的化学反应及热力学考虑

微电子技术中基板的金属化是为安装ＩＣ芯片和布线，应用较广泛的金属化方法是厚膜技术。厚膜金属化是一个复杂的物理化学过程，厚的附着主要通过玻璃结合和反应结合两种方法来实现，要提高厚膜的附着力和电性能等。必须考虑化学反应的热力学，选择合适的导体浆料，主要是玻璃料和活性粘合剂，有效地控制金属化层与陶瓷的界面，玻璃结合与反应结合是提高厚膜质量的有效手段。     

臭氧发生器用AlN陶瓷基板材料的研究

为了提高臭氧发生器的臭氧产量,要求臭氧发生器用的陶瓷基板材料具有较高的介电性能和热导率.本文研究了掺杂成分CaO、Y2O3、YF3、(Y,Ca)F3对臭氧发生器用AlN陶瓷基板材料的相对密度、热导率、介电常数、介质损耗等性能的影响.采用XRD分析其物相和SEM观察其显微结构,结果表明,掺杂成分对改善陶瓷基板材料性能的作用大小依次排列为(Y,Ca)F3>YF3>Y2O3>CaO,最适合的掺杂配方是(Y,Ca)F33.0wt%,YF32.0wt%,Y2O31.0wt%,CaO1.0wt%.     

电子封装用高导热AlN陶瓷基板研究进展

高导热AlN陶瓷是新型功率电子器件重要的基板材料,在5G通讯、微波TR组件、IGBT模块等高端电子器件领域具有广泛的应用。综述了国内外电子封装用高导热AlN陶瓷基板及其制备技术的研究进展。探讨了晶格氧、非晶层、AlN晶粒尺寸、晶界相及气孔等微结构因素对AlN陶瓷热导率的影响。提出选用高纯超细AlN粉体原料,合理选取烧结助剂的类型与添加量,优化排胶、高温烧结与热处理工艺是改善AlN陶瓷结构,实现AlN陶瓷热导率提升的有效途径。     

直接敷铜陶瓷基板及制备方法

直接敷铜技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术,随着大功率模块与电力电子器件的发展与要求,直接敷铜已从氧化铝陶瓷基板发展到其他陶瓷基板。介绍了国内外陶瓷基板直接敷铜技术、理论研究、新进展和今后的发展趋势。     

大功率LED中常用陶瓷基板研究

为解决大功率LED散热问题,简要介绍了大功率LED对基板材料的要求,分析了陶瓷基板在大功率LED领域应用的重大意义,概述了几种常用陶瓷基板材料的优缺点。指出氮化铝陶瓷基板综合性能最好,是未来大功率LED理想的基板材料。复合陶瓷基板材料综合了各种材料的优点,是大功率LED基板材料的发展趋势。     

日本电石工业开发最薄氧化铝基板

<正>日本电石工业(日本カーバイド工業株式会社)成功开发出适用于片状电阻的氧化铝基板。与传统的积层法多层板技术不同,该公司采用银电极立体印刷技术和沟槽蚀刻技术生产了具有3D结构的单层氧化铝基板。该技术工艺简便,成本低廉,目前不仅已推出部分样品,并且已正式决定投入生产。作为当前全球最薄的氧化铝基板,其在发光二极管、芯片等方面有着潜在的应用价值。     

功率半导体模块用陶瓷覆铜基板质量测试评价体系的研究

功率模块用陶瓷覆铜基板在电子行业中应用广泛，其质量对整个电子产品的性能和可靠性具有重要影响。本文综述了功率模块用陶瓷覆铜基板的发展现状，阐述了功率模块用陶瓷覆铜基板的质量评价相关性能要求，探索功率模块用陶瓷覆铜基板性能评价指标、测试方法，最终建立一套以市场为导向的，具有系统性、先进性和时效性的，涵盖产品性能符合性/工艺流程稳定性/服役适用性的功率模块用陶瓷覆铜板试验评价体系。通过实验测试和数据分析，建立质量评价的依据，使覆铜板生产单位和模块生产单位的工艺缺陷变得数据化、可计量，明确了自身产品性能表征指标，为工艺改进提供了评价标准和前进方向，为功率模块用陶瓷覆铜基板的质量控制提供了有力支持。     

W-SiO2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析

氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中，共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术，本研究提出了以W为导电材料，SiO2为添加剂配制的导体桨料，获得了SiO2的质量分数在0.45%时，烧结应力减弱到充分小，使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度，导带方阻达到10mΩ/□，基板的翘曲度在50mm中小于50μm，导带焊盘的健合强度大于29.4MPa。     

氧化铝陶瓷基板工艺研究

本文主要介绍了流延法生产氧化铝陶瓷基板的工艺.研究了原料粒度分布对基板微观结构的影响,用流延法制备了96%氧化铝陶瓷基板,并对基板表面被釉,试验了基板的性能,研究了基板生产过程中一些关键的因素.     

浅谈大功率LED陶瓷基板制作工艺及填通孔技术

介绍了将直接镀铜工艺和填通孔技术相结合制备大功率LED(发光二极管)陶瓷基板的工艺流程,重点介绍了采用直流电镀一步法、脉冲电镀一步法和脉冲电镀两步法填通孔的常用配方和填充效果.     

大型臭氧发生器用复合陶瓷基板的制备与性能

采用凝胶注模成型工艺近净尺寸原位成型了性能优良的臭氧发生器用复合陶瓷基板。该陶瓷材料的介电常数达到80以上,介质损耗<2.5×10-4,击穿电压>16KV/mm,满足了大型臭氧发生器对介电体高介电常数、高击穿电压和低介质损耗的需要。该成型工艺克服了干压、流延成型等工艺对材料性能造成的不利影响。通过实验,确定了大规格超薄复合陶瓷基板的成型、干燥和烧成制度,测定了复合陶瓷基板在不同条件下的各种物理及电性能参数,并采用SEM方法对复合陶瓷基板进行了显微结构分析。实验结果表明:应用凝胶注模成型方法,可以获得高密度、高均匀性和高性能的臭氧发生器用复合陶瓷基板。用此复合材料制造的臭氧发生器在电源频率为30KHz,电压为3000V,电耗为18KW·h/kgO3的情况下,臭氧产量为1000g/h。     

氮化硅陶瓷覆铜基板制备及可靠性评估

氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁、电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一,目前只有日本厂商具备量产能力,国内进口困难,阻碍了相关产业的发展.采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备,并通过活性金属钎焊工艺获得了氮化硅陶瓷覆铜基板.氮化硅陶瓷的弯曲强度800 MPa,断裂韧性8.0 MPa·m1/2,热导率90 W/(m·K),交流击穿强度40 kV/mm和体积电阻率3.7×1014Ω·cm;氮化硅陶瓷覆铜基板的剥离强度达到130 N/cm.在-45～150℃高低温循环冲击下,氮化硅陶瓷覆铜基板的冲击次数分别达到氮化铝和氧化铝覆铜基板的10倍和100倍;在铜厚0.32 mm/0.25 mm冲击次数达5000次和铜厚0.5 mm/0.5 mm冲击次数达1000次的情况下,样品均完好无损;在铜厚0.8 mm/0.8 mm冲击次数达500次时,样品仍未产生微裂纹等缺陷,这与铜厚0.32 mm/0.25 mm时氮化铝覆铜基板的循环次数相当;氮化硅陶瓷覆铜基板的可靠性明显优于现有产品.     

氮化铝粉体制备的研究及展望

氮化铝陶瓷具有高的热导率、良好的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗,以及与硅相匹配的热膨胀系数,是现今最为理想的基板材料和电子器件封装材料.氮化铝陶瓷的优良性能基于其粉体的高质量,因此,高质量氮化铝粉体的制备是获得性能优良氮化铝陶瓷的关键.本文综述了氮化铝粉体制备技术的研究进展,并对其未来发展方向进行了展望.     

有机电致发光器件封装技术的研究进展

有机电致发光器件(OLED)对O2和水汽非常敏感,渗入器件内部的O2和水汽会严重影响器件的发光寿命。因此,OLED器件的封装很重要。介绍了不同衬底或基板OLED封装技术的研究状况,包括以玻璃为基板的封装技术如等离子体化学气相沉积、原子层沉积、化学气相沉积聚合物薄膜和光聚合聚丙烯酸酯薄膜等;以塑料为基板的封装技术通常采用多层或迭层的复合封装技术如有机–无机复合膜和金属–有机复合膜的封装技术等。     

多层陶瓷基板制造技术

采用CuO浆料为布线导体材料是制造多层陶瓷基板的新技术,该方法可彻底除去浆料中的有机物,制造性能良好,易于推广和批量生产的多层陶瓷基板,本文总结了CuO多层陶瓷基板材料及其制造技术,分析了各工艺对基板性能的影响,确定了最佳技术条件。     

射频CO_2激光陶瓷基板划片机

介绍了RFCO2激光器及其陶瓷基板划片的特点;分析了RFCO2激光陶瓷基板划片的机理,给出了整机总体设计方案。对导光系统的激光束进行了模拟,给出了导光系统的光路图及聚焦镜焦平面处的光斑尺寸及能量分布图,整机性能指标达到国外进口机的水平。     

氧化铝粉体性能对流延法生产陶瓷基板的影响

流延法是一种生产电子陶瓷基板广泛使用的先进工艺方法.本文分析了氧化铝原料杂质含量、结晶形貌、α-相转化率、粒度分布等对流延工艺及陶瓷基板的质量影响,并提出了适用流延法陶瓷基板用氧化铝原料性能指标.     

凝胶注模成型制备大尺寸臭氧发生器陶瓷基板

讨论了用凝胶注模成型制备大尺寸臭氧发生器陶瓷基板的过程。本实验以化学式为Ba（Sm，Nd）2Ti5O14的介电陶瓷为固相粉末．以丙烯酰胺（MBAM）为凝胶有机单体，用传统球磨的方法制备出了高固相、低粘度的陶瓷浆料（浓悬浮体）。分析了凝胶注模成型与干压成型制备的Ba（Sm，Nd）2Ti5O14陶瓷基板的体积密度、结构均匀性以及电学性能不同的原因。结果表明：凝胶注模成型制备的Ba（Sm，Nd）2Ti5O14陶瓷基板具有体积密度商、结构均匀的特点。合理使用凝胶注模成型工艺可以提高陶瓷介电常数、抗电强度和降低介质损耗。