高分辨率离子束微细加工技术

只要是用细小尺寸的整形离子束去轰击靶物,离子束就可成为一种实现高分辨率微细加工的有效手段。本文首先给出以直径小于1000的聚焦镓离子束以扫描方式进行无掩模微细加工、掺杂和抗蚀剂曝光的结果。其次介绍一种离子束透射掩模。并给出用普通尺寸的150KV 质子束照射这种掩模,在 PMMA 抗蚀剂中得到的曝光结果,从而表明该方法具有对0.6μm 分辨率的掩模图形进行1X 复印的能力。最后讨论了仿模离子束光刻和聚焦离子束光刻的潜力。     

扫描电镜在微细加工技术中的应用

微细加工技术是指制造微小尺寸零件的加工技术,它所涉及的是微米（μｍ）级的加工,现已发展到亚微米（１μｍ以下）和纳米（１ｎｍ）尺寸的加工技术。目前已成为大规模集成电路和微细图案形成必不可少的加工手段。例加在微米、亚微米大规模集成电路（ＶＬＳＩ）中,芯片...     

100nm及其以下线宽的微(细)加工技术

<正> 随着微电子技术的发展,各种能产生出结构特征尺寸为0.1μm(100nm)及其以下线宽的微细加工技术被广泛研究,主要有x射线毫微米光刻技术、全息光刻技术、无色差全息光刻技术、电子束光刻技术、聚焦离子束光刻技术、反应离子蚀刻技术、电子淀积技术等。x射线毫微米光刻技术因其效率高、工艺能力强等特点对100nm及其以下线宽的光刻具有特殊的作用,它能达到和产生扫描电子束或聚焦离子束光刻单独使用所达不到的效果。为了消除图形的畸变,该技术目前研究成功一种用无机薄膜(Si、Si_3N_4和SiC)制作的新一代掩模版。为了实现适合50nm线宽光刻的多掩模多次对准,该技术设定了4μm的标准掩模间隙,以通过     

科技简讯

日本富士通研究所在世界上首次开发出导电性抗蚀剂技术,该技术能解决最小尺寸小于0.18μm的逻辑LSI中的带电问题。预计在二十一世纪初,批量生产最小尺寸0.18μm的逻辑LSI中,选通电路氧化膜厚小于5nm。但是在这种超微细器件的实用上存在的严重问题是抗蚀剂的带电,因现在的抗蚀剂是绝缘体,故易带电,随着器件的微细     

微细加工中的光学成像

随着时间的推移,当硅片尺寸不断地增大时,集成电路微细图形尺寸和对准极限公差也不断地缩小。由于硅片增大和图形尺寸缩小,这样就对接触式和接近式光刻机造成了困难,并且也不可能在一个透镜视场内对整个片子进行投影光刻。目前,在一个透镜视场内能分辨的单元的上限是～10~8,而在4英寸硅片上1μ分辨率相当于能分辨的单元为2×10~9。通过扫描和分步重复光刻划分光学视场,能使硅片上的单元分辨率提高到量大数值。对于分步重复光刻来说,10~8单元极限适用于芯片。此外,从原理讲,芯片视场本身能通过扫描和成像分步重复划分。光学光刻的实际极限是由分辨率、套刻以及光致抗蚀剂特性确定的。以光致抗蚀剂为例,将用引进的多层以及无机抗蚀剂,能够得到很好的效果。新型抗蚀剂明显的好处是完全消除了驻波缺陷。新型抗蚀剂是光刻低于1～1.5μm线条的关键因素。光刻极限约为0.4～0.8μm,这主要取决于我们挖掘远紫外、图象分布以及设计潜力。     

激光微细加工系统

美国新罕布什尔州PhotoMaehining公司主要从事激光微细加工服务。所采用的激光加工系统为CO_2和紫外激光器。加工的特征尺寸小于2μm。这种加工系统可加工陶瓷、金属、玻璃、塑料和金刚石等材料。(No.     

4Gbit动态存储器用的晶体管

为了实现21世纪高度信息化正在开发千兆比特存储器,预计到2005年4Gbit动态存储器(DRAM)产品化。实现4Gbit动态存储器的.关键技术是0.1μm的微细加工技术和0.1μm的微细器件技术。使用X射线蚀刻,试制尺寸0.12μm4Gbit DRAM用的阵列MOSFET.井确认了其工作。本文作为器件技术实现了门电路和间距为0.12μm。的元件区,及0.12μm的门电路之间的匹配接点.并实现0.12μm的晶体管。也证实了4Gbit动态存储的器单元晶体管的正常工作。     

日立开发新的制作超微细图形的“SPACE”技术

在下一代的VLSI的开发中,将会进行很激烈的竞争,而超微细加工技术作为最基本的技术发展趋向更高。日立公司开发用于制作更超微细图形的新技术“SPACE”,获得了0.1μm的分辨率的图形,已在12月进行的电子通信学会/半导体晶体管研讨会上发表了。     

玻璃基板上的微细图形形成技术

概述了平滑玻璃基板上的微细图形形成技术以及纳米多孔ZnO膜,弱酸性铅催化液和弱酸性乙酸铜镀铜液的开发,可以在玻璃/ZnO中间层化学镀铜层/乙酸铜镀铜层/硫酸铜镀铜层上采用减成法形成L/S=100μm/100μm的微细铜电路图形。     

微细加工技术

<正> (一)精密加工技术的发展与微细加工技术图1横座标表示年代,纵座标表示可达到的加工精度。这个图说明不同年代达到的最高加工精度。例如,1910年为10μm,1930年为1μm,1950年为0.1μm,而1980年以后则最高精度已达0.01μm,进入向毫微米进军的阶段。图中的三根曲线分别代表一般加工、精     

空间整形飞秒激光加工金属微细槽实验研究

金属微细槽在电子、通信、航空航天、生物医学等领域有着广泛的应用。超快激光加工在100μm及以下尺寸的微细槽加工中具有较大的潜力。为了提高金属微细槽的加工精度和加工质量,减小槽壁斜度,采用空间整形飞秒激光加工的方法,应用空间光调制器将高斯光整形为矩形平顶光,在高温合金上进行微细槽加工实验。结果表明,空间整形飞秒激光加工微细槽的槽壁斜度相较于高斯光束的加工结果明显减小,加工质量明显提高。此外,采用该方法分别加工了宽度为10,20,150μm的深槽,结果显示,深槽槽壁截面未出现明显的热影响区域,说明该方法具有卓越的加工能力和极大的应用潜力。     

三菱电机开发VLSI用的微细图形形成技术

三菱电机研制并发表了用0.07μm的微细聚焦离子束“FIB”能够形成0.2μm以下的亚微米图形的基础技术。 该技术是作为4M位以上的动态RAM开发用的工艺而引人注目的基本工艺,当使用这种技术时,就可不用掩膜,它一方面直接在硅片上描绘出图形,另一方面又能注入杂质,此外,还能进行光刻曝光或薄膜的直接铣等。     

光学微细加工技术的发展和我所的历史使命

<正> 光学微细加工技术的飞速发展 目前,世界微电子器件正朝着高集成化、高功能化和高可靠性的理想境界发展,不断缩小图形线宽,增大晶片尺寸,采用新的设计结构,从而导致微细加工设备更新速度加快。半导体工业的附加值和技术含量正不断移向微细加工领域,设备的作用越来越重要,半导体设备工业已成为向整个半导体     

X射线检查装置

这是一种焦点尺寸在4μm以下的普及型X射线检查装置。 特点:①由于使用最小焦点尺寸4μm以下的微聚焦X射线,所以能看到极微细的部分。     

飞秒激光开辟了新的微细加工领域

电子、光子和生物医学器件向小型化发展的趋势促进了激光微细加工的发展，而飞秒激光器是适于激光微细加工的最理想工具。飞秒激光脉冲具有制作小至几十纳米特征尺寸图形的加工本领，并能对透明材料进行各种微细加工，如钻孔、切割和形成特殊结构等。     

X射线光刻技术的现状和发展

根据日本电气和日立公司的1GbitDRAM的报告文章,Gbit时代已开始了.另外,有关光刻0.1μm的MOS器件的报告也相继出现,尺寸0.1μm以下的超大规模集成电路的批量生产大有可能.根据美国半导体工业协会发表的1995—2010年规则,预测2001年设计尺寸为0.18μm的1Gbit集成电路2007年开始批量生产尺寸0.1μm的1Gbit的集成电路.为了实现该目标非常重要的是微细加工技术,尤其是批量生产的蚀刻技术是关键.按现有技术的连续性来看,希望继续发展光刻技术的研究,其目标是0.18μm的ArF准分子激光(波长193nm)的蚀刻技术的发展.再者,若考虑     

刻蚀技术的进展

1.前言 刻蚀技术是这样一种工艺,即在硅片之类的基板表面涂敷感光膜或者光致抗蚀剂,在其上面复制微细图形,并通过显影处理残留适应图形微细形状的光致抗蚀剂。把这种光致抗蚀图作为保护层,实施基板表面的蚀刻和有选择添加杂质等的加工工序,利用这种技术能制作微细器件和电路。因此,刻蚀技术是决定集成电路微细尺寸首要的基础技术。     

用于精密加工的超短激光脉冲

工业激光材料加工,常使用空间和时间上均密集的激光能量来作材料的烧蚀,诸如钻孔,切割、焊接或其它加工.激光已经成为一种独立的工业加工方法,激光的新应用领域正迅速发展.激光微细加工是激光材料加工的一个分支,一般是指那些特征尺寸小于100μm的加工.     

等离子体技术在微细加工中的应用

简要介绍了等离子体和微细加工技术。叙述了等离子体技术在微细加工技术的三个主要方面－－微车图形加工、离子注入、薄膜沉积－－中的应用。     

国外微细加工技术的新进展

日立制作所新研制成电子束缩小曝光装置已曝光出线宽为0.2μm的存储器图形,线宽精度为0.02μm。在Si板上制造放大25倍的图形,图形精度为0.5μm,每次曝光面积为4μm×4μm,一次可曝光24个存储单元阵列,现在有四种固定图形可供选用。对于图形中很不规则部分则用可变成形束曝光,这种装置的生产效率比过去的步进重复曝光要提高一百倍。