一种新结构话筒管简介

随着我国电子工业的迅速发展,驻极体传声器(简称为话筒)的市场需求量逐年增加。当前,国内话筒的生产能力相当大,其中几个较大的话筒生产厂年产量都在千万支以上。因此,每年对话筒专用场效应晶体管(简称话筒管)需要量就更为可观了,据估算,全国每年需要话筒管6～7万只以上。 近年来,在国内都一致认为日本三洋公司生产的2SK596是最适于生产话筒的晶体管。     

氮离子注入形成SOI结构的外延研究

用大束流(50μA/cm~2)、高剂量(1.8×10~(18)/cm~2)的190keV N~+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N~+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料.     

基于离子注入片的单片外延炉温度研究

精准的温度控制是IC外延的关键,基于8英寸离子注入片,对影响单片外延炉温度的关键因素进行了研究。实验结果表明改变OFFSET参数,外延炉边缘温度随△T同步变化,中心和R/2处温度没有影响;中心热电偶安装位置每降低254μm,外延炉温度整体升高10℃;异常PID参数设置导致的升温曲线过冲,影响外延炉实际温度。实验数据量化了相关参数与外延炉温度变化的对应关系,为IC外延产品的温度管控提供了依据,提升了单片硅外延平台的标准化和产业化水平。     

硅变容管的发展趋势

总结了硅变容管的发展趋势,离子注入化,电容配对中测化,集成化,低压化,超小型化,片状化和应用广泛化。     

离子注入对分子束外延Hg0.68Cd0.32Te远红外振动模的影响

我们对用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长出的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了Ｎ离子注入并退火,分别得到了其室温喇曼散射谱及在不同温度下的远红外透射谱．喇曼散射谱可以观察到类ＨｇＴｅ的ＬＯ模的散射和ＴＯ模的散射,原生样品及离子注入样品在９３ｃｍ－１附近有较弱的散射峰,经离子注入后该峰消失;远红外透射谱中分别可以观察到７８ｃｍ－１（Ｘ）、８６ｃｍ－１（Ｉ１）、９３ｃｍ－１（ＬＡ）、１０４ｃｍ－１（Ｐｄ）以及１２１ｃｍ－１（ＴＯ２）、１４３ｃｍ－１（ＴＯ１）、１５６ｃｍ－１（ＬＯ１）等吸收峰,讨论了离子注入及注入后退火对Ｘ、Ｉ１、ＬＡ、Ｐｄ等吸收峰的影响．     

液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究

As在HgCdTe材料中具有较小的扩散系数,可以形成较为稳定的结构,广泛应用于HgCdTe的p型掺杂。在p-on-n型碲镉汞红外探测器的制备中As掺杂是重要的制备方法。针对在制备过程中存在无法精确测量As激活率的问题,提出采用低温弱p型退火辅助差分霍尔测试的方法,获得了载流子浓度分布,从而通过与SIMS测试结果对比得到长、中波液相外延HgCdTe样品中As的激活率,并分析了退火等工艺对As掺杂后激活率的影响。     

HgCdTe外延材料批量化生产及其质量控制

经过多年研发,我司的碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器已达到批量生产的水平。优异性能的红外探测器离不开高质量的HgCdTe外延材料,外延材料的厚度及组分均匀性、表面缺陷的控制以及HgCdTe外延/CdZnTe衬底晶格匹配度是批量化生产中需要控制的关键性因素,红外探测器的批量化生产也给HgCdTe外延材料质量稳定性以及一致性的控制提出了更高的要求。本文介绍了HgCdTe外延材料批量化生产中这几项关键指标的控制,以及外延质量优化后红外焦平面性能的提升。Abstract:关键词:     

应用材料公司推出关键离子注入技术实现未来芯片微缩化生产

近日,应用材料公司宣布推出半导体单硅片大电流离子注入系统,即全新的AppliedVarianVIISta Trident系统。通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能,新型VIIStaTrident系统是唯一一台被证明能够确保成品率,在20纳米技术节点实现高性能低功耗逻辑芯片制造的离子注入系统。     

传声器管的高温反偏试验

近年来,驻极体传声器发展很快,对于传声器管的电参数要求更高,尤其高温反偏试验更为严苛。多年来,对此项试验发现与以前有关资料中的结果存在某些差异,给予补充说明。     

P－GaP中离子注入缺陷的形成

研究了Ｚｎ~＋离子注入ｐ－ＧａＰ半导体所引起的缺陷。在电流密度为０．０３μＡ／ｃｍ~２下，将注入Ｚｎ~＋离子剂量为１×１０１~（１４）离子／厘米~２的ＧａＰ样品腐蚀出蚀坑后用ＳＥＭ观察，结果表明，在离子注入区域有缺陷形成。     

微型数字传声器技术与发展

介绍了微型驻极体(ECM)与微机电(MEMS)数字传声器的技术原理及在消费数码领域的应用,综述了微型数字传声器技术的发展过程与市场分析。     

驻极体电容传声器专用管及噪声

本文对驻极体电容传声器的原理及噪声作了分析,这将有助于提高它的电特性。     

传声器管结构及设计原理

本文通过对传声器管的结构和设计原理进行了详细的分析探索，让国内同行对传声器管有了系统地全新地认识和了解。文章中提出了国内在仿造2SK596过程中存在的质量问题及今后发展该产品的内外因素。     

一种新型低噪声麦克风前置放大器的设计

传声器集成电路将接收到的麦克风声音信号转换成电流信号,再由前置放大器放大成电压信号。通常,当声音信号很微弱时,放大器放大声音信号时也放大了噪声,造成被放大的声音信号的信噪比很低。对两种电路进行了仿真试验,比较了Claus前置放大器和Eduard CMOS前置放大器的噪声特点。采用0.18μm CMOS工艺进行仿真,分析了电路的噪声频谱密度,提出了一种改进型CMOS前置放大器,有效地改善了前置放大器的信噪比。     

传声器阵列语音拾取系统的设计

介绍了传声器阵列语音拾取和传输的基本原理,给出了系统各个模块的设计方案和实现方法。采用FPGA实现多路音频信号复用和传输,完成了大型传声器阵列的结构设计。该系统稳健性能高、扩展性良好、多路语音数据有较高的同步性。在大型互动游戏环境中能方便地完成人机语音指令交互。     

驻极体传声器自动化组装设备研制

介绍了驻极体传声器的自动化生产方法,并详细介绍了根据这种方法研制出的驻极体传声器自动化组装设备的结构和工作原理。     

研讨特种塑封管的再后固化效果

塑封器件的后固化，早巳被确认为固定工艺。通常是侧重于解决器件环境试验中存在的问题。我们意外发现它对于某种特殊器件有着神奇般的补救作用。