IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较

本文对现有的ＩＣ制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较，得到了一些有意义的结果，该结果为进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。     

IC缺陷轮廓的分形插值模型

现用于集成电路(IC)成品率预报及故障分析的缺陷模型均是用圆或正方形来代替真实缺陷的复杂轮廓进行近似建模的,从而在模型中引入了很大的误差。本文利用分形插值的思想直接对真实缺陷的轮廓进行模拟,从而提出了一种新的缺陷轮廓表征模型。实验结果表明：与传统的最大圆模型、最小圆模型及椭圆模型相比,新模型的建模精度有了很大的提高。     

IC制造中的真实缺陷轮廓表征方法研究

为了进行有效的集成电路成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的，然而，真实缺陷的形貌是多种多样的，本文提出一种准确的缺陷表征模型。该模型考虑了缺陷的真实轮廓，并且针对短路和开路模式，在引起故障概率相同的意义下将起初缺陷等效为缺陷，实现了硅片表面缺陷的精细表征。     

IC制造中真实缺陷轮廓的分形特征

为了进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的．然而，真实的缺陷的形貌是多种多样的．本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征．该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益的探索     

一种IC缺陷轮廓建模的新方法

现用于集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析的缺陷模型均是用圆或正方形来代替真实缺陷的复杂轮廓进行近似建模的,从而在模型中引入了很大的误差。本文利用分段线性插值瓣思想直接对真实缺陷的方向尺寸进行逼近,从而提出了一种亲折缺陷轮廓表征模型。实验结果表明：与传统的最大圆模型、最小圆模型及椭圆模型相比,新模型的建模精度有了较大的提高。     

IC缺陷轮廓分形维估计的小波方法

为了有效的进行集成电路成品率预报和故障分析,与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形、椭圆或方形.然而,真实缺陷的形貌是多种多样的,它们的形状对集成电路的成品率估计有重要影响.本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征,并用小波变换的方法对其分形维数进行了估计,估计结果与实例的特征相符,从而为缺陷轮廓的表征和计算机模拟提供了新的特征参数.     

IC缺陷轮廓的分形插值模型

现用于集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析的缺陷模型均是用圆或正方形来代替真实缺陷的复杂轮廓进行近似建模的,从而在模型中引入了很大的误差。本文利用分形插值的思想直接对真实缺陷的轮廓进行模拟,从而提出了一种新的缺陷轮廓表征模型。实验结果表明：与传统的最大圆模型,最小圆模型及椭圆模型相比,新模型的建模精度有很大的提高。     

IC缺陷轮廓多分形特征研究

IC真实缺陷轮廓曲线的形状特征对集成电路成品率预报及故障分析有重要影响。该文提出缺陷轮廓曲线具有多分形特征,以某一真实缺陷为例,用小波变换模极大(WTMM)的方法估计了其轮廓曲线参数方程的多分形谱,该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益探索。     

IC缺陷轮廓的盒维数及其方向的分布特征

为了进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的．然而，真实的缺陷的形貌是多种多样的．本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征．该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益的探索     

矩形缺陷轮廓的成品率模型

现有成品率及关键面积估计模型中,假定缺陷轮廓为圆,而实际缺陷轮廓为非规则形状.本文提出了矩形缺陷轮廓的成品率模型,该模型与圆模型相比,考虑了缺陷的二维分布特性,接近真实缺陷形状及IC版图布线和成品率估计的特点.比较了新模型与真实缺陷及其圆模型引起的成品率损失,表明新模型在成品率估计方面更加精确,这对成品率精确估计与提高有重要意义.     

考虑缺陷形状分布的IC成品率模型

实现了基于圆缺陷模型的蒙特卡洛关键面积及成品率估计,模拟了圆缺陷模型估计的成品率误差与缺陷的矩形度之间的关系,提出了更具有一般性的两种集成电路成品率模型,它们分别对应于矩形度相同和不同的缺陷．仿真结果表明该模型为成品率的精确表征提供了新途径．     

地物光谱匹配模型比较研究

在大量实测的城市地物光谱数据的基础上,对3种有代表性的光谱匹配模型,即最小距离、光谱角度匹配（SAM）,光谱相似度匹配进行了深入计算和分析,在这3种模型中,以SAM表现程度较好,但都不是最理想,区分程度不是很高．为增强区别程度,本文引入了导数对光谱匹配模型进行了重新计算,分析结果表明,一阶导数能明显增加3种光谱匹配模型的区分度,尤其是最小距离法增加非常明显．     

砷化镓中EL2深能级结构模型的晶格振动态密度

介绍了目前比较流行的两种砷化镓EL2深能级结构模型,即Bourgoinde的As_(Ga)-As_i对模型和邹元爔的As_(Ga)V_(As)V_(Ga)三元络合物模型.分别计算了这两个模型的晶格振动态密度.为EL2深能级结构的最终确定提供了一些有用的信息.     

短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响

利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＾＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷,得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ,同时给出了其俘获截面和缺陷密度,初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷。根据深能级的有关参数,估算了器件的少子寿命和器件优值参数Ｒ０Ａ。     

甚大规模集成电路制造中的离子注入技术

本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。     

Hg1—xCdxTe深缺陷能级研究

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.4)p~+n光伏二极管中的缺陷能级.通过改变注入脉冲条件,获得2个电子陷阱和2个空穴陷阱,电子陷阱的能级位置分别为E(0.06)和E(0.15),空穴陷阱的能级位置分别为H(0.075)和H(0.29).这些深能级的浓度约为浅能级浓度的百分之几.通过改变注入脉冲的宽度,测量了这些能级的多子俘获截面,根据这些深能级的特征参数,估算了器件的少子寿命和零偏压的动态电阻与面积的乘积,并讨论了一些缺陷能级的本质.     

黄浦江不同水质指标的光谱响应模型比较研究

对黄浦江全河段进行了光谱反射率和典型水质参数的同步测量,测量的水质参数包括总磷(TP)、总氮(TN)、溶解氧(DO值)、高锰酸盐指数(CODMn)、化学需氧量(CODC r)、五日生化需氧量(BOD5)、悬浮物浓度(TSS)、浊度(Turb)和氨氮(NH3-N)共9个水质指标,分析了9个水质指标之间的相关关系.研究了单波段归一化反射率与各水质指标的线性关系模型.结果表明,单波段光谱反射率与除氨氮和化学需氧量2个水质指标之外的其余7个水质指标有较好的相关关系,光谱反射率的比值与水质指标的相关性得到一定提高,与氨氮和化学需氧量2个水质指标的相关系数也大于0.5.     

时间序列非线性模型的研究

本文提出了几种时间序列非线性模型,对这些模型的结构和训练方法作了分析和讨论,并针对几类常见的时间序列,给出了实验结果。