以准分子激光生产微型芯片

长期以来，准分子激光器曾被视为不适合工业性应用，理由是：“太复杂，而且最受干扰”。目前，这一观点一去不复返。激光器制造商已进行大力开发，使其在微电子和其他工业领域中得以应用。工业准分子激光器就经济意义来说，不久的将来，将不亚于CO。和YAG激光器，后者在市场上早已出现。专门研究高科技市场业务的光学技术咨询公司即持这种观点。到2000年以前，据估计，仅集成电路生产每年就需要400～500台准分子激光器。以每台售价60万马克计算，世界范围内，年销售额约为3亿马克。此外，工业准分子激光器还可用来打孔、标记、蚀刻和金属…     

芯片制造技术的新进展

90年代以来,人们一直十分关注集成电路发展的两大问题,一是集成电路能否继续沿着摩尔（Moors）定律（每3年芯片集成度增加4倍,特征尺寸减小30％）高速发展;二是芯片加工尺寸和硅微电子器件尺寸的极限在哪里。美国半导体工业协会（SIA）于1994年首次组织专家进行研究,制订了半导体技术发展指南,后来又几经修订,最近修订的1999年国际半导体技术发展指南（ITR）如图1所示。按照ITRS,从1999到2011年,集成电路仍将按摩尔定律持续高速发展,预测到2011年芯片的特征尺寸为50纳米（um）。对于2012年以后半导体技术发展速度及芯片特征…     

先进微光刻芯片校准用的超高精度平台

集成电路器件制造工业要求尽快发展目前的紫外(UV)或者X射线微光刻技术,以便把刻制图案尺寸减小到小于0.5μm。微细光刻过程要求校准芯片的平台具有非常高的性能:总置位重复精度应小于20nm,工作范围直径超过300mm。对于这种应用,为了改进现有的平台,要求新的设计和控制概念,使得纳米范围的定位精度能容易地实现。     

PREVAIL--下一代电子束投影曝光技术

PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术，采用可变轴浸没透镜，对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在1mm^2子场的情况下，运用步进扫描曝光方式，在100nm临界尺寸下具有较高的产量，也EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。     

前进中的曝光技术

简述了曝光的历史和发展趋势及当前的技术状态和技术难点,指出了将来的发展思路。     

电子束纳米光刻技术研究

纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。我们使用VB5电子束曝光系统，经过工艺研究，现已研究出最细分辨率剥离金属条为17nm，最小剥离电极间距为10nm，最细T型栅为100nm。     

基于电子束光刻的LIGA技术研究

提出了基于电子束的LIGA(Lithographie，Galvanoformung，Abformung)技术新概念。根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀深度的影响进行了理论分析，并在SDS—2电子束曝光机上分别采用5keV、10keV、15keV、20keV、25keV、30keV等能量的电子束对国产胶苏州2号进行了曝光实验，得出了能量／刻蚀深度关系曲线。用5keV、30keV两种能量的电子束，通过改变曝光时间进行了曝光剂量对刻蚀深度的影响实验，得出了曝光剂量—刻蚀深度关系曲线。实验结果表明，增大电子束能量或增强曝光剂量，就可以增大刻蚀深度，证明了基于电子束光刻的LIGA技术不但是可行的，而且更易于加工各种带曲率的微器件。     

IC芯片的电子束故障诊断系统

现今,半导体大规模集成电路的新材料和新工艺能够在300mm直径的硅圆片上加工0.15m的线宽,这两个数字相差2×10~6倍。采用光学检验手段显然无能为力,检测能力只达到800％的表面故障,进     

微光刻与微/纳米加工技术(续)

<正>2下一代光刻技术虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界     

芯片设计中的IP技术

从IP开发和集成两个方面入手，重点阐述了IP的基本特征，IP的设计流程及设计中的关键技术，IP集成的一般考虑及集成的关键技术，IP模块的评估与选择等，并探讨了国内IP技术发展的一些思路。     

下一代曝光（NGL）技术的现状和发展趋势

通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状。通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光)的特点、开发现状和有待解决的关键技术,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米／纳米级图形的制备。     

电子束曝光中的邻近效应修正技术

邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变，它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正和剂量调整、图形调整等。我们以ＪＢＸ－５０００ＬＳ为手段，用三种方法：１．图形尺寸修正，１２大小图分类和剂量分配，３图形分层和大小电流混合曝光，对邻近效应进行了修正，均取得较好效果。     

集成电路与半导体器件制造中的电子束曝光技术

本文叙述了国际上电子束曝光技术的发展趋势,分析了我国电子束曝光技术的发展现状,回顾了电子部四十八所电子束曝光技术的进展及其在微电子器件制造中成功的应用。     

高能电子束纳米曝光系统的研制

微电子产业的飞速发展要求半导体器件的最小特征尺寸越来越小。传统的光学光刻技术由于受到光的衍射等限制，开始面临挑战。电子束曝光技术具有高分辨、长焦深、无需掩模等优点，成为下一代光刻技术中极具发展潜力的一种。     

0.13μm集成电路制造中的光刻技术研究现状及展望

近三十年来集成电路的特征尺寸不断缩小 ,主要是由于光刻技术稳定发展而推动的。按美国半导体工业协会的推测 ,在以后的一些年内 ,集成电路的特征尺寸还会不断缩小 ,到 2 0 0 3年 ,0 .13μm集成电路将投入生产。有许多光刻技术可以作为生产这种电路的候选者 ,但这种集成电路最终由哪种光刻技术实现 ,目前还没有确定。文中介绍了其中的几种技术 (即 157nm光学光刻技术、X射线光刻技术和角度限制散射电子束光刻技术 )的研究现状 ,并对它们在 0 .13μm集成电路中应用的可能性进行了简单的评述     

兰牙芯片技术与它的市场趋势

通信和数据技术专家几乎不会怀疑:2001年,用兰牙技术进行短程数据传输将明显高速发展。因此,芯片也相应地迅速发展。但遗憾的是,到目前为止,兰牙技术产品还没有进入批生产。这种状态将迅速改变。2000年估计会出现具有兰牙技术能力的手机和PC机。 面对兴旺的市场,许多世界级半导体制造商也积极从事兰牙技术芯片组的生产。目前大规模制造的方案一般由两种芯片组组成:高频(HF)组件及基带控制     

芯片凸点技术发展动态

近年来微电子技术得到了迅速发展,芯片性能 按每十八个月翻一番的速度发展,与此同时,芯片的制作成本也在不断降低,然而封装成本却下降不多。在某些产品中,封装已成为整个芯片生产中成本最高的环节。因此,封装已受到越来越多的重视。事实上,传统的封装技术正成为制约电路性能提高的瓶颈,随着人们对电子产品快速、高性能、小尺寸及低价格的需求,各种新型的封装技术应运而生,从几年前主流的ＢＧＡ（球栅阵列）到如今十分热门的ＣＳＰ（芯片尺寸封装）,可谓是五花八门,种类繁多。在这些最新的封装技术中,Ｆｌｉｐ—Ｃｈｉｐ（倒装…     

多芯片组装技术综述

主要论述多芯片组装技术（ＭＣＭ－ＭＵＬＴＩ ＣＨＩＰ ＭＯＤＵＬＥ）垢特点以及国内外发展状况，提出目前我们发展微组装技术的现状及前景。