980nm高功率列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz,100μs）输出功率达到80W（室温）,峰值波长为978－981nm。     

940nm列阵窗口半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器,准连续（500μs,100Hz）输出功率达到80W（室温）,峰值波长为939－941nm。     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm     

楔形光纤排与半导体激光器耦合技术研究

首先从半导体激光器列阵的发光特性出发,利用楔形光纤排对大功率半导体激光器列阵光束进行耦合,最后得到一只含有19个纤芯,每个纤芯为200μm,数值孔径为0.12的大功率半导体激光器光纤耦合模块,输出功率为32.48W, 耦合效率为81.2%.     

大功率半导体激光列阵单光纤耦合技术

利用阶梯反射镜整形技术和偏振合束及波长合束技术成功将两只波长为808nm和两只波长为980nm的40W大功率半导体激光器光束进行混合,最后得到输出功率为95.8W、耦合效率为60%的双波长大功率半导体激光列阵单光纤耦合模块,光纤芯径为400μm,数值孔径为0.22.     

大功率半导体激光列阵单光纤耦合技术

利用阶梯反射镜整形技术和偏振合束及波长合束技术成功将两只波长为808nm和两只波长为980nm的40W大功率半导体激光器光束进行混合,最后得到输出功率为95.8W、耦合效率为60%的双波长大功率半导体激光列阵单光纤耦合模块,光纤芯径为400μm,数值孔径为0.22.     

半导体激光器列阵器件光束复合研究

文中针对半导体激光器列阵的波长复合和偏振复合技术开展了设计和实验研究。首先利用半导体材料波长易调节的特点,设计了AlGaInAs/GaAs/AlGaAs压应变量子阱结构,得到了760nm、800nm、860nm、930nm、976nm五个波长激射的半导体列阵激光器,同时设计了四个短波通滤波片参数,开展了半导体列阵激光器的多波长光束复合技术的实验研究;其次利用1/2波片和偏振复合棱镜将两束不同偏振状态的光束进行了复合,并设计了光束聚焦系统。最终实现了5个波长,10条半导体激光器列阵的光束复合,得到了196W的激光功率输出,总体效率为76%,其中,波长复合效率可以达到92.4%,输出聚焦光斑尺寸为144μm×1 330μm,聚焦光功率密度达到1.02×105W/cm2,与单条半导体激光器列阵相比,合束光的光功率密度提高了4.3倍。     

我国无铝量子阱大功率激光器列阵研究达国际先进水平

由中科院长春光机所微机械与集成光学研究室承担的“无铝量子阱大功率激光器列阵研究”项目最近通过了有关方面的鉴定。该高功率半导体激光器列阵的各项性能指标已达国际先进水平。半导体激光器的应用覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术。长春光机所在半导体激光器的研制工作方面积累了良好的工作基础。１９９８年，在吉林省科技厅的资助下，深入开展了无铝量子阱大功率激光器列阵的研制工作，先后承担了“８０８nm半导体量子阱大功率激光器列阵器件”和“高功率半导体激光器（LD）列阵”研究课题。经过科技人员的艰…     

半导体列阵激光器波长复合设计及实验研究

利用半导体材料波长易调节的特点,设计了AlGaInAs/GaAs/AlGaAs压应变量子阱结构,得到760、800、860、930和976nm 5个波长激射的半导体列阵激光器,同时设计了4个短波通滤波片参数,开展了半导体列阵激光器的多波长光束复合技术的实验研究,最终实现了5个波长的半导体列阵激光器的光束复合,得到112W的激光功率输出,总体效率为88.5%,其中波长复合效率达92.4%,输出聚焦光斑尺寸为136μm×1 330μm,聚焦光功率密度达6.43×104 W/cm2。     

出纤功率30W的激光二极管线列阵光纤耦合器件

用一根柱透镜对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向进行准直,准直后的光束耦合到光纤列阵中.大功率半导体激光二极管线列阵的输出功率为40W,线列阵有19个发光单元,每个发光单元的发光区面积为100μm×1μm.大功率激光二极管线列阵耦合后出纤功率为30W,耦合效率为75%,光纤的数值孔径为0.11.     

连续工作的体布拉格光栅外腔半导体激光器的温度特性

对体布拉格光栅(VBG)作为波长选择元件的外腔半导体激光器的波长锁定进行了实验研究,报道了连续运转输出功率达43.5 W的半导体激光器阵列的体布拉格光栅波长锁定实验结果,给出了不同热沉温度下的稳定的波长锁定结果,说明采用体布拉格光栅外腔将减小半导体激光器的温控压力。实验中发现,随着注入电流的增大,输出激光功率逐渐增强,锁定的激射波长向长波长方向偏移。在输出功率为34.5 W时,波长红移约0.56 nm。这一移动与实验测量的体布拉格光栅的温度特性相吻合。连续和高占空比运行、高输出功率情况下,在器件的设计和使用时应该考虑这一效应。     

大功率体光栅外腔半导体激光器的输出特性

宽条形大功率半导体激光器(LD)存在光谱温漂系数大、光谱宽度宽的缺点,为了改善宽条形大功率半导体激光器的光谱特性,采用一种体光栅(VBG)离轴外腔方法实现了宽条形大功率半导体激光器光谱特性的明显改善和高效率工作.宽条形半导体激光器的外腔结构主要包括激光器输出光束的快、慢轴准直光学透镜和离轴放置的体光栅.宽条形半导体激光器的激射条宽为100μm,当激光器工作电流为4.0 A时,外腔激光器的输出功率高达3.4 W,斜率效率为1.0 W/A,光谱宽度由自由出射条件下的2~3 nm减少为0.2 nm,峰值波长的温漂系数小于0.015 nm/℃.     

High power cladding-pumped tunable Er, Yb-doped fibre laser

Efficient high-power operation of a tunable erbium-ytterbium codoped fibre laser end-pumped by two beam-shaped diode-stacks at 940 nm is reported. A maximum output power of 30 W at 1570 nm for 83 W of absorbed pump power with operating wavelength tunable from 1562 to 1627 nm was demonstrated.     

双波长可调外腔半导体激光器

提出了一种基于体布拉格光栅（VBG）和横向啁啾体布拉格光栅（TCVBG）组合的双光栅外腔半导体激光器,该外腔半导体激光器采用反射率15%的体光栅和反射率17%的啁啾体布拉格光栅作为反馈元件和模式选择元件,实现特定波长的选择和调谐,实验研究了外腔激光器的功率-电流特性、光谱特性和波长调谐特性。实验结果表明:双光栅外腔半导体激光器最大输出功率为1.96 W,斜率效率为0.94 W/A,外腔效率达到78%。输出光谱为双波长,一个波长为808.6 nm,另一个波长连续可调,通过改变横向啁啾体光栅的位置,该波长可从800 nm调谐至815 nm,可调范围达15 nm,在整个可调范围内两个波长的谱线宽度（FWHM）均小于0.3 nm。     

全固态准连续宽调谐激光器研究

介绍了一种宽调谐准连续钛宝石激光器,其采用腔内倍频准连续532 nm Nd∶YAG固体激光器作为泵浦源。通过合理的膜系设计,选用棱镜作为调谐元件,仅采用一个输出镜就获得了680~940 nm的宽调谐输出。当绿光功率为12 W对应重复频率4.5 kHz时,在中心波长795 nm处,其平均输出功率为2.2 W,光谱线宽为5 nm。     

Optical in-well pumping of a semiconductor disk laser with high optical efficiency

Optical in-well pumping is shown to lead to highly efficient operation of semiconductor disk-lasers using resonant absorption or using external optics. Pump radiation absorption of 70% at 940 nm is demonstrated for a laser emitting around 980 nm. Laser output power was 1.9 W with slope efficiencies up to 35% based on the incident power.     

Continuous-wave mid-infrared VCSELs

We report the continuous-wave operation of an optically pumped mid-infrared (mid-IR) vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL). The active region consisting of type-II antimonide quantum wells with a “W” configuration occupies a cavity formed by a semiconductor bottom mirror and dielectric top mirror. The emission wavelength of 2.9 μm is nearly independent of temperature (dλ/dT≈0.09 nm/K) compared to type-II edge-emitters and the multimode linewidth is narrow (2.9 nm). At T=78 K, the threshold pump intensity is ≈940 W/cm², the peak output power from a 50-μm spot is 45 mW, and the differential power conversion efficiency is 4.5%. Lasing is observed up to T=160 K     

Characterization of diode-pumped laser operation of a novel Yb:GSO Crystal

We report what is believed to be the first demonstration of the laser action of Yb/sup 3+/-doped Gd/sub 2/SiO/sub 5/ (Yb:GSO)crystal pumped by a 940-nm laser diode at room temperature. The threshold of laser generation is only 0.85 kW/cm/sup 2/, which is smaller than the theoretic threshold of Yb:YAG (1.54 kW/cm/sup 2/). The laser wavelength is 1090 nm. With a 2.5% output coupler, the maximum output power is 415 mW under a pump power of 5W. By using the SESAM, the Q-switched modelocking and CW mode-locked operations are demonstrated.     

808nm大功率准连续LD阵列

采用单量子阱光电分别限制异质结(InGaAsP/GaAs)结构,研制了一种电致冷的大功率准连续激光器阵列,对器件的几个主要参数进行了理论分析.实验结果表明,器件峰值波长为807.6 nm,光谱半宽为3 nm,工作电流为98.7 A时,输出功率达到1 000 W(10个Bar,占空比为2%).     

新型大功率双波长半导体激光器的研制

提出了一种新结构半导体双波长激光器 ,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来。通过计算和设计 ,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器。双波长器件的实际激射波长分别为 95 1 nm和 987nm,为基模激射。器件在 5 3 0 m A直流工作时输出功率达到 5 0 0 m W,斜率效率为1 .3 3 W/A。在 2 A电流时功率达 2 .4W,斜率效率为 1 .3 8W/A;3 A电流时功率达 3 .1 W,斜率效率为 1 .2 1 W/A。