干燥空气在半导体生产中的应用

本文阐述了制取干燥空气的工艺流程及设备、分子筛的性能及吸附特性、分子筛的吸附原理及再生和使用中的注意事项.我厂在加料、初测等操作箱内通入了干燥空气,使相对湿度低于15%,达到了工艺要求,明显地提高了晶体管3AX31、 3AX81的稳定性和可靠性.     

SPC在半导体生产中的应用

统计过程控制(statistic process control,SPC)是一种科学有效的方法,该技术的应用改变了以往靠经验来进行调整生产的模式。以M IM电容为例,首先通过对电容容值数据连续采集,进行定量的数理统计分析,评估该工艺的工艺控制能力。然后绘制控制图,对工艺进行监控。通过分析控制图,最终对工艺过程的能力水平以及是否处于统计受控状态作出定量结论。在工艺过程中当发现统计数据异常时,及时采取纠正措施,使工艺状态始终受控。通过运用SPC技术对数据进行分析,能有效改进工艺,提高产品质量。     

半导体生产中的静电消除与空气电离化

在整个半导体制造过程中,微粒污染;静电放电损坏以及与此相关联的设备停机,是静电带来的三大问题.所以必须对静电加以控制.国际半导体发展路线图和SEMI标准提出了将静电控制在合适水准上的建议.静电控制方案包括了接地,静电耗散材料和空气电离化.为适应快速发展的半导体生产所带来的要求,空气电离器也在不断进行的变化.     

统计过程控制技术在半导体生产中的应用

在制造行业,质量是企业的生命,也是一切工作的根本。将统计技术运用于质量管理,是目前国际上制造行业较为流行的科学管理方法。本文以本单位的实际运用为例,介绍了运用统计过程控制方法对半导体生产线进行质量管理的一种实践。     

无油真空泵在半导体生产中的应用

目前的半导体生产企业越来越多地用无油真空泵（干泵）来取代传统的旋片式真空泵（油泵），原因很简单，干泵的运行成本比油泵低得多，而且相对洁净，寿命长，在半导体生产中油泵的致命缺陷在于需使用昂贵的PFPE油。并且在CVD工艺，刻蚀，扩散等工艺上需经常做保养并换油，这使干泵无疑成为这些苛刻的半导体工艺的最佳选择。     

统计过程控制技术在半导体生产中的应用

在制造行业,质量是企业的生命,也是一切工作的根本,将统计技术运用于质量管理,是目前国际上制造行业较为流行的科学管理方法。本文以本单位的实际运用为例,介绍了运用统计过程控制方法对半导体生产线进行质量管理的一种实践。     

石英玻璃及其在半导体工业中的应用

一、概述石英玻璃已有100多年的发展史。由于它有很多极其特殊的优良性能,所以其发展速度是相当快的。目前,它在电光源、半导体和光学等领域内的应用占有相当重要的地位。石英玻璃是用水晶、硅面、人造SiO_2或四氯化硅等为原料经1800℃以上高温熔融制成。石英玻璃是含单一成份SiO_2的一种特     

空气洁净技术在中成药生产中的应用

按《药品生产质量管理规范》（ＧＭＰ）的要求，结合经生产的实际情况，对中药生产企业在进行空气净化厂房的新建或建筑工程中易忽视的问题及解决方法作出简要论述。     

TCAD技术及其在半导体工艺中的应用

阐述了计算机辅助设计技术(TCAD)的应用发展历程,介绍了相关软件(TSUPPREM4、MEDICI)的原理及功能.分别对以改善pn结边缘曲率效应,提高结击穿电压为目的功率器件结终端结构--场限环、场板进行了模拟.以某型号器件的芯片设计生产为实例,通过工艺与器件电学性能的仿真结果与最终器件实测结果进行比较,展示出TCAD技术的特点,体现了TCAD技术对于半导体生产制造的重要作用.     

MES系统及其在半导体制造中的应用

本文叙述了MES 系统的定义,半导体制造前工序中的MES 系统的特点,各组成模块的功能,系统的软硬件要求等。并指出了其在半导体制造中的应用。     

高纯铝的性质及其在半导体中的应用

叙述了高纯铝的制造方法,高纯铝性能,杂质元素对高纯铝性能和再结晶行为的影响以及高纯度铝在电子工业和半导体器件工业中的应用。     

光CVD及其在半导体工艺中的应用

本文介绍了一种低温低压CVD技术——光CVD技术的原理、设备、薄膜淀积及在半导体工艺中的应用.这种技术符合半导体工艺低温化的要求,可能简化目前的半导体器件生产工艺.文中还对该技术的应用前景作了讨论.     

半导体生产中的超纯水

许多工业,龙其是制药业和电子工业,消耗的超纯水量与日剧增。虽然在这些工业中使用超纯水的原因不尽相同,但对超纯水质量标准的要求却大抵相同。当低功率 MOS 集成电路开始大量投产时,人们就认识到:通过对作功的晶体表面强去污便可改善这类 MOS 电路(例如手表电路)的工作可靠性和长期稳定性。这种想法就是最大限度地清除离子,特别是碱金属和重金属离子,化学家证实了超纯水是一种最有效的去污剂。超纯水可认为是一种纯度达99.99999~+     

非线性曲线拟合程序及其在半导体物理中的应用

本文论述了曲线拟合的数学模型及其用途与存在的困难。提出联合套用阻尼最小二乘法和复合形法可具有放宽初值要求、收敛速度快等优点。对拟合结果检验的必要性和方法作了讨论,给出非线性拟合的详细通用程序框图。应用本程序对硅太阳电池光谱响应、磷化镓发光二极管光电流谱,硅N-N~+-P结构光伏谱、磷化镓瞬态光电容谱、掺氮或掺铋磷化镓光致发光谱等半导体物理问题作了曲线拟合,并借助拟合结果分析完善了物理模型。     

AIN膜及其在半导体光电器件中的应用

本文报道溅射AlN膜及其应用于半导体光电器件的实验研究结果。测定了不同条件下溅射的AlN膜厚度、淀积速率、折射率和击穿电场强度。首次用AlN膜做器件的端面保护和减反射膜以及表面钝化膜均获得成功。几种常用介质膜的实验数据对比分析表明AlN膜在半导体光电器件领域将有广阔应用前景。     

俄歇电子能谱及其在半导体中的应用

一 引言 俄歇电子能谱(AES)是通过测定由电子束激发产生的俄歇电子的特征能量进行元素分析的一种固体表面薄层分析技术。近年来,发展非常迅速。它可以进行固体表面元素的点分析、线分析和二维分布的分析,如果配以离子腐蚀装置还可以进行元素的三线分布分析。由于它充分利用了固体表面激发出的各种可测信息,除俄歇电子外,尚有反射电子、二次电子、吸收电流等,不仅能用俄歇电子能谱进行     

低温抽气技术及其在半导体工业中的应用

本文介绍致冷机低温抽气技术的原理、性能以及在半导体工业等领域中的广泛应用。它具有抽速高、工作压强范围宽、清洁无污染、操作简单方便等优点。文中还简述了使用维护应注意的一些问题。     

半导体装置

本专利介绍面阵红外探测器件。其结构如图所示。外延层(11)是Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体层,电荷积累区域(7)设在Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体内,而且,外延层的探测二极管区域(8)是通过选择地生长Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te晶体而形成的。Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te晶体的带宽是250～300meV,这与10μm晶体的带宽相比大得多且反向偏压特性比用Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te制作的探测二极管要好。这样在8～14μm面阵红外探测器件中,用Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体部分吸收红外辐射,用Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te晶体部分探测信号。由此,探测二极管具有3～5μm的响应特性,而且探测特性很好。