对离子减薄制备纳米晶软磁合金透射电镜样品中的无颗粒区的研究

纳米晶软磁合金（Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９）的典型结构为两相：即大小为１５ｎｍ的ＦｅＳｉ小晶粒相弥散分布于剩余非晶基体相中。在离子减薄制备的电镜样品中，孔的边缘往往有一些无颗粒区。我们用ＥＤＳ研究了其化学成分，发现这些无颗粒区的成分不同于理论估计的非晶基体相的化学成分，也不同于材料原来的平均成分。其电子选区衍射（ＳＡＤ）花样既和两相区的衍射花样不同，表现为ｄ＝０．２７ｎｍ附近的一个非晶衍射环，也和制备态的非晶衍射环不同，说明这些非晶区可能是在样品的离子减薄过程中二次非晶化引起的。     

NdFeB系纳米晶双相稀土永磁材料研究进展

综述了近几年各国学者在NdFeB系纳米晶双相稀土永磁材料方面的研究进展,重点分析了掺杂元素和处理工艺对永磁材料各方面性能的影响,指出了几种可以有效改善永磁材料综合性能的方法.     

热浸镀渗铝钢TEM制样技术

热浸镀渗铝钢透射电镜制样较困难，本文介绍了借助拷贝纸制备热浸镀渗铝钢透射电镜制样技术。     

纳米乳液的透射电镜样品制备及图像分析

近年来对纳米材料的研究越来越深入 ,纳米材料也逐步应用于各行各业 ,由于纳米材料结构的特殊性 ,用电镜观察此类样品时 ,样品的浓度、染色方法、使用的分散剂等因素均会影响观察效果。本文介绍作者几年来对纳米乳液样品制备的心得及图像分析处理技术对纳米乳液作粒度分析的一些体会。材料与方法1 材料 :多种不同结构的纳米材料乳液。其稀释剂分别为双蒸水及无水乙醇 ;分散剂分别为二甲苯、正丁醇、甘油。2 方法 :2 1　浓度及分散剂试验 :水性纳米乳液用双蒸水稀释 ,其余均用无水乙醇稀释 ,浓度分别为 :1∶10、1∶2 0、1∶4 0、1∶10 0、1…     

新型水性涂饰剂透射电镜样品制备方法

新型的水性涂饰剂(聚氨酯、环氧树脂等)是浓度较高的乳状悬浮液,对它进行TEM观察时,用普通的方法制样,只能看到其乳胶颗粒的痕迹,无法看清其真实全貌。本实验首先通过样品不同浓度的比较实验,找出适合各样品的最佳观察浓度,再用磷钨酸作负染及用不同浓度的四氧化锇进行染色,探索出适合的染色方法,观察得到满意效果。材料与方法材料:1#、2#为不同粒径的聚氨酯水性涂饰剂,3#为水性环氧树酯。方法:1.浓度试验:1#、2#样品以1∶10、1∶20、1∶40、1∶60、1∶80(涂饰剂:双蒸水,下同)比例用双蒸水稀释;3#以1∶10、1∶50、1∶100、1∶200比例稀释…     

激光晶化制备Fe基纳米软磁材料的研究进展

综述了激光非晶晶化制备Fe基纳米软磁材料的国内外研究进展和现状.介绍了Fe基纳米软磁材料的双相组织结构和性能特征及应用领域;对比分析了传统退火晶化和激光晶化制备技术的优缺点;阐述了研究激光纳米晶化技术的重要意义和理论价值.提出了激光晶化技术制备Fe基纳米软磁材料需要重点系统研究的课题和方向.     

聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样

亚微米IC芯片的发展,对于TEM在IC的失效分析和工艺监控过程中所担负的工作提出了越来越高的要求。许多方法和手段被用于解决TEM制样这个问题[1]。FIB技术被证明为现今最有效的精确定位制样的方法[2]。原有TEM制样技术的定位减薄难,单次制样成功率低,且对单一器件的定位能力差的难题,可通过电视监测和聚焦离子磨削的方法加以克服。利用这种技术,可以完成以往难以实现的IC芯片的精密定位制样工作,使透射电镜在亚微米级IC的分析中达到实用性阶段。本文介绍该技术使用的具体方法。实验过程实验所用设备为美国fei.公司所生产的FIB200型…     

聚焦离子束(FIB)快速制备透射电镜样品

高性能聚焦离子束系统(简称FIB)具有许多独特且重要的功能，已广泛地应用于半导体工业中。近年来，FIB在材料科学研究领域也有了广泛的应用。本文主要介绍利用FIB快速制备TEM样品的方法。实验设备为日本精工公司生产的型号为Seiko SM12200的聚焦离子束系统。     

Advanced FIB sample preparation techniques for high resolution TEM investigations of HEMT structures

In this paper advanced sample preparation techniques based on focused ion beam (FIB) optimized for TEM investigation of high electron mobility transistor (HEMT) structures are presented. It is shown that the usage of an innovative in-situ lift-out method combined with X2 window and backside milling techniques as well as live thickness control and end point detection can significantly improve the quality of electron transparent samples required for high resolution TEM investigations. This advanced preparation flow is evaluated and demonstrated at GaN HEMT structures for atomic resolution TEM investigation.     

InGaN/GaN岛形量子阱样品透射电镜制样与表征方法

本文研究了氮化物半导体三维岛形结构的透射电镜制样技术,减小了样品在制样过程中的结构损伤,并对In Ga N/Ga N量子阱进行了结构、成分和发光特性的表征。通过对三维Ga N小岛非极性小面微观结构的分析,确定了侧壁小面皆为半极性面,说明小面生长的In Ga N/Ga N量子阱受到较小的极化效应影响。该岛形量子阱的结构特征,有效地增强了量子阱的发光效率,同时由于不同小面的存在,实现了同一小岛的多波长白光发射。