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不同生长温度下Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过X射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Si(001)上生长的Ge0.5Si0.5/Si应变层超晶格的结构及其完整性,结果表明:在350-550℃的低温生长条件下,可生长出较高质量的超晶棺材料,并且在350℃时质量最好.在这些样品的生长过程中界面上产生了不同程度的失配位错,并与生长温度有关.周期厚度有4%以内的波动,层与层之间有轻微的混元,观察到了超晶格卫星衍射峰的分裂现象,并进行了讨论. 相似文献
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研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长,用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性,得到了室温脉冲激射1.3μmAlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料,为器件制作研究打下了基础. 相似文献
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用GSMBE技术在国内首次研究了应变Si1-x Gex/Si异质结材料的生长,并用X射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析,对于Si0.91Ge0.09和Si0.86Ge0.14单层,其半宽度FWHM分别为100〃和202〃,对于Si0.89Ge0.11/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上,三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见,结果表明,用GSMBE技术生长的Si-xGex/Si异质结 相似文献
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本文分析了透射式GaAs阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中的应力对X射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响.用X射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中的阴极材料外延层和衬底的双晶摇摆曲线.结果表明,透射式GaAs阴极热压粘结工艺带来明显的附加应力,外延层衍射半峰宽的展宽是由于热膨胀系数的差异导致阴极层非均匀应力引起的. 相似文献
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给出了通过测量3条X射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法,并对(CdSe/ZnSe)ZnSe/GaAs(001)多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究.结果表明:ZnSe缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零,而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格,表明多量子阱结构有较好的结构完整性.缓冲层与衬底之间有晶向偏角,而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角.在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰.多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小20%~30%,说明生长过程中存在表面原子的逃逸,致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了X射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别. 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
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采用X射线衍射、X射线双晶衍射和X射线荧光三种手段对经H2SO4:H2O2:H2O=16:1:1和3:1:1腐蚀液,在不腐蚀条件下得到的GaAs片子进行近表层结晶完整性、片子表面的残留产物以及发射二次X射线情况测量,并初步分析了这些数据。 相似文献
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本利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术,研究了在Si(001)衬底上,用晶化了的列定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时,引入表面活化剂Sd所产生的影响。研究表明,Sd的引入将全使Si(001)衬底上无定形Ge膜的晶化温度显提高,并在一定的生长条件下,破坏Ge外延层的结晶性。 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As^+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究,并与未注入As^+的Si0\57Ge0\43合金的应变驰豫进行了比较。结表明,退火后,注入As^+的 Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入As^+的应变分布。对于注入As^+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变驰豫导致镶嵌结构的产生而展宽。 相似文献
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在国产CBE设备上,用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs/InP应变多量子阱P-i-N结构材料,阱层中的设计In组分从0.39变化到0.68,用X射线双晶衍射对该组样品进行了测试分析,并用X射线衍射的运动学模型对衍射图样进行了计算机模拟,确定出了该组样品阱层中的In组分,阱宽及垒宽。结果表明,每个样品的DCXRD衍射图样上均至少可以看到14个锐 相似文献
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采用无GaAs缓冲层,低温+常规的方法在GaAs(100)衬底上进行了InSb薄膜的分析束外延(MBE)生长,测试了样品的双晶X射线衍射半峰宽(FWHM),电学霍尔(Hall)特性及红外透射谱。通过大量的实验发现:不生长0.5μmGaAs缓冲层,同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品,这可缩短材料的生长周期,降低生产成本,对将来器件的批量制作有一定的意义。 相似文献
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采用无GaAs缓冲层,低温+常规的方法在G8As(100)衬底上进行了InSb薄膜的分子束外延(MBE)生长,测试了样品的双晶X射线衍射半峰宽(FWHM),电学霍尔(Hall)特性及红外透射谱。通过大量的实验发现。不生长0.5μmGaAs缓冲层,同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品,这可缩短材料的生长周期,降低生产成本,对将来器件的批量制作有一定的意义。 相似文献
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分析了GaAs/GaAlAs阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中应力对X射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用X射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线。 相似文献
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