pH对化学镀镍-磷法制作的埋嵌电阻方块电阻影响的研究

文章主要介绍了pH对通过化学镀镍-磷法制作埋嵌电阻时镍-磷合金层方块电阻的影响。在温度相同的条件下,当镀液的pH不同时,探究了两种基材表面上镍-磷合金层方块电阻与反应时间的关系,并分析了适合用于制作埋嵌电阻的镍-磷合金层方块电阻值,以及最佳的化学镀镍-磷反应pH值。从实验结果可知,当反应时间相同时,随着pH的减小两种基材表面上镍-磷合金层的方块电阻将会逐渐大;适合用于埋嵌电阻制作的化学镀镍-磷反应pH为3.4~3.7,反应时间为3min~8min,方块电阻为15Ω/□～200Ω/□。     

锡和锡铅合金电镀层杂质对可焊性的影响

锡和锡铅合金电镀层用于提供和保持印制电路和元件引线的可焊性。可焊性表示熔融焊料容易润湿被焊金属表面。润湿是一种表面现象,主要取决于表面清洁度。当熔化的焊料在金属表面上形成一层持久连续的薄层时,我们就说焊料对该表面是润湿的。焊料和基体金属的结合是由它们之间的原子引力形成的,也包括焊料金属或合金向基体     

对Cu焊区的倒装芯片凸点下金属化系统的研究

本文研究了采用化学镀铜（E-Cu）和化学镀镍（E-Ni)方法制作的Cu焊区上倒装芯片焊料凸点用的UBM材料系统，还研究了UBM与Sn-36Pb-2Ag焊料之间的界面反应对焊料凸点连接可靠性的影响，以优化Cu焊区上倒装芯片用的UBM材料。对于E-CuUBM来说，在焊料/E-Cu界面上形成贝壳状的Cu6Sn5金属互化物（IMC），在较小的载荷下沿这个界面发生凸点断裂。与此相反，在E-Nie-Cu UBM的情况下，E-Ni成为一个好的扩散阻挡层。E-Ni有效地限制了IMC在该界面上的生长，而多边形形状的Ni3Sn4IMC产生比E-CuUBM高的附着强度。因此，化学镀沉积的UBM系统被成功地证明可作为低成本的Cu焊区上UBM方法。发现E-NiE-CuUBM材料是比E-Cu UBM更好的Cu焊区上倒装芯片焊料互连的材料。     

PCB电镀镍工艺介绍及故障原因与排除

1、作用与特性： PCB（是英文PRINTED CIRCUIE BOARDE印制线路板的简称）上用镀镍作为贵金属和贱金属的衬底镀层，对某些单面印制板，也常用作面层。对于重负荷磨损的一些表面，如开关触点、触片或插头金，用镍作为金的衬底镀层。可大大提高耐磨性。当用作阻挡层时，镍能有效地防止铜和其它金属之间的扩散。     

化学镀镍在MLC三层端电极中的应用

本文通过置换反应在ＭＬＣ端头银电极上沉积出金属钯，在钯的催化作用下，在ＭＬＣ银砂上可以通过化学镀镍形成一层厚度均匀而且致密的镍磷合金。与电镀相比，化学镀镍工艺简单，对于ＭＬＣ性能的影响较小。     

微波功率器件中AuGe合金焊接界面特征

在微观尺度上,焊点的可靠性取决于焊料同焊盘之间界面反应生成的界面金属间化合物(IMC)的结构。通过金锗合金焊点的界面反应及微观结构随环境的变化表征了焊点的可靠性,研究了AuGe合金焊料与不同金层厚度的Ni/Au焊盘共晶焊接后其界面特征,同时总结了AuGe合金焊料在Cu和Ni等常见焊盘上的焊接润湿性及其焊接界面特征。切片分析结果显示,在共晶焊接后,厚金样品焊接界面冷却时焊料层析出富Au相形成不规则焊接结合层,Au层厚度减薄50%～60%;薄金样品的Au层全部消失,并在界面处形成很薄的一层富Ni的NiGe化合物。实验结果显示,厚Au层样品未出现Ni向焊接层扩散的现象和NiGe化合物的生成,厚Au层起到了阻挡层作用;薄金样品时,Ni通过互扩散缓慢与Ge形成NiGe化合物,在长期使用中焊接层会通过元素扩散等形式演变,使整个焊接层转变为含氧化层、富P层、NiGe层和AuCuGe合金层等多层结构的IMC,降低了焊点强度,严重影响焊接层可靠性。这说明IMC在焊接过程中主要以界面化学反应方式形成,服役过程中主要以元素扩散方式演变。     

Au-Ni-Sn三元合金在铅基和无铅基焊点界面的生长抑制

以前研究：BGA、Pb-Sn焊料／Au／Ni组成的焊点，经过几个小时150℃的退火处理后呈现出连续层状的三元合金(Au，Ni)Sn4，它紧邻Ni3Sn4层。Ni3Sn4层发生在焊料与Ni的界面上。在界面形成的双层结构金属间化合，导致焊点性能变差。这是我们不希望的。这个发现促进了后来的研究，并由这些研究得知在界面三元合金生长，强烈依赖焊点的金属组成和再流焊条件。在本次研究中，我们集中注意再流焊条件(温度和液相线以上的时间)和焊料组成，对在不同焊点上，三元化合物(Au，Ni)Sn4生长，形态和位置的影响。我们研究的焊点是由0．1Au-99．9Sn或者26Pb-73．9Sn-0．1Au(原子百分含量，除非特殊注明)的焊料在Ni基板上经过再流焊形成。以及研究94．35Sn-3．8Ag-1．85Cu在金／镍金属面上再流焊形成的焊点。26Pb-73．9Sn-0．1Au焊料合金在Ni基板、在185℃液相线以上30秒，进行再流焊。随后150℃退火处理。在基板界面上产生二层金属间化合物：Ni3Sn4和(Au，Ni)Sn4.但是这些焊料合金在235℃，液相线以上经过30秒的再流焊，只有一个层Ni3Sn4生长在26Pb-73．9Sn-0．1Au与Ni的界面上。而(Au，Ni)Sn4三元物在焊料体中形成，与此相似，(Au，Ni)Sn4沉积物：出现在244℃峰值温度，液相线以上74秒再流焊形成的SnAgCu／Au／Ni焊点体中。这个三元中铜的百分含量小于1％，经过261个小时的150℃温度退火处理后这个三元化合物仍留在焊点中。对于Au0．1Sn99．9／Ni系统，经过260℃，液相线以上46秒的再流焊和150℃，49小时的退火处理只有一层Ni3Sn4在焊料与基板界面生长。     

电子组装无铅化过渡的问题及对策

2 元器件引线（端头）的无铅化 元器件引线（端头）的无铅化就是将其引线原来使用的Sn／Pb焊料等可焊涂复层,用无铅焊料或其它可焊层替代。从技术角度考虑,对元器件引线（可焊端头）,根据引线的芯线构造的不同,可采用合金电镀法或热浸镀法进行无铅化的表面处理,实现无铅化焊接。对元器件引线（可焊端头）镀层的要求是：无铅,抗氧化,耐高温（260℃）,与无铅焊料生成良好的界面合金层。     

采用钼-锰法的氧化铝瓷与金属的封接

所谓“钼锰法”就是采用金属化、镀镍随后用焊料焊接以形成陶瓷金属密封封接的许多方法中的一种。用这种方法将高氧化铝(94%Al_2O_3)瓷圆片和可伐件封接在一起。测量了封接层的抗张强度并用光学显微镜和扫描电子显微镜以及电子探针微分析仪来检查和分析了封接层.其结果如下: (1)当陶瓷在1450℃保温60分钟的条件下金属化时,封接层的抗张强度最大。 (2)封接层是由许多层构成的,这些层按下列次序排列: 陶瓷-中间层-金属化层一镀镍层-硬焊料层一镀镍层-可伐。中间层是由Al_2O·MnO和MgO以及少量的SiO_2和CaO-起组成的。层中的主要结晶相是MnO·A_2O_3。中间层的厚度与其相邻的金属化层的厚度成比例。 (3)铝-锰金属化层中的气孔被玻璃相和镍填充,前者来自陶瓷,后者来自镀镍层。这些物质的渗入和相互扩散形成牢固的真空密封层.     

波峰焊焊点抗拉强度的测试

一、前言波峰焊是一种以锡铅合金为焊料的自动焊接工艺,其特点是被焊母材(指引线和铜箔)不熔化,而靠熔融焊料填充其间并在焊接温度下发生相互扩散,生成合金层,从而达到永久性连接。图1为单面印制板引线焊点结构示意图。从图1不难看出,一个理想的焊点是由焊料、合金层和母材组成。可见焊点的机械强度主要取决于下面几个因素:     

AgCu28共晶钎料的铺展性研究

针对陶瓷DIP外壳钎焊时,常出现AgCu28钎料流淌的问题,而钎料铺展性对钎料的流淌起着重要作用,为此研究了在不同的生产工艺条件下,AgCu28共晶钎料在镀有不同厚度镍的金属化陶瓷基板和4J42可伐合金片上的铺展性。结果显示钎料在化学镀镍层上比在4J42合金带上的铺展面积大,并存在一个临界镀镍层厚度(0.5~1.0 靘),超过这一临界值,铺展面积显著下降。钎料铺展面积随着焊接温度、时间而改变,控制在钎料熔点以上的停留时间是减少钎料过分铺展的关键。     

高反压大功率晶体管烧结工艺的改革

本文在分析了3DA58型高反压大功率晶体管,因采用金-锑(Au:Sb=99％:1％)合金真空烧结而造成“微等离子体击穿”之后,提出了一种采用“化学镀镍法”,在管芯背面淀积镍磷合金,同时使用锡-铅-银软焊料,把管芯烧焊在刻有槽或凹坑的F-2管座上,使管芯和     

薄厚膜导体的金属体系及耐钎焊性

薄厚膜导体作为外贴元件和I/O引出端的焊区,应有良好的可焊性和耐焊性,以确保器件的长期使用性能。 耐焊性即薄厚膜导体金属抗焊料浸蚀的能力。本文从固态金属与液态金属间的溶解、扩散机理着手,研究了薄厚膜导体的耐焊性。通过对薄厚膜导体金属体系在钎焊过程中,焊后高温处理和长期贮存,以及金属间相互溶解与扩散的研究和分析,提出了提高耐焊性的一些措施。 膜层金属体系(外贴元件焊区间)的调整和焊料合金的选择,两者是相辅相成的。本文介绍一些典型的薄厚膜导体的类型及与之相配合的焊料。 制作工艺,特别是钎焊工艺,直接影响扩散、溶解过程的进行。正确选择焊料和焊接方法,是提高重复焊接次数和接头性能的重要手段。用汽相再流焊,进行Ti-Pd-Au薄膜与I/O引出端的Sn-Pb软钎焊,可获得高可靠、长寿命的器件。     

细间距器件焊接桥连机理探析

在选定焊膏、模板及固定焊盘的条件下,探讨了焊膏体积、焊膏接触面积、引线在焊盘上的位置、升温速率及焊接温度造成细间距器件(间距0.5 mm)焊接桥连的原因,在此基础上,分析了焊接桥连产生的机理:焊点之间是否桥连是熔融状态的焊料的表面张力、金属原子之间的金属键、焊料的重力三者共同作用的结果,当表面张力大于金属原子之间的金属键与焊料的重力的合力时,不会形成焊接桥连,当表面张力小于金属原子之间的金属键与焊料的重力的合力时,就会形成焊接桥连.     

化学镀Ni层中的添加剂对焊料接合可靠性的影响

概述了化学镀镍层中的微量添加剂(PDIS)浓度对化学镀Ni/Pa/Au镀层的析出速度、耐蚀性、焊料湿润性和焊料接合可靠性的影响。     

化学镀镍铜磷在钕铁硼表面处理上的应用研究

为提高钕铁硼表面镀层的耐蚀性,使其具有更高的经济附加值,采用在化学镀镍磷合金液中添加适量的铜离子及其复合络合剂,制得镍铜磷三元合金。研究了镍离子、铜离子、次亚磷酸钠、复合络合剂添加量,沉积温度、pH值对合金镀层沉积速度的影响。利用中性盐雾试验比较了其与电镀镍、化学镀镍磷合金的耐蚀性能。结果表明：化学镀镍铜磷合金能明显提高钕铁硼表面处理后的耐蚀能力。     

彩电锡焊技术及焊点质量检测

一、引言印刷电路板锡焊技术及焊点质量检测,直接影响了彩电和其它电子产品整机的质量。锡焊技术是一种涉及面很广而又非常复杂的系统工程。必须认真深入地研究锡焊机理及工厂流水线生产的焊接工艺,才能保证获得合格的印刷电路板锡焊点。锡焊点是由金属母材、镀层、合金层、焊料层、表面层组成的。合金层的厚薄及其成长状况,可以评价焊点质量的优劣。     

在酸性溶液中化学镀镍沉积层上氢气的拾放行为

引 言 拾放氢气的反应(HER)是化学镀镍时在镍沉积层上伴随的不希望发生的副反应。氢气的产生过程主要是电催化过程,而且所用电极的组成对它的影响很大。我们用电化学技术和X射线衍射分析的方法来研究在化学镀镍而生成不同组成的镍-磷合金沉积层上的HER反应。     

铜含量对锡-铜无铅焊料和镍之间固态老化反应的影响

共晶99．3Sn-0．7Cu焊料(比重：％，Sn-0．7Cu)是波峰焊接中共晶Sn-Pb焊料的最有前途的无铅替代物。而镍则被用于几个商品化的重要表面涂覆领域，如象；金／镍和钯／镍等。据献报道，在含镍表面涂层上实施Sn-Cu焊料的再流时，铜含量的微小变化会产生完全不同的反应物[1，2]。随着铜浓度的上升，反应物从(Ni 1-xCux)3Sn4转变为(Cu1-yNiy)6Sn5 (Ni1-xCu)3Sn4，而后变为(Cu1-y、NiY)6Sn5。在本项目的研究中，我们将自己在前期研究成果的基础上[2]，对铜含量的细微变化对Sn-Cu焊料和镍之间固态老化反应的影响进行了更加深入的研究。特别是在160、180和225℃下，将四种Sn-xCu焊料(x=0．2、0．4、0．6和0．7)与镍进行了反应。结果发现，在经充足时间的高温固态老化后，对铜沉积层的明显感应性消失了。对于各种不同的铜含量的研究发现，老化后在界面上形成相同类型的金属间化合物。在界面上可看到在(Ni1-x)(Cux)3Sn4层上形成了一层(Cu1-yNiY)6Sn5。研究表明再流焊一结束金属间化合物的最初差别可在高温老化后消失。(Cu1-yNiY)6Sn5与(Ni1-xCux)3Sn4的生长机理是不同的，本中已指出了这一点。     

电子元件、组件

TN6 2003060578片式元件三层端技术/罗维,张学军(成都开华化工研究所)汀电子元件与材料.一2003,22(6)一27一32研制出了ZF41O低应力镀镍、ZF305中性纯锡电镀液和添加剂,并在片式元件三层端电极上获得成功应用.介绍了该工艺的主要性能及具体工艺配方.该工艺解决了片式元件基材腐蚀问题,所镀产品质量稳定可靠,各项指标均符合IEC一384一10标准;实现了片式元件无损电镀工艺的国产化,降低了生产成本.表3参3(刚)TM54 2003060581多层片式2 no压敏电阻器的现状与发展方向/王兰义介电子元件与材料.一2 003,22(7)一42一45基于国内外多层片式Zno压…