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以导电玻璃为阴极,在不同pH下,从含有0.083mol/LCu(CH3COO)2·H2O、0.22mol/L乳酸的电解液中电沉积合成Cu2O薄膜。研究了电解液pH对Cu2O薄膜晶体择优取向和形貌的影响。结果表明,通过调节电解液pH可合成不同择优取向和形貌的Cu2O薄膜,在pH为7~13内合成的Cu2O薄膜均具有较好的光吸收性。pH=11时,可制得具有(111)取向、结合力强、光催化活性高和稳定性好的Cu2O薄膜。Cu2O薄膜的晶面类型对薄膜催化能力有较大影响,(111)择优取向的Cu2O薄膜的光催化活性最高,反应2.5h后罗丹明B的降解率可达63%。 相似文献
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回顾了近年来不同形貌Cu2O纳米晶体、Cu2O纳米笼和纳米骨架的合成及最新研究进展,着重介绍了一维Cu2O纳米材料的合成过程,比较了不同形貌Cu2O的制备方法并指出了合成的关键步骤。比较了不同形貌Cu2O晶体的光催化性能,总结指出具有更多高活性{110}晶面或高指数晶面的Cu2O晶体有显著的光催化性能。最后总结了不同形貌Cu2O的控制合成方法,指出Cu2O的可控合成机理研究、非传统多晶面的Cu2O及具有完整晶面Cu2O纳米笼的合成是未来的研究重点;提出Cu2O在光催化领域的主要问题是稳定性较差且光催化效率不高。 相似文献
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以不锈钢为基体,采用连续阴极电沉积的方法,制备了ZnO/Cu2O复合膜,并通过 X-射线衍射和扫描电镜进行了表征.以Cr(Ⅵ)为模拟无机污染物,在可见光下,测试了其光催化还原活性.结果表明,ZnO/Cu2O复合膜的光催化活性与Cu2O的沉积量有关,在其沉积量为0.010 g/dm2时,反应1h后,Cr(Ⅵ)在ZnO/Cu2O上的还原率为35.3%,而在Cu2O薄膜上的还原率仅为8.6%.实验还发现,ZnO/Cu2O复合膜的光催化氧化能力也有了较大程度的提高.在相同实验条件下,甲基橙在Cu2O薄膜上的降解率只有2.5%,而在ZnO/Cu2O复合膜上的降解率达到22.9%. 相似文献
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采用高温水热法和共沉淀法制备了不同摩尔比的pn型Cu2O-WO3复合半导体材料。并利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对样品的形貌特征和晶格结构进行表征。表征结果显示,复合材料由立方相的Cu2O和六方相的WO3组成。与纯WO3物质相比,Cu2O-WO3复合半导体材料的紫外吸收边界发生显著红移,在可见光波长范围内的光吸收明显增强,展示出优良的光电流响应性能。以罗丹明B(RhB)溶液的光降解表征材料的光催化性能的过程中,在可见光下光照8h后,相较于WO3和Cu2O仅为22.2%和45.2%的光降解率,摩尔比为1∶2的Cu2O-WO3复合物的降解效率达到了90.6%。 相似文献
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以α-SiW11Ni/PANI为催化剂,在紫外灯辐射下,研究了模拟染料废水亚甲基蓝溶液的光催化降解的反应,讨论了催化剂投加量、亚甲基蓝溶液的初始浓度、酸度等对催化脱色效果的影响。实验结果表明,100 mL的亚甲基蓝溶液在紫外灯辐射下最佳的浓度为5 mg/L,催化剂用量为110 mg/L,溶液酸度为pH2;在不改变溶液酸度的情况下,外加氧化剂H2O2能够显著加速亚甲基蓝的催化降解效果。 相似文献
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Cu2O光催化还原含铬(Ⅵ)废水的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用亚硫酸钠还原法制备了Cu2O光催化剂,并将其应用于含铬(Ⅵ)废水降解还原的光催化反应,同时与Bi2WO6、TiO2等光催化剂进行了活性比较.研究表明,在300W高压汞灯照射下反应1.5 h,Cu2O、Bi2WO6和TiO2光催化剂对铬(Ⅵ)的光催化还原降解率分别为69.5%、61.5%和44.2%,与其禁带宽度(2.O eV、3.O eV、3 2 eV)成反比,Cu2O较窄的禁带宽度使其具有良好的光催化活性.Cu2O光催化还原铬(Ⅵ)废水的适宜工艺条件为:废水的pH为3.O,Cu2O光催化剂用量为0.25 g·L-1.在上述工艺条件下,300W高压汞灯光照反应时间4 h后,废水中的铬(Ⅵ)有82%被还原.采用微分法对Cu2O光催化还原含铬(Ⅵ)废水反应进行了化学动力学研究,其光催化反应速率方程为:v=0.681CCr2.7. 相似文献
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采用电化学恒电位沉积方法在ITO导电玻璃上和在ZnO薄膜上沉积氧化亚铜(Cu2O),并通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对晶体的微观结构和表面形貌进行了分析.在ZnO基底上沉积得到了纳米级的Cu2O粒子并且具有明显择优取向,而在ITO导电玻璃上仅得到粒径为2—5胛的Cu2O粒子,没有明显的择优取向,对薄膜的生长机理进行了讨论. 相似文献