24.4千电子伏过滤中子束

在原子能所游泳池式反应堆的切线孔道上,建立了铁过滤器,获得了24.4千电子伏准单能中子束。在铁过滤器的最佳组合(20厘米铁、30厘米铅、12.5厘米硫)的情况下,当反应堆运行在功率3800千瓦时,测得过滤中子束的中子通量为1.44×10~4中子/厘米~2·秒。高能中子本底约为3%左右,γ射线本底约为9.0毫伦/小时。     

氧的14兆电子伏中子活化分析

本文介绍了氧的14兆电子伏中子活化分析方法。在中子产额为5×10~3中子/秒的条件下,氧的探测极限为几百ppm(误差为±50%)。文中还对影响氧的分析灵敏度的诸因素进行了简略的讨论。     

中子管脉冲中子束调制

随着科学技术的发展,中子管的应用日益增多。在应用中,有时需要脉冲中子束。有两种方法能获得脉冲中子束。一种是把中子管的加速高压脉冲化,这种方法因为有输送脉冲加速高压的问题,所以很少用。另一种是把离子源脉冲化,这种方法较简单,也较常用。为了给缓发中子测铀井模拟试验提供宽度为100毫秒量级的脉冲中子束,我们利用离子源脉冲化方法制作了一台中子管脉冲中子束调制装置。经过几年的运用表明,性能稳定     

2.52兆电子伏中子的弹性散射角分布的测量

本文报导我们用2.52兆电子伏中子对铜进行的弹性散射角分布实验。2.52兆电子伏的单能中子是用高压倍加器通过D(d,n)He~3反应产生的,用原子核乳胶做为探测器,测量了30°—165°范围内铜和铁的弹性散射微分截面。铜的结果和已进行的类似工作相符。     

14兆电子伏中子活化分析测定钢中的硅

利用14兆电子伏中子照射硅样品,产生~(23)Si(n,p)~(28)Al反应,通过测量~(28)Al的1.78兆电子伏γ射线,测定钢中的硅。由于基体铁的~(56)Fe(n,p)~(56)Mn干扰反应产生1.81兆电子伏γ射线与~(28)Al的γ射线重叠在一起。必须对结果加以修正。本文介绍了两种修正方法。在中子通量为3×10~7中子/厘米~2·秒的条件下,硅含量为0.4—0.09%时,分析精密度为±5—±9%,极限灵敏度为0.2—0.7毫克。活化分析的结果与化学分析的值符合得很好。     

6至100千电子伏仪器校准用低能光子源——宽束K荧光X射线源

一、引言 由于核工业的发展,放射性核素和X射线机的广泛应用,以及像彩色电视等高电压器件日益进入生活领域,低能电磁辐射的防护测量引起人们越来越大的关注。在100千电子伏以下的低能区,光子和物质相互作用截面随着光子能量和物质原子序数的不同而迅速变化,使许多辐射探测器的灵敏度呈现强烈的能量相依性(能量响应)。如果仪器校准不良,选择或     

氧的14兆电子伏中子活化分析的内监督比较法

研究了用NaCl加入被分析的样品中,以钠作样品中中子通量的内监督,用含钠的乙二胺四乙酸二钠作标准来分析样品中氧含量的方法。这个方法能消除样品的中子自屏蔽效应和样品处中子通量不稳定给分析结果带来的误差。分析结果的重复性误差由外监督法的6—7%减少到3—4%。     

100千伏高压加速管

本文描述了一台100千伏高压加速管。在距离子源出口约2.5米远的靶上获得了大于150微安的离子流。靶点直径约7毫米。使用氘锆靶时,中子产额可大于5×10~6个/秒;使用氚锆靶时,中子产额可大于2×10~8个/秒。根据运行经验讨论了:(1)整流管工作情况;(2)在电压较低的加速器中(100—200千伏),电晕屏蔽罩的设计问题;(3)离子源寿命短的原因,并提出了改进方法;(4)聚焦过程中所遇到的一些问题和所作的一些实验结果;(5)水平型式加速管的优缺点。     

激光等离子体毫微秒脉冲中子束测量

在用万兆瓦量级钕玻璃激光器轰击固体氘冰和氘化锂的实验中,BF_3中子探测器首次成功地拍摄到我国激光核聚变装置上发射的中子讯号照片。产额为10~3/束。在功率为10~(11)MW大型单路激光核聚变装置上,又记录到中子产额在2×10~4/束以上。以后在六束毫微秒和亚毫微秒激光脉冲对称打靶中,均记录到中子讯号波形。BF_3中子探测器性能稳定可靠。在一次打靶实验中,激光等离子体在毫微秒时间内发射的脉冲中子束虽然几乎“同时”到达探头,但快中子经过探头石腊时,被慢化成随时间变化按一定几率分布的热中子,可用     

14.6兆电子伏中子引起~(241)Am裂变截面的测量

一、引言~(241)Am的裂变截面,是研究核裂变机制和用反应堆生产超钚元素所需要的数据之一。14兆电子伏能量点的数据为数不多,而且分岐较大。大多数超钚元素都有很强的α放射性,会对裂变数的测量产生严重的干扰。为克服α脉冲的堆垒,通常尽量采用时间响应较快     

250千伏双同轴电容分压器

本电容分压器是为了测量速调管电源——脉冲调制器的输出脉冲高压而设计的。该分压器是双同轴结构,它具有耐压高、体积小、输入阻抗高、波形畸变小、结构紧凑简单、加工和使用方便等特点。经长期使用,性能良好,满足了工作的需要。     

多球谱仪测量BNCT医院中子照射器中子束能谱

用于硼中子俘获治疗（BNCT）的医院中子照射器（IHNI-Ⅰ）已由北京凯佰特技术有限公司建设完成,为获得空气中自由中子束的能谱,建立了一套改进的主动式多球谱仪,并开展了相关实验方法研究。该谱仪包含14个探测单元,中心探测器为球形³He正比计数器。为改善谱仪在超热能区的分辨率,在常规多球谱仪的基础上增加了4个包裹不同厚度硼壳的探测单元。通过MCNP程序计算谱仪的响应函数,并利用标准²⁵²Cf和²⁴¹Am-Be中子源进行了校准和验证。测量在距离照射器孔道口110 cm处进行,再采用反迭代方法将能谱修正到孔道口处,结果显示,测量的中子能谱与理论模拟结果略有差异。因而利用ROSPEC谱仪和金箔对中子能谱和PMMA体模内中子通量密度的深度曲线进行了测量,结果验证了多球谱仪测量结果的可靠性。     

14兆电子伏中子引起的~(238)U裂变截面的测量

我们以T(d,n)~4He反应为中子源,用半导体探测器测量伴随α粒子的方法确定中子通量。在中子能量为14.10±0.10,14.60±0.20和15.04±0.13兆电子伏处绝对测量了~(238)U的裂变截面。     

14兆电子伏中子引起的~7Li核生氚截面折测量

由中子引起的~7Li核的生氚反应截面是~7Li核与中子相互作用截面中一个重要的分截面。许多实验室对~7Li核的中子生氚截面进行过测量。最近我们用液体闪烁快符合法测量了由14兆电子伏中子引起的~7Li核的生氚反应截面。     

中子发生器的纳秒脉冲聚束系统

为了用飞行时间法精确测量中子能谱,从俄罗斯Efremov电物理所引进了一台纳秒脉冲中子发生器。该中子发生器采用聚束系统产生纳秒脉冲束流,其中的纳秒脉冲信号源、高频聚束电源、负反馈调节系统等关键设备都是自主研制的。采用双扫描技术解决了聚束电源电压过高的问题,采用负反馈技术使纳秒脉冲聚束系统长期稳定工作。为了测量纳秒脉冲束流,研制了快脉冲同轴靶测量装置,测得中子发生器的离子束流脉冲半高全宽为1.5 ns,脉冲重复频率为1kHz-4MHz,束斑直径为10 mm。由于采用了电子回旋共振离子源(Electron Cyclotron Resonance,ECR),所以该中子发生器具有发射度小、能散小、无灯丝、可长时间连续工作的优点,是中子物理研究的良好实验平台。     

油垢厚度检测中的入射中子束设计

在中子背散射测量技术中,由于中子的自屏蔽效应,使测量的背散射热中子计数出现非线性,并趋向于饱和,引起测量精度下降,测量范围受到限制。本工作通过简单模型,采用文献提出的技术原理,初步探讨热中子和超热中子入射比对油垢厚度检测中非线性的改善情况。由简单模型和实验测量结果比较可见,采用中子背散射测量油垢厚度时,将热中子和超热中子按一定的比例入射,有助于改善非线性效应,提高油垢厚度检测的水平。     

高压倍加器的脉冲中子束调制

一、引言随着原子能科学技术的不断发展,高压倍加器的氘-氚和氘-氘中子源的应用范围也日益扩大。在应用中,有时要求倍加器能产生脉冲中子束。为了获得脉冲中子束,通常的方法是调制氘离子束。一般有下述三种方法:第一,静电偏转板法。在加速器的漂移管道     

实验室用直流300千伏绝缘套管

为了将直流300千伏高电压引入高气压钢筒内,试制了一种实验室用直流300千伏绝缘套管。绝缘套管的上半部处于大气中,下半部处于充有N_2和CO_2混合气体的高气压钢筒内。     

中子能量在0.02—0.5电子伏范围內U~(235)裂变次級有效中子数平均值随入射中子能量的相对变化

利用慢中子机械选择器中子譜仪于入射中子能量在0.02—0.5电子伏区域內,采用直接測量方法测量了U~(235)的η(E)相对值。在測量誤差范围內,中子能量在0.02—0.08电子伏区域η值为一常数,此后随中子能量增高而下降,至接近0.3电子伏时η值約下降了13%。     

200千伏直流绝缘变压器的试制

在高压倍加器中,通常采用带有绝缘传动件(绝缘带或绝缘轴)的电动发电机组或绝缘变压器作为高压整流管灯丝加热的供电电源。电动发电机组虽然比较经济,但存在以下的缺点:(1)直流发电机工作不可靠,可能使整流管熄灭,从而引起整流管的击穿;(2)绝缘传动件容易