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为了探索和验证半导体激光器电导数参数与其可靠性的关系,将12个半导体激光器串联后进行高温加速电老化,直到器件不激射。监测在加速老化过程中半导体激光器电导数参量的变化情况。通过分析老化期间监测的数据,发现电导数曲线在阈值电流处的下沉高度随着老化时间的增加而变小;结特征参量与电导数曲线(在大于阈值电流的工作状态下)在电流I=0处的截距值随着老化过程逐渐变大。并且结特征参量的变化量在早期处于比较小的平稳状态,然后快速增加到一定值并保持一段时间,之后快速下降并最终稳定在比较小的值,这说明器件退化分为3个阶段:在早期退化较慢,之后退化很快并保持一定的退化速度,最后又到了慢速退化期。从实验结果得知电导数参量与器件的寿命和老化程度有密切关系,并且电导数参数可表征半导体激光器的退化状态。 相似文献
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一、可见光半导体激光器的提出 随着对半导体激光器应用研究的不断深入,要求其波长向长波和短波两方扩展,于是人们着手研究光通信光源用的InGaAsP系长波长半导体激光器和光信息处理光源用的可见光半导体激光器。在可见光半导体激光器问世以前,光信息处理,光印刷,视频唱片等的光源均采用波长为632.8nm的He—Ne气体激光器。随着红外光半导体激光器的发展,逐渐提出了用可见光半导体激光器取代可见光He-Ne气体激光器的要求,因为前者比后者具有无可比拟的优点,例如体积小,工作电压低,适于高速率调制工作,有利于集成 相似文献
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半导体激光器退化及其筛选 总被引:1,自引:0,他引:1
文章概述了半导体激光器失效因素,退化行为及改进可靠性的措施,特别就可靠性问题进行了讨论,指出用电导数参数对半导体激光器进行可靠性筛选和评估是一个行之有效的办法。 相似文献
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本文讨论了可见光半导体激光器的很多优点及其广泛应用,从半导体激光器的特点出发,分析了设计准直、整形、消象散的必要性,并具体讨论了包括准直、整形、消象散等光学系统的设计,具有实用性。 相似文献
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研制成功高峰值功率分别限制异质结可见光半导体激光器,从理论及实验上研究了结构参数对器件性能的影响,得到了最佳的设计参数. 相似文献
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本文是可见光激光二极管的开发现状与市场的第二部分,主要介绍大功率可见光 LD 的开发现状。 相似文献
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半导体激光器的电噪声 总被引:1,自引:0,他引:1
通过测量激光器的电噪声,可以用来在线监测器件的诸多特性,如阈值电流的大小,是否有模式跳变发生,以及谱线宽窄等.另外,根据电噪声的大小,还可以对器件的质量和可靠性作出评价,具有快速、方便、无损等优点.文章概述了半导体激光器的电噪声,对其主要应用进行了综合和讨论,概括性评述了该领域目前的研究进展. 相似文献
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1 Introduction The world first diode laser was developed in 1962, only two years later than the demonstration of the first world ruby laser. The diode laser had moved from the pure re- search laboratory to the consumer market not until the 1980s, mainly driven by the demand from optical infor- mation storage and optical communication. Most diode lasers are made of semiconductor materi- als from groups III (Ga, As, In) and V (N, P, As) of the Periodic Table[1]. They are also diode lasers b… 相似文献
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随着高速大容量光信息处理技术发展需求的增长,二维(2D)阵列型光发射器件变得日益迫切。为了实现2D阵列激光器,发射光垂直于衬底的表面发射激光器(SEL)成为关键器件。本文综述了某些重要的面发射激光器及其阵列的结构和激射特性。三种基本结构——光栅耦合型、45°偏转镜面型和垂直腔型SEL竞相成为最佳的器件结构。文中还讨论了2D阵列激光器的应用前景。 相似文献
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半导体激光器电源与非辐射复合电流的相关性 总被引:1,自引:1,他引:0
测量了50余只980nmInGaAsP/InGaAs/AlGa As 双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V-I特性。结果表明,小注入情况下,980nm半导体激光器的低频电噪声主要表现为1/f特性,并与器件的表面非辐射复合电流有着良好的对应关系。 相似文献
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高功率半导体激光器电压饱和特性与器件质量 总被引:3,自引:1,他引:2
为实现对高功率半导体激光器快速,有效、无损的质量检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测试及分析.结果表明高功率半导体激光器的结电压饱和特性与其质量和可靠性紧密柏关.结电压饱和特性不好的器件一般都存在某种缺陷,结电压饱和特性的差异超出一定范围的同种类器件一定是质量和可靠性差的器件.因此,阈值处电导数曲线的下沉高度h值可作为器件筛选的一个判据.用模拟测馈的方法,对阵列器件和组成它的单元器件的电压饱和特性的相关性进行了研究,阵列器件的电压饱和特性与组成它的单元器件的一致性(均匀性)紧密相关.均匀性小好的器件的电压饱和特性也不好. 相似文献
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LIU Guang-yu ZHANG Yan PENG Biao SUN Yan-fang LI Te CUI Jin-jiang NING Yong-qiang QIN Li LIU Yun WANG Li-jun 《光机电信息》2007,24(5):37-40
Photonic crystals (PCs) have attracted much considerable research attention in the past two decades. They are artificially fabricated periodic dielectric structures. The periodic dielectric structures have photonic band gap (PBG) and are referred to as photonic band gap materials. This paper mainly introduces one-dimensional (1-D) and 2D PCs applied in the semiconductor lasers. 相似文献