致冷L波段低噪声HEMT放大器

本文介绍致冷L波段HEMT放大器的设计与测量结果。室温下,放大器的最低噪声温度为34.4K,当致玲到15K时,在1.0到1.5GHz的频带内,放大器的平均噪声温度为2.1K,最低噪声温度为1.5K增益为34.8±0.7dB,反射损耗20log 1/|S_(11)|大于10dB。     

宽带放大器

以AD603型可变增益放大器(VGA)为核心,提出了一种宽带放大器的设计方法,通频带为300 Hz～14 MHz,增益调节范围为10～66 dB,并具有自动增益控制(AGC)的功能,动态范围大于20 dB.整个系统结构简单,界面友好.     

3～10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计

根据UWB(Ultra-wideband)无线通信标准.提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计.该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的.仿真结果表明,放大器在3-10 GHz带宽内,增益.S21高达21 dB,增益平坦度小于1.5 dB,噪声系数在2.4～3.3 dB之间.输入输出反射系数(S11和S22)均小于-9 dB,并且在整个频带内无条件稳定.所有结果表明该LNA性能良好.     

宽带直流放大器系统设计

设计了一种增益连续可调的宽带直流放大器,通过单片机AT89S52控制数模转换器TLV5638来改变可变增益放大器AD8336增益的大小,实现了增益连续变化及预置增益以及显示的功能;此宽带直流放大器电压增益在0 dB～60 dB连续可调,3 dB通频带0～10 MHz,其中在0～9 MHz通频带内增益起伏≤1 dB,最大输出电压正弦波有效值V2≥10 V并无明显失真.     

18GHz场效应放大器的实用设计

本文叙述在17.5～18GHz频带工作的低噪声场效应晶体管放大器之实用设计及其性能.放大器包括三级级联微带放大电路和波导输入/输出端口,获得了4.5dB的噪声系数和17dB的总增益.     

2.45 GHz 0.18 μm全差分CMOS低噪声放大器设计

设计了一个基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺的2.45 GHz全差分CMOS低噪声放大器.根据电路结构特点,采用图解法对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;设计了仅消耗15 μA电流的偏置电路;采用在输入级增加电容的方法,在改善输入匹配网络特性的同时,解决了栅极电感的集成问题.仿真结果表明:LNA噪声系数为1.96 dB,功率增益S_(21)超过20 dB,输入反射系数S_(11)和输出反射系数S_(22)分别小于-30 dB和-20 dB,反向功率增益S_(12)小于-30 dB,1 dB压缩点和三阶互调输入点IIP3分别达到-17.1 dBm和-2.55 dBm,整个电路在1.8 V电源下功耗为22.4 mW.     

1～4 GHz宽带低噪声放大器的设计

通过在两级级联放大器的后一级中采用负反馈网络来拓展放大器的工作频带,并在放大器的偏置网络中添加吸收回路来提高放大器的稳定性和改善其输入输出驻波比.利用ATF-54143设计了一款工作于1～4GHz的性能优良低噪声放大器(LNA).仿真结果显示,其增益G=21.3±0.35 dB,噪声系数NF≤1.2 dB,输入输出反射...     

2～8 GHz超宽带低噪声放大器设计

文中设计并实现一款适用于S波段和C波段(2～8 GHz)的超宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器选用三菱公司InGaAs HEMT晶体管MGF4941AL,采用并联负反馈的三级级联放大结构,有效提高了增益和带内匹配。三级电路均采用电阻自偏压方式实现单电源供电,并且加入了正电延时模块确保晶体管正常工作。测试结果表明,在2～8 GHz频率范围内,输入反射系数S_(11)和输出反射系数S_(22)分别小于-8.5 dB和-7.7 dB,正向增益S_(21)大于21 dB,噪声系数小于3.6 dB。     

X波段低噪声放大器模块

报道了自行设计并研制成功的X波段低噪声放大器(LNA)模块,提出了调整模块增益平坦度的有效方法,即在两级放大器之间设计多个并联谐振回路,使其在带外低频段产生不同的谐振点来衰减低频段的增益,同时拉低带内低频端的增益,再用谐振回路中的串并联电阻调整增益压缩的大小,从而使工作频带内增益平坦.利用这种方法研制的模块最终测试结果为:增益平坦度≤±0.34dB,噪声系数≤1.84dB,增益＞35dB,模块性能完全符合设计要求.     

X波段低噪声放大器模块

报道了自行设计并研制成功的X波段低噪声放大器(LNA)模块,提出了调整模块增益平坦度的有效方法,即在两级放大器之间设计多个并联谐振回路,使其在带外低频段产生不同的谐振点来衰减低频段的增益,同时拉低带内低频端的增益,再用谐振回路中的串并联电阻调整增益压缩的大小,从而使工作频带内增益平坦.利用这种方法研制的模块最终测试结果为:增益平坦度≤±0.34dB,噪声系数≤1.84dB,增益＞35dB,模块性能完全符合设计要求.     

基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计

基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计.为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法.选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真.最终在频率为5.2 GHz下,LNA噪声系数F为1.5 dB,增益S21达到12.6 dB,输入、输出反射系数S11和|S22较好,在工作频带内小于-10 dB,LNA性能良好.     

A 2.1-6 GHz SiGe BiCMOS low-noise amplifier design for a multi-mode wideband receiver

A wideband low-noise amplifier (LNA) with ESD protection for a multi-mode receiver is presented.The LNA is fabricated in a 0.18-μm SiGe BiCMOS process,covering the 2.1 to 6 GHz frequency band.After optimized noise modeling and circuit design,the measured results show that the LNA has a 12 dB gain over the entire bandwidth,the input third intercept point (IIP3) is -8 dBm at 6 GHz,and the noise figure is from 2.3 to 3.8 dB in the operating band.The overall power consumption is 8 mW at 2.5 V voltage supply.     

SiGe HBT超宽带低噪声放大器设计

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在3.3V时,噪声系数低于2.5dB,增益大于24dB,功耗为28mV,输出三阶交调为17dBm。     

一种基于MBE差分外延技术的SiGe低噪声放大器

采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7 GHz的带宽,23 dB的增益和3.5 dB的噪声系数。     

A 11.2 mW 48–62 GHz Low Noise Amplifier in 65 nm CMOS Technology

In this paper, a wideband low noise amplifier (LNA) for 60 GHz wireless applications is presented. A single-ended two-stage cascade topology is utilized to realize an ultra-wideband and flat gain response. The first stage adopts a current-reused topology that performs the more than 10 GHz ultra-wideband input impedance matching. The second stage is a cascade common source amplifier that is used to enhance the overall gain and reverse isolation. By proper optimization of the current-reused topology and stagger turning technique, the two-stage cascade common source LNA provides low power consumption and gain flatness over an ultra-wide frequency band with relatively low noise. The LNA is fabricated in Global Foundries 65 nm RFCMOS technology. The measurement results show a maximum \(S_{21}\) gain of 11.4 dB gain with a \(-\)3 dB bandwidth from 48 to 62 GHz. Within this frequency range, the measured \(S_{11}\) and \(S_{12}\) are less than \(-\)10 dB and the measured DC power consumption is only 11.2 mW from a single 1.5 V supply.     

一种用于地面和有线接收机的宽带低噪声放大器

提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.     

一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究

对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座。通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离度(S12)1、dB压缩点(P1dB),三阶互调节点(IP3)和噪声系数(NF)等参数的测试,验证了测试系统的准确性。对所开发的单片SiGe低噪声放大器进行了测试,获得了准确的测试数据,准确表征了SiGe低噪声放大器的性能。     

A wideband LNA employing gate-inductive-peaking and noise-canceling techniques in 0.18μm CMOS

正This paper presents a wideband low noise amplifier(LNA) for multi-standard radio applications.The low noise characteristic is achieved by the noise-canceling technique while the bandwidth is enhanced by gateinductive -peaking technique.High-frequency noise performance is consequently improved by the flattened gain over the entire operating frequency band.Fabricated in 0.18μm CMOS process,the LNA achieves 2.5 GHz of -3 dB bandwidth and 16 dB of gain.The gain variation is within±0.8 dB from 300 MHz to 2.2 GHz.The measured noise figure(NF) and average HP3 are 3.4 dB and -2 dBm,respectively.The proposed LNA occupies 0.39 mm2 core chip area.Operating at 1.8 V,the LNA drains a current of 11.7 mA.