简讯

J904062 商品化的0.85cm 27万像素CCD 摄像器件日本松下电子工业公司最近研制成功0.85cm27万像素的 MN3715型 CCD 摄像器件,实验表明该器件灵敏度高,电子快门连续可变,从1990年2月起开始批量生产。最近,对固体摄像器件提出了超小型、高性能化的要求,并迫切要求开发缩小包括透镜光学尺寸的CCD,上述器件符     

微光摄像器件的发展趋势

主要概述微光摄像技术、真空微光摄像器件、像增强CCD(ICCD)、电子轰击CCD(EBCCD)以及微光摄像器件的发展趋势。     

微光摄像器件的发展趋势

主要概述微光摄像技术、真空微光摄像器件、像增强CCD(ICCD)、电子轰击CCD(EBCCD)及微光摄像器件的发展现状。     

透明电极FT转移CCD摄像器件

已经制成摄像区第二层电极为透明电极的帧转移CCD摄像器件。器件的像素数为512(垂直)×340(水平),电极腐蚀图形良好。制作过程中存在的一个问题是铟一锡一氧化物透明薄膜(ITO)的腐蚀速率比SiO_2层低,采用新的CCD结构解决了这一问题。该器件在可见光波段的量子效率为0.5～0.75,特别是对兰光的灵敏度高于普通二层多晶硅电极CCD。     

CCD固体摄像器件在国防军事上的某些应用

本文叙述了CCD固体摄像器件的优点,指出了它是国防军事上应用的基础器件之一,列举了它在国防军事应用的一些实例。同时简要地论述了我们研制的CCD固体摄像器件在国防军事项目上的一些试验应用情况。     

新型CMOS图像传感器件——OV5116

<正> OV5116是美国Ommivision公司(以下简称OV公司)于2000年5月最新推出的高性能廉价黑白摄像机芯片。它克服了第一代CMOS黑白摄像器件OV5016的缺陷,大大改变了CMOS摄像器件在摄像应用领域的地位。 OV5016黑白摄像器件是OV公司第一代单芯片摄像器件。它以低廉的价格和极其简单的制造方法在CCD摄像器件领域引起震动,表明CMOS单片摄像器件已开始成功地进入商用领域。虽然OV5016具有功耗低、体积小、价格廉、可靠性高等四个优势,但它毕竟是CMOS摄像器件的初期产品,功能还不够完善,图像不够清晰,灵敏度较差,强光下易饱和,在大批量应用时方能体现其价格优势,比起CCD黑白摄像器件仍是     

140万像素的CCD固体摄像器件

美国柯达公司电子研究所采用独特的超净处理技术,于1985年5月29日研制出世界最高像素(140万)的高灵敏度埋沟面阵CCD固体摄像器件。该器件性能如下:     

简讯

日本松下电器产业公司研制出一种隔行传输(IT)1/3英寸CCD摄像器件,它采用了变速电子开关。在3lx(F/1.2)低光照下,变化范围为1/6～1/10,000s。PAL型含21万个像素。此项技术还将应用于1/2英寸CCD摄像器件,该器件甚至可在1lx(F/1.2)光照下工作,预计可占领世界市场的50％,并将在1/3英寸CCD市场发挥主导作用。     

硅新型摄像器集锦

由于微细加工技术和CMOS技术的发展，信息工程的需要，促使摄像器件在近几年获得飞跃发展。这里收集的硅固体摄像器件的新成果从1996、1997年英、日原刊中摘编而来。（1）软X射线CCD摄像器件软X射线CCD摄像器，是一种先进的宇宙和天文物理仅用摄像器。它比以前的气体闪烁计数器、固态检测器有更多的优点，它噪声小、面积大、强度高、寿命长。这种软X射线天文仪，可长期在宇宙中工作。该摄像器是一种帧转移CCD摄像器，像素尺寸为24μm×24μm，每个像素的储存器尺寸为13．5μm×21μm，储存区分左、右二部分，有4个输出端，帧频较高，…     

采用502×402CCD摄像器件的固体彩色摄像机的研制

<正> 在最近举行的“松下电气电子产品综合展览会”上,松下电气产业第一次公开了采用象素数目为502(V)×402(H)的行间型CCD摄像器件的固体彩色摄像机。该摄像机有效地利用了CCD摄像器件所特有的能压低噪声这一特点;同时又在彩色分离滤光镜方面花工夫研究,以提高效率;并且采用2/3英寸的光学系统,从而实现了前所未有的高灵敏度特性。该公司通过确立高密度CCD工艺技术,已于1979年2月使大约20万个CCD摄像器件及采用该器件的2/3英寸黑白视频摄像机[BS-701]达到商品化程度,并进一步试制采用相同CCD     

硅CCD固体摄像器件的进展及其应用

本文评述了近几年来可见光硅CCD固体摄像器件的进展,黑白与彩色TV摄像机的现状,文中列出了典型CCD摄象器件和黑白与彩色TV摄象机的性能参数。介绍了国外CCD摄象器件的民用与军用状况。展望了未来的发展与应用前景。     

CCD固体摄像阵列的军事应用

CCD的出现正在使现代电子摄像系统产生巨大的变革。毫无疑问,这一变革也将猛烈地冲击着军用领域。本文根据CCD固体摄像器件的目前发展状况叙述了器件在遥感、夜视、导弹制导、预警、星跟踪等重要军用领域的应用,并展望了未来的发展。     

埋沟CCD的输出结构

本文给出了一种埋沟 CCD 的输出结构。该结构在不限制埋沟设计或不需要过高的漏极电压的情况下,可使输出电压的幅度高达几伏。另外,还讨论了该结构在实验性的 CCD 摄像器中的应用。     

超大动态范围的摄像器件研制成功

日本米诺尔塔公司和罗姆公司共同研制成功超大动态亮度范围的摄像器件。该器件具有普通的 CCD摄像器件约 10 0 0倍时 10 5 以上的动态范围。如果头灯光进入画面内 ,即使有极不同的明亮部分也不会发生“白光耀眼”和“一片黑暗”,而可进行摄影。光学尺寸为 1/2英寸 ,具有 32 0× 32 0个象素。这种摄像器件不是 CCD,而是采用 MOS型晶体管 ,被称为 CMOS图像传感器的一种。CMOS型可采用普通的 LSI生产线 ,廉价生产 ,在一个芯片上 ,可混载其他电子线路 ( A/D转换电路和信号处理电路等 )。新研制的摄像器件的秘密是在每个象素上安装了对…     

256×256高帧频可见光CCD的研制

采用三相全帧帧转移结构和常规的CCD工艺,设计并研制了一种高速摄像用256×256元高帧频可见光CCD成像器件.器件光敏元采用MOS结构,尺寸为10μm×10μm,4信号抽头输出,占空比100%.测试结果表明,器件工作波长为0.4～1.1 μm,光灵敏度为0.05 lx(峰值波长处,积分时间40 ms),帧速为500帧/秒,动态范围大于等于54 dB,响应非均匀性小于等于2%.     

家用摄录机原理讲座 第二讲 CCD型和MOS型彩色摄像器件

在家用一体化摄像机中,固体摄像器件已替代摄像管,该器件包括CCD型和MOS型两大类。CCD型通常又有帧转移和行转移两种方式,MOS型则属于XY寻址方式。固体摄像器件具有以下特点:(1)光照动态范围大,无灼伤;(2)体积小、重量轻;(3)工作寿命长;(4)残像小。随着制造工艺的不断成熟和发展,其原有的缺点,如拖尾、图像噪声等     

CMOS图像传感器取代CCD器件指日可待

一、一个新的产品方向出现 近来一些媒体陆续报道了CMOS图像列阵传感器的进展情况,集中的话题是CMOS摄像器件何时取代CCD摄像器件? 事实上,最近OmniVision公司推出的OV7500和OV7000系列的CMOS摄像单片机已冲破CMOS图像传     

一种可隐蔽监视的CCD图像监视系统

为适应某些特殊场合需要,研究了一种可隐蔽监视的CCD图像监视系统。在对图像监视系统的CCD摄像镜头研究中,设计出一种突破传统CCD摄像镜头的视场角局域、不需要旋转云台、结构短小轻便的小型针孔广角CCD摄像镜头,它更有利于隐蔽监控,还扩大了监视的视场范围。本系统还设计有微机图像处理自动报警功能。     

491×384元CCD摄像器件

采用三相结构制作了491(V)×384(H)元内线转移 CCD 摄像器件。该器件采用埋沟和四层多晶硅技术,水平分辨率为250TV 线,动态范围达46dB。本文对该器件的工作原理、设计和制作工艺作了详细的介绍。     

CCD固体摄像器件的发展现状

本文主要介绍国外可见CCD、X射线CCD、电子轰击CCD、虚相CCD、TDI-CCD、向帧速CCD和SuperCCD等固体摄像器件的最新发展现状以及未来发展趋势。