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采用有限元模拟软件对液封直拉(LEC)法生长锑化镓晶体过程进行计算机建模。模拟分析了晶体旋转、坩埚旋转及隔热屏等因素对GaSb固-液界面形貌的影响。结果表明,晶体旋转与坩埚旋转分别具有促使凸向熔体的固-液界面曲率减小及增大的作用,且同等转速条件下,坩埚旋转对固-液界面形貌影响更大。此外,减小放肩角度、去除炉体上部的隔热屏等措施,均具有使凸向熔体的固-液界面曲率降低的作用。而使用液封剂使凸向熔体的固-液界面曲率增大。坩埚在加热器中存在某一位置,使熔体内部轴向梯度最大。炉膛内氩气流速最剧烈部位为保温罩与拉晶杆间的区域,Ar气对流导致上炉膛温度提高,并降低熔体表面温度约8℃。 相似文献
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利用Fluent软件,模拟计算了垂直Bridgman法大尺寸氟化钙晶体生长的具体过程,研究了晶体生长过程中的热传递和熔体对流传热,分析了固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和径向温度梯度的影响。分析结果表明:熔体对流传热的效果随晶体生长的不断进行逐渐减弱;固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和径向温度梯度有重要影响;晶体的结晶速度和坩埚的下降速度存在不一致性。 相似文献
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采用数值模拟技术模拟了10cm(4 in)VOF法GaAs单晶生长过程中的温场分布、固液界面形貌以及热应力分布.推导得到了固液界面形状与轴向温度梯度和径向温度梯度之间的关系,定义了一个固液界面形状函数,用以表征固液界面偏离度.固液界面偏离度可定义为晶体边缘和晶体中心轴向位置的差值.计算得到固液界面凹(凸)度的临界值,小于该值时,固液界面附近的热应力低于临界分解剪切应力(CRSS).模拟计算了两个时刻的晶体中的热应力分布:当偏离度大于临界值时,晶体中的热应力大于CRSS,反之,晶体中的热应力小于CRSS,验证了理论推导的结果. 相似文献
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布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究 总被引:2,自引:0,他引:2
文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果,简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响,并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较,在分析影响固液界面形态因素的基础上,认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。 相似文献
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垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟 总被引:7,自引:1,他引:6
采用 Galerkin有限元算法 ,计算了垂直 Bridgman生长 Cd Te过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状 ,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响 .计算结果表明 ,较小的生长速率可以获得更为平坦的固液界面 ,适当增加结晶区域的温度梯度也是改善固液界面形状的一个有效方法 .同时 ,通过对生长系统中的热流分析 ,表明在生长过程的中间阶段 ,热量交换主要集中在梯度区附近 ,而坩埚两端与外部环境的热量交换较少 相似文献
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采用ACRT-B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0.1dCd0.9In2dTe4晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构,形貌、成分及晶片的红外透射光谱。发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比,结果出现三种相:α相、β相和β1相,其中α相和β相是在晶体生长过程中形成的,随温度降低,从α相中又析出β1相,当晶体生长到稳定段,完全形成β相,Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体从生长初始端到接近稳态区,β1相内规则排列状向不规则排列的近似圆片状发展。禁带宽度为1.2eV的Mn0.1Cd0.9In2Te4在10000~4000cm^-1的近红外波数范围内,其透过率最高达83%,在4000~5000cm^-1的中红外波数范围内透过率为59%~65%。 相似文献
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开展了HgCdTe 晶体的多脉冲热损伤问题的实验研究。采用形貌学方法对脉宽为300 ns 重复频率可调的CO2 激光器对Hg0.826Cd0.174Te 晶体的损伤阈值进行了实验测量,并建立了高重频脉冲CO2 激光辐照Hg0.826Cd0.174Te 晶体的三维热传导理论模型,分析了激光重复频率和辐照时间对晶体损伤特性的影响。研究表明:300 ns 的CO2 激光辐照时间大于10 s时,Hg0.826Cd0.174Te 晶体的损伤阈值不随辐照时间的增加而改变,其损伤阈值为1.421 4103W/cm2;激光重频对晶体的损伤阈值的影响较小,损伤阈值主要取决于辐照激光的平均功率密度。SEM 损伤结果显示:晶体损伤为热熔损伤,表面未发现由热应力造成的裂缝。理论模型获得的损伤数据和温升规律支持实验结果。该研究可为高重频CO2 激光应用、激光防护等提供参考。 相似文献
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Ching-Hua Su Pok-Kai Liao Tse Tung R. F. Brebrick 《Journal of Electronic Materials》1982,11(5):931-942
The simultaneous fit to diverse phase diagram and thermodynamic data in the Hg-Cd-Te system using an associated solution model
for the liquid phase is summarized. The calculated low temperature isotherms and solid isoconcentration lines near pure Hg
are shown to agree well with experiment. The difference between the crystal temperature and the temperature of a Hg-reservoir
required to give the mercury pressure for metal-saturation is tabulated for crystal temperatures of 250, 275, and 300°C and
x-values between 0.1 and 0.9. The differences are all less than 0.6°C and at a given crystal temperature are smallest for
x = 0.9. 相似文献
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采用傅里叶变换红外光谱仪测试了性能各异的多个CdZnTe晶片的红外透过率.研究表明,红外透过率的大小可以定性反映CdZnTe晶片的性能:红外透过率越高的晶片,其成分偏离越小,位错密度越低,电阻率越高.根据红外透过率大小随着波数的变化,红外透过率图谱可以分为4种,每一种图谱对应着具有不同性能的CdZnTe晶片,从晶片对红外光的吸收机理出发,对实验结果进行了初步分析。 相似文献
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The study is concerned with the excitonic and intracenter emission spectra of planar structures with periodically arranged
Cd0.9Mn0.1Te layers (with a nominal thickness corresponding to one monolayer) separated by Cd0.5Mg0.5Te barriers with different thicknesses. The complex structure of the spectra and their variations in the temperature range
from 5 to 80 K are indicative of the inhomogeneity of the Cd0.9Mn0.1Te layers, the important role of vertical diffusion, and the correlation between irregularities in the direction of growth
at a small spacing between the narrow-gap Cd0.9Mn0.1Te layers. A substantial factor controlling the spectrum and quantum efficiency of excitonic emission is the relation between
the exciton radius and the period of the structure. 相似文献
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Electrical properties of the Cd1 ? x Mg x Te alloys of various composition (0.1 ≤ x ≤ 0.3) are studied. It is established that at x = 0.1, a low-resistivity p-type material with parameters close to undoped CdTe is formed. A feature of the Cd0.9Mg0.1 Te crystals is that, during deposition of Cu on their surface from a saturated CuSO4 solution, ohmic contact is formed, the characteristics of which do not worsen in a wide temperature range (80?300 K). The study of characteristics with and without illumination of the Cu/p-Cd0.9Mg0.1Te/n-Cd0.9Mg0.1Te/In structures have shown that they are promising as photoconverters of solar radiation. 相似文献