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用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)对用阳极氧化法制成的多孔硅层在1%NH3/H2O2溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明,Si-O键和H-O键的强度随NH3/H2O2溶液的腐蚀时间的增加而增加,Si-H键强主匠随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升,半高宽变窄,谱峰的以边明显蓝移。分析研究表明,1%NH3/H2O2溶液对多孔硅层有腐蚀 相似文献
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硅各向异性腐蚀速率图的模拟 总被引:5,自引:0,他引:5
利用数学软件 MATLAB,对三维中的向量进行插值计算。根据硅各向异性腐蚀特点 ,构造出了一个完整的硅各向异性腐蚀速率图。模拟结果与已有的实验数据进行了比较 ,说明这种方法可以用来模拟硅各向异性腐蚀速率 相似文献
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各向异性KOH溶液腐蚀硅尖具有简单、易于实现、成本低廉、(100)晶面腐蚀速率均匀等优点.然而在40%KOH溶液中削角速率和(100)晶面的腐蚀速率之比约为1.6~1.9,并且该比值随着KOH浓度的减小而增大.如此高的削角速率会给AFM探针的制作带来技术上的困难.而对腐蚀场发射器件和隧道式传感器的硅尖阵列来说,高的削角速率会减少单位面积内的硅尖数量.本文通过在氢氧化钾(KOH)或者四甲基氢氧化胺(TMAH)溶液中添加适当的添加剂(如异丙醇(IPA)、1,5戊二醇或碘)降低了削角速率,在较小直径的掩膜下腐蚀出高硅尖.实验结果还表明:在TMAH基腐蚀液中每个硅尖的八个快腐蚀面的削角速率几乎相等,硅尖直径偏差较KOH溶液中腐蚀的硅尖直径偏差更小,因此成品率得到了提高. 相似文献
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测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法 总被引:5,自引:2,他引:3
介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法.硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示.利用深反应离子刻蚀技术(DRIE)在{0mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽,测量槽宽度在腐蚀前后的变化,就可测定各{0mn}面上的二维腐蚀速率分布.将二维腐蚀速率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布.由于DRIE制作的垂直侧壁深度大,可耐受较长时间的各向异性腐蚀,所以只需使用一般的显微镜就能得到准确的结果.实验得到了40%KOH和25%TMAH中{n10}和{n11}晶面的腐蚀速率分布数据 相似文献
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研究了一种利用硅微结构直接作为模具制作微小固体染料激光器谐振腔。它采用了硅的深层反应离子刻蚀技术(deepRIE)并结合硅的各向异性腐蚀技术(EPW),由于EPW对〈110〉面有仅次于〈111〉面的腐蚀速率,可制造出具有光学镜面的侧壁面的硅模具。利用此模具可制成出四角形环型PMMA固态染料微小谐振腔。利用激光染料若丹明6G掺杂的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),在调QNd:YAG自倍频激光532nm泵浦下,得到590nm波长附近的激光输出。 相似文献
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多孔硅的氢化、氧化与光致发光 总被引:1,自引:1,他引:1
对于刚阳极氧化完的,阳极氧化后紧接着在H2O2中光照处理的及长期存放(10个月)的三种多孔硅样品进行了持续激光照射,不断监视它们的光致发光(PL)与富利埃变换红外(FTIR)吸收光谱,并在最后对它们作了X射线光电子能谱(XPS)测量,以确定它们所含氧化硅的情况.得出如下几条结论:(1)氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的.(2)Si—H键不是发光所必须的.(3)氧对多孔硅表面的钝化是稳定的,纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的.对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释. 相似文献
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台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β>80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值。 相似文献
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激光刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种激光与微电子机械加工系统 (MEMS)相结合刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的方法。实验结果表明 ,利用这种新方法刻蚀的硅磁敏三极管发射区引线槽具有刻蚀速率大、质量好的优点 ,并且可以实现对 ,〈111〉晶向硅片无掩膜加工。 相似文献
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Etching of Al is studied in pure BCl3 as well as in mixtures with other gases in the reactive sputter etching mode in a cryopumped system. Etch rate, selectivity with respect to positive photoresist, SiO2 and Si and etch profiles are investigated as a function of gas composition, gas pressure, flow rate and plasma power. Plasma chemical processes are monitored by quadrupole mass spectroscopy as well as by optical emission spectroscopy. Perfectly square Al-profiles can be etched if etch rates are kept below 1000 A/min. Al-patterns running over steep steps can also be clearly defined if a certain amount of overetching can be tolerated. The experimental data indicate that the etch process is reactant supply limited. Anisotropic etching is achieved by either a ‘surface inhibitor mechanism’ or the formation of a sidewall protecting film. 相似文献
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Si在SF6+N2中反应离子刻蚀及其剖面的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导了用SF_6+N_2混合气体反应离子刻蚀Si及其剖面的实验结果,研究了在刻蚀时,混合气体的成份和射频功率密度对Si的蚀速影响以及Si的负载效应,通过实验得到了一种获得Si的腐蚀垂直剖面的方法,该腐蚀技术在制作微机械马达和周期为466.8nm的二级光栅(线宽0.2μm)中得到应用。 相似文献
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采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中Cl2和Ar比例的影响,硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低,同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着ICP功率的增大先增大继而减小,选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在Cl2/Ar混合气体的刻蚀过程中,离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时,文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响,结果表明,通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下,压强改变对于硅刻蚀形貌的影响,发现通过降低压强,可以明显地抑制杂草的产生。 相似文献
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