硅双极晶体管和集成电路继续在发展

硅双极晶体管是现在公认的最佳微波器件,被广泛用于直到6GHz的各种小信号和功率放大器以及直到18GHz的振荡器。制造技术的较大进步使成本显著降低,同时改善了分立硅晶体管的均匀性,使应用于1GHz以上频率的实用的微波单片集成电路(MMIC)和高速数字集成电路能大批生产。本文提供了市售微波晶体管的设计、一般特性和性能的概述,并且给出能用于微波频率的实际硅单片集成电路状况的最新资料。     

浅谈半导体器件在移动电话中的应用

在移动电话中作为RF功率部分,大量使用各种半导体分立器件,或由它们构成的微波单片集成电路(MMIC)。在该领域GaAs和Si的应用几乎并驾齐驱。具体而言,有Si双极晶体管、Si MOSFET、Si/Ge HBT、GaAs、MESFET、GaAs P-HEMT和GaAs HBT等。     

《微电子学》一九七二年一至六期题目总索引

第一部分正丈页工241厂期一一二一一!司外大规模集成电路川外集成电路制造工艺设备概况超高速数字电路的现状及发展趋势超高速数字集成电路国外发展概况砷化稼体效应振荡器!川外线性集成电路双极大规模集成电路的各种隔离技术!f4外J散波半导体器件研制概况114外彩色掩模研究概况三~四 五 /、 /、11八曰︻J八O八.)月住一口一Oe曰ti 器护!)!}}!‘d钟协硕(>S器件低噪,打微波,异,体管仁又噪声高增益品体管小‘、号微波品体管的设计与性能1千飞赫卜噪声3.6分贝的硅双极晶体管 材以,八,均,、万纯外延生长不均匀半导体中的高表观迁移率N明〔;、…     

X波段大功率砷化镓场效应晶体管及其特性

最近,硅双极型晶体管在4千兆赫下输出功率可达5瓦。当前,由富士通研究所研制成功的,1974年在IEDM上发表过的大功率GaAsF-ET达到了8千兆赫下输出1.6瓦,10千兆赫下输出0.7瓦。这是最先突破X波段1瓦的三端固体器件。 1970年以后,小信号低噪声放大用GaAsFET获得了发展。以此为前提,人们想,用GaAs能不能制作大功率FET,成了1972年IMS(国际微波技术会议)上讨论的议题。但是,由于GaAs的热导率小,加上制造方法不成熟,真心实意要搞的人是极少的。那时,富士通已生产2千兆赫5瓦的硅双极型高频大功率晶体管(网状发射极),因而对硅双极管、硅场效应管、砷化镓双极管、砷化镓场效应晶体管、固体行波器件等     

手机功率放大器的未来发展和技术选择从功率放大器到集成RF前端模块

手机功率放大器(PA)通常有3种实现方式:分立晶体管电路、单片微波集成电路(MMIC)和功率放大器模块(PAM)。分立电路是最古老也最便宜的解决方案,仍在广泛应用,如AMPS功放中。由于成本的原因,选用的是硅双极器件。分立方案的一个主要缺点是手机制造商必须自己完成功率放大器的设计。由于分立元件解决方案占用的面积较大,相应的RF设计受到众多寄生元件的影响,并且通常比较笨重,特别是当峰值功率上升,同时供电电压下降,频率升高时问题更突出。这一方案要求手机制造商拥有丰富的射频电路设计经验,并     

硅脉冲微波功率器件增益退化机理研究

介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状.针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件直流参数的统计分析,初步得出了其失效机理.     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析，并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件，结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术，建立了SiC MESFET的微波测试系统，完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试，功率增益大于6dB，器件的fT为6.7GHz, fmax达25GHz.     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.     

南京电子器件研究所微波毫米波封装研究中心

该中心从事专业微波、毫米波器件封装有40多年历史，研制开发出多种封装类型、数十个系列产品。包括从厘米波段到毫米波段二端器件：S、C、X、K波段GaAs功率FET；P，L、S、C波段硅功率晶体管；GaAs微波毫米波单片集成电路和多芯片模块；     

2千兆赫20瓦和4千兆赫5瓦单片晶体管

一、目的本计划旨在研究两种分别具有一定技术水平的固体器件。它们是应用在放大器内的具有单片集成匹配网络的双极微波功率晶体管。器件这样装配:将单个管芯直接附着在金属热沉上,从而免去了现有微波功率晶体管封装都要用的BeO隔离。研究的两种器件是2千兆赫20瓦和4千兆赫5瓦,它们都是以连续波模式工作的。将生产足够数量的器件,以证明其基本设计和封装技术能适应于生产需求。二、技术说明 1.引言本合同初期主要致力于以下两方面的工作:首先设计2千兆赫20瓦器件的有源部     

砷化镓场效应晶体管的现状和将来

现在,微波晶体管,硅双极晶体管已开始广泛地用来做4千兆赫下低噪声和功率等各种放大器。由于晶体管放大器和其他结构的放大器相比,具有许多优良的性质,可望研制在更高频率下具有低噪声,高增益、高输出功率等特性的晶体管。然而,硅双极晶体管的特性目前已大致接近其极限,作为其代替者,GaAs肖特基势垒场效应晶体管(GaAsSBEET或GaAsMESFET)近年来引起人们极大的注意。自Mead(1966)提出了GaAsFET,Hooper(1967)等人确定了其作为微波晶体管的可能性,到Drangeid(1970)等人试制了最高振荡频率为30千兆赫的器件,这段时间为该器件作为微波晶体管的试制期。到1972年,Liecht等人成功地制     

1千兆赫5瓦硅静电感应晶体管

本文介绍了一种在1千兆赫下输出功率大于5瓦的硅静电感应晶体管。着重讨论这种器件的特点,及其与双极型功率器件的比较。文章还介绍了这种器件的结构、电气性能和可靠性、稳定性等。     

微波功率晶体管的发展与分析

本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT,HFET,MISFET,金刚石、SiC电子器件,真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况。提出了发展微波功率晶体管的几点想法。     

低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计

与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0~9.5 GHz;输出功率Pout=7~9.5 dBm;在偏离振荡中心频率foffset为100 kHz时相位噪声Pn=-106 dBc/Hz。     

新的硅外延生长法—两段外延生长技术

一、序言近年来,随着集成电路的发展和固体器件的高频化,要求硅外延片的生长层厚度要很薄,且在与基片的界面处杂质分布很徒。这样的片子,在高速变容二极管、双极集成电路、高频晶体管或以PIN二极管、碰撞雪崩渡越时间二极管等为代表的微波二极管的制作中更是不可缺少。这些器件一般是在具有高浓度杂质的硅基片上或在掺杂了高浓度杂质的区域上生长具有低浓度杂质的硅外延层上制作的。一般,硅外延生长是利用调节掺杂气体的浓度或流量来控制杂质浓度。可是,在具有高浓度杂质的基片上生长具有低     

从微波二极管到超级元件

微波二极管本是固体微波器件的主力,过去使用器件的人们一说起微波固体器件往往就想到是指一些微波二极管,并几乎把两者等同起来,这种印象随着技术飞速发展显得越来越陈旧了.事实表明,以二极管作为微波固体器件代表性产品的时期行将过去.现在不仅有多种微波三极管(双极型或场效应型)、四极管(双栅场效应管);而且分立器件的传统封装越来越显得不适应系统要求,可靠性不足,或综合成本较贵,因此,超级元件应运而生.     

提高微波功率双极晶体管性能的研究

通过对硅S波段微波功率双极晶体管的结终端技术实验数据对比和晶体管镇流电阻设计的考虑,提高了微波功率双极器件的击穿电压和电流通过能力及抗烧毁能力。微波器件采用这些技术后,器件的工作频率不但没有降低,反而从原来的S波段的低端(2.25～2.55 GHz),提高到了中高端(3.1～3.5 GHz);器件的集电结反向击穿电压50 V以上的比率由原来的17.6%提高到63.5%;器件的功率增益也从6 dB提高到7.5 dB以上,证明了该工艺方法的有效性与可行性。     

MOS—双极功率半导体技术的进展

对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型——功率MOSFET和MOS-双极器件——运行的物理过程。分析了加工工艺和器件额定性能的发展趋势。由于这些器件性能优越,可望在未来完全取代功率双极晶体管。     

廿年回顾——机电部十三所研制GaAs MES FET和GaAs IC概况

1 引言 微波小功率低噪声晶体管和微波功率晶体管是机电部十三所传统的研究领域之一。作为主要的三端微波半导体器件之一的硅微波器件在六十年代末期低噪声器件已趋成熟,器件性能已经接近理论设计的物理极限。1966年,美国的米德提出砷化镓金属半导体场效应晶体管,或称砷化镓场效应管(简称GaAsMES FET)。砷化镓材料在迁移率等方面的性能比硅材料优越得多,GaAs MES FET的微波性能更使硅微波器件望尘莫及,因此,