硅片表面微粗糙度的研究进展

报道了用氦离子注入智能肃离形成ＳＯＩ结构硅片的新技术,介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离子注入技术注入硅片中。     

未经退火的离子注入层的电解水氧化显微观测

本文重点报导用电解水氧化显微法观测未退火的离子注入硅片的注入层深度,将其与经电子束退火、热退火后离子注入硅片的结深进行了比较。     

氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究

报道了氦离子注入技术在提高980nm半导体激光器灾变性光学损伤(catastrophic optical damage,COD)阈值上的应用.p-GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率.在距离腔面25μm的区域内进行氦离子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区.腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值.应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到440.5mW,没有发生COD现象.而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为407.5mW.同常规工艺相比,应用氦离子注入形成腔面非注入区技术使管芯的最大输出功率提高了8%.     

氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究

报道了氦离子注入技术在提高 980nm半导体激光器灾变性光学损伤 (catastrophicopticaldamage,COD)阈值上的应用 .p GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率 .在距离腔面 2 5 μm的区域内进行氦离子注入 ,由此形成腔面附近的电流非注入区 .腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入 ,因此减少了非辐射复合的发生 ,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值 .应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到 44 0 5mW ,没有发生COD现象 .而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为 40 7 5mW .同常规工艺相比 ,应用氦离子注入形成腔面非注入区技术     

形成SIMOX结构的PIII新技术的研究

本文报道了一种形成ＳＩＭＯＸ结构的等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）的新技术．与传统的离子注入相比，这种新技术具有高离子束流，大面积离子注入，极短的注入时间和低成本等优点．实验中，衬底硅片浸没在高离子密度的氧的等离子体中．在衬底所加的负高压的作用下，氧离子直接注入硅片之中．我们研究了ＰＩＩＩ的工艺条件，用ＰＩＩＩ制得了具有２０到５０ｎｍ厚的顶层硅层和２０到５０ｎｍ厚的氧化硅埋层的超薄ＳＩＭＯＸ硅片，并用ＲＢＳ、ＸＴＥＭ等技术对样品进行了测试．     

采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件

对AlGaN/GaN HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性.器件的阈值电压在-3V左右时,源漏间电流为几十nA.肖特基势垒的反向漏电流在-10V下约为几百nA.与采用干法刻蚀技术进行隔离的器件相比,采用离子注入技术不但可以获得全平面化的HEMTs器件而且还有效地抑制了场区漏电.研究还表明氦离子注入的温度稳定性大于700℃.     

高效率n型硅离子注入双面太阳电池

为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场.基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低到了1.4×10-13 A/cm2,隐性开路电压可达670 mV,且分布区间更紧凑.在电阻率为1～3 Ω·cm的n型硅片基底上,采用磷离子注入技术工业化生产的n型硅双面太阳电池的正面平均转化效率达到了20.64％,背面平均转化效率达到了19.52％.内量子效率的分析结果显示,离子注入太阳电池效率的增益主要来自长波段光谱响应的提升.     

斜角及旋转式离子注入技术

灵活的硅片定向定位注入－先进的ＣＭＯＳ器件制造技术对离子注入技术发展的新要求。     

采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件

对Al Ga N/Ga N HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性.器件的阈值电压在- 3V左右时,源漏间电流为几十n A.肖特基势垒的反向漏电流在- 1 0 V下约为几百n A.与采用干法刻蚀技术进行隔离的器件相比,采用离子注入技术不但可以获得全平面化的HEMTs器件而且还有效地抑制了场区漏电.研究还表明氦离子注入的温度稳定性大于70 0℃.     

离子注入实时监测

生产操作人员常采用光量监测法来控制离子注入工艺。当硅片的离子注入涉及到多台离子注入机为不同直径的硅片作离子注入,离子种类、剂量和能量范围很宽的时候,生产控制就成为提高效率和产量的决定性因素。要减少离子注入引起的失效以增加芯片的产量,工艺控制就得把离子注入引起的变化与其它电路制造步骤引起的变化区分开。Siliconix公司的生产操作人员现常用光量监测法来控制离子注入工艺,以实现有效的实时控制。     

Batch fabrication and structure of integrated GaAs-AlxGa1-xAs field-effect transistor-self-electro-optic effectdevices (FET-SEED's)

The authors have demonstrated a smart pixel prototype field-effect-transistor-self-electrooptic-effect-device (FET-SEED) integrated optoelectronic amplifier utilizing process technology suitable for flexible design and fabrication of high-yield optoelectronic circuits. A single MBE growth sequence provides for quantum-well modulators, photodiodes, doped channel MIS-like field-effect transistors (DMTs), and resistors. The device dimensions are controlled in a planar technology using ion implantation and selective plasma etching for isolation and contacting. Results demonstrate optical amplification in a fully integrated circuit. This technology will enable increased functionality by providing digital electronic processing between optical input and output     

面向智能电网的物联网信息聚合技术

物联网应用于智能电网是信息通信技术发展到一定阶段的必然结果,利用物联网技术将能有效整合电力系统基础设施资源,提高电力系统信息化水平,改善现有电力系统基础设施的利用效率。本文针对物联网技术和我国智能电网建设规划,研究面向智能电网应用的物联网网络架构及关键技术,总结了技术特点。在阐明网络架构的基础上,进一步针对智能电网应用中海量设备终端和海量采集信息的特点,详细论述物联网信息聚合技术,分析信息聚合技术带来的网络收益,提出信息聚合技术基本功能框架及实现方式。物联网信息聚合技术在采集原始数据的同时进行大量的信息处理和计算,从海量的、杂乱无章、难以理解的原始数据中抽取并推导出对于智能电网一体化管理平台具有特定意义和判决参考价值的数据,并且能够降低网络数据传输总量、减少网络拥塞发生、提高网络性能,是物联网发展的重要技术方向之一。本文针对智能电网目前相对薄弱的配用电环节提出配变电设备监测物联网的主要功能与信息聚合方案。     

Stencil mask ion implantation technology

The ion implantation process is important for the development or manufacturing of semiconductor devices, because ion implantation conditions directly influence some characteristics of semiconductor devices. Recently, we developed a new implantation technology, stencil mask ion implantation technology (SMIT). In the SMIT system, the stencil mask acts like a resist mask, and ions passing through the mask holes are implanted into selected regions of the Si substrate chip by chip. Use of SMIT has several advantages, notably lower manufacturing cost and shorter process time than in the case of conventional processing, because no photolithography process (including deposition and stripping of resist) is required. We have already demonstrated an application of SMIT to transistor fabrication, using various implanted dose conditions for the same wafer. Threshold voltage values can be controlled as effectively by implanted doses as they can by conventional implantation, and the dose dependence of the threshold voltage could be obtained from one wafer to which various implantation conditions are applied. Using SMIT, implantation conditions can be changed chip by chip without additional processes. This flexibility of implantation conditions is another advantage of SMIT. In this paper, we propose stencil mask ion implantation technology and show some fundamental results obtained by applying SMIT     

利用键合方法转移薄膜材料

阐述了利用键合方法转移薄膜材料的技术及其应用。最人竞争力的转移固体薄膜技术主要有键合加选择性腐蚀工艺和注氢智能剥离工艺，这种技术解决了外延生长难以解决的晶格失配问题，为改善器件结构及性能提供了巨大的潜力。     

离子束合成SIMOX技术的进展

综述了离子束科学技术领域新的重要进展－－从作为半导体掺杂手段的低剂量离子注入到高剂量离子注入合成新材料的离子束合成技术，讨论了高剂量注入的物理效应，介绍了利用高剂量氧注入硅合成ＳＩＭＯＸ材料的物理过程以及ＳＩＭＯＸ技术的多种应用，提出了提高ＳＩＭＯＸ材料性能的各种途径。     

Lithographyless ion implantation technology for agile fab

A new type of ion implanter developed for an agile fab can eliminate the processes concerned. with photoresist lithography from the ion implantation process. This new ion implantation technology can reduce the raw process time, footprint, and the cost of ownership to less than one-half that of conventional ion implantation technology. The authors are making further developments on this ion implanter and evaluating technical issues related to ion implantation. This technique is suitable for manufacturing submicron node IC devices. Based on the results of evaluating the prototype machine, we will produce the next /spl beta/-machine.     

Dose perturbation by wafer charging during ion implantation

It was found that the dose uniformity of bare wafers in simultaneous arsenic ion implantation into thickly oxidized silicon wafers and bare silicon wafers varies according to the loading combination of wafers. The implantation was executed using a batch-process machine with a wafer loading disk in which a slit is cut to measure beam current during ion implantation. When an oxide wafer was loaded next to the slit with a beam irradiating the oxide wafer just after the slit, disk transverse motion was slowed, which subjected the middle band region of every bare wafer to a high dose. When an oxide wafer was loaded next to a bare wafer with the beam irradiating the oxide wafer just after the bare wafer, part of the bare wafer adjacent to the oxide wafer was subjected to a low dose. It was experimentally clarified that the bare wafer dose variation is caused by the beam blow-up due to the charging of the oxide wafer     

金属离子注入钢表面摩擦学特性及应用研究

着重介绍了改善钢表面摩察学特性的方法和提高离子束加工效率的途径。这项金属离子注入技术在工业生产发展中正发挥着重要的作用，并阐述了MEVVA离了注入新技术在工业化应用中的特点。     

长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件

介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn结制备光敏元,通过间接倒焊技术和读出电路互联,采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏元的响应截止波长达到9.9μm,相应的RoA达到10Ωcm2,平均峰值探测率达到9.3×1010cmHz1/2 W-1,响应不均匀性为8%,有效光敏元率大干99.5%.