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叠层芯片封装技术,简称3D,是指在不改变封装体外型尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。叠层芯片封装技术具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特点,2006年以来3D技术逐渐成为主流。随着NAND快闪存储器市场的高速增长及3D技术的兴起,加之TSOP封装成本低、柔韧性强,所以TSOP封装得以重新焕发生机。 相似文献
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随着大量电子产品朝着小型化、高密度化、高可靠性、低功耗方向发展,将多种芯片封装于同一腔体内的芯片叠层封装工艺技术将得到更为广泛的应用,其封装产品的特点就是更小、更轻盈、更可靠、低功耗。芯片叠层封装是把多个芯片在垂直方向上堆叠起来,利用传统的引线封装结构,然后再进行封装。芯片叠层封装是一种三维封装技术,叠层封装不但提高了封装密度,降低了封装成本,同时也提高了器件的运行速度,且可以实现器件的多功能化。随着叠层封装工艺技术的进步及成本的降低,多芯片封装的产品将更为广泛地应用于各个领域,覆盖尖端科技产品和应用广大的消费类产品。 相似文献
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最新设计的三维(3D)存储器芯片叠层封装,成功地使用机械芯片3D封装原型。3D封装的制造工艺包括:1)晶圆片切片;2)包含侧墙绝缘的芯片钝化;3)原始I/O焊盘上的通路开口;4)从中心焊盘到侧墙的I/O再分布;5)使用聚合物粘附的裸芯片叠层技术;6)例墙互连技术;7)焊球粘附。与当前3D封装技术相比较,此新3D封装设计有一些主要的改进。其独特特点是在芯片I/O再分布之前,芯片侧墙的绝缘。这样形成:1)芯片到晶圆的效率更高;2)重要工艺简易化。按照此设计,在传统晶圆设计上可获得100%的芯片效率,而没有在传统3D封装设计I/O再分布工艺期间通常发生的任何相邻芯片的损失。因此,新3D封装设计能够简化下列工艺:I/O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连及封装成形。证明原型3D叠层封装的机械完整性满足JEDEC等级Ⅲ及85℃/85%试验的各项要求。 相似文献
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新型封装堆叠(PoP)封装存储器的结构与常规封装不同,导致现行破坏性物理分析方法不完全适用于新型PoP存储器。对新型PoP存储器结构分析,找出了影响新型PoP封装存储器可靠性的典型缺陷。以某型号PoP封装存储器为例,运用3D-X-ray、金相切片、叠层芯片分离、非顶层芯片内部检查等关键技术,提出了一套适用性强、效率高的综合性破坏性物理分析方案,并通过实例验证了新型PoP封装存储器可靠性评估方法的有效性,同时也为后续标准的修订及其他先进封装器件的破坏性物理分析提供依据和帮助。 相似文献
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