0.5～100毫米一等量块的光波干涉测量

本文拟从测量系统、不稳定度与测量结果这两个方面介绍我院测量不稳定度为Ｕ９９≤（０．０２＋０．２Ｌ）μｍ的一等量块光波干涉测量。     

温度与量块长度光波干涉测量的相关性

温度从测量标准和被测对象两个方面作用于量块长度光波干涉测量.以测量不确定度为线索,在理论计算与实验结果的基础上,就影响量块长度测量的各温度影响源及其相互关系,以及相应的具体控制方法及边界进行了讨论.     

支承点位置对长量块长度测量结果的影响

在测量长于100mm 量块的长度或使用这种量块时,按有关量块标准的规定:在测量仪器上安装时应采用卧姿,即使量块的测量轴线处于水平状态,如图1所示。如果A,B两支承点之间的距离(b)太近,量块测量轴线两端     

0.5—100毫米二等量块测量不确定度估算的讨论

文章意在根据《测量不确定度表示指南》，结合测量实际与实验结果重点分析讨论在柯氏干涉仪进行０．５－１００毫米二等量块光波干涉直接测量的各测量不确定度来源，以期获得其合理，贴切实际的测量不确定度报告。     

0.5～100毫米二等量块测量不确定度估算的讨论

文章意在根据《测量不确定度表示指南》（ＧＵＭ） ，结合测量实际与实验结果，重点分析讨论在柯氏干涉仪上进行０－５ ～１００ 毫米二等量块光波干涉直接测量的各测量不确定度来源，以期获得其合理、贴切实际的测量不确定度报告     

比较法测量量块长度的误差分析

新量块检定规程已颁布实施，３等及以下各等级量块的中心长度测量仍采用比较的方法，本文试图通过对比较法测量量块长度的误差来源进行分析，并导出量块长度测量误差计算的一般方法。     

陶瓷量块的光干涉测量

陶瓷量块的许多性能有别于钢量块,在检定或核准之间必须对这些差异进行修正。本文讨论了检定陶瓷量块应注意的问题,介绍了陶瓷量块的光干涉测量方法,并给出了测量不确定度评定结果。     

研合膜的厚度对量块组合长度影响的分析

本文叙述了研合膜厚度对量块组合长度的影响,从试验结果得出组合使用时,在表面涂油膜,有助于量块的研合,可防止磨损,而不影响使用精度。     

提高量块测量的精度

另件的高精度测量通常是利用量块,以相对测量方法进行的,并且要求对各种测量误差分量,包括由于量块和另件的温度变形引起的误差,进行严格的评估.确定温度变形量△Tl的主要困难是因为缺少量块和另件制造材料的线膨胀温度系数(TKAP)的真实数值.众所周知,材料的线膨胀系数取决于它的化学成份及其热处理的金相组织和其它一些因素.以上所说线膨胀温度的系数数值都取自有关表格中,但是表列数值是对一定的温度范围而言的.并且所测量对象、仪器环节和据以测定线膨胀的那些试样等的化学成份和金相组织的情况,所知仅是近似的.因此由于所分析的材料物理、化学性质上的差异,表中所列出的TKAP的数值,一般地与其实际数值不完全相同,而且表中所列的一般是数值范围.     

量块干涉测量位相修正问题

比较了国际上几种量块位相修正量的测量方法，并提出测量量块位相修正量的设想。     

量块比较仪读数视觉自动化改造

本文主要针对光学量块比较仪自动化改造的现状,提出了利用计算机分析所采集的干涉图,根据所有像素信息,直接提取0级干涉暗纹的位置,并对单色光干涉的多条等厚干涉纹的光强分布进行计算机数值处理,自动进行定标的技术。     

浅谈量块的研合性及研合性的检定

本文简要介绍了量块的研合性及研合性的检定.     

量块弯曲变形对检测结果的影响

本文主要对薄量块变形对实际检校工作的影响进行分析,并将实际工作中摸索出的对该变形量影响的探讨进行总结,以及实际工作中如何减小或尽量消除薄量块变形对测量结果的影响.     

把报废量块改制成测量锥度的专用量块

用正弦规测量锥度时,需要平板、测微表、量块等配合使用。测量者常常感到量块组合麻烦、费时,而且容易磨损。由于是量块的组合,存在研合误差,影响测量准确度。为了避免量块组合,笔者将废量块修磨成测量锥度的专用量块。     

光波干涉测量结深

在半导体芯片制造过程中 ,结深是重要的工艺参数之一。本文介绍用光波干涉法测量结深 ,操作简便 ,精度高 ,特别对 10 μm以下的结深测量 ,有其独到的优越性     

影响量块准确测量的几种主要因素

本文简要分析了影响量块准确测量的几种主要因素.     

光波干扰测量结深

在半导体芯片制造过程中，结深是重要的工艺参数之一。本介绍用光波干涉法测量结深，操作简便，精度高，特别对10μm以下的结深测量，有其独到的优越性。