绝缘栅双极晶体管弧焊逆变器的研究

分析了采用新型功率器件绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）设计的弧焊逆变器的主电路、控制电路、驱动电路的构成及工作原理,并介绍了抗干扰措施。     

绝缘栅双极晶体管弧焊逆变器的研究

分析了采用新型功率器件绝缘栅双极晶体管 ( IGBT)设计的弧焊逆变器的主电路、控制电路、驱动电路的构成及工作原理 ,并介绍了抗干扰措施。     

绝缘栅双极晶体管（IGBT）充电器的原理及分析

介绍了IGBT的发展状况以及采用IGBT为逆变器主元件所组成的充电器，并对电路的组成和基本工作原理进行了详细的理论分析，且进行了相应的仿真和实验验证．给出了实验用样机和系统的实验曲线．该装置具有体积小、重量轻、工作频率高等显著的特点．实验表明，该系统具有良好的输出响应特性，并且提高了充电器的效率．实验结果进一步验证了理论分析和系统方案的正确性．     

基于传热反问题的绝缘栅双极型晶体管模块温度计算方法

在分析绝缘栅双极型晶体管(Insulated grid bipolar transistor,IGBT)模块内部传热机理的基础上,建立了集总参数的温度计算模型。采用边界元法对传热反问题的解空间进行离散。采用共轭梯度法求解传热反问题,得到较准确的等效热阻和等效热容值。该方法通过与制造商提供的IGBT模块结温实验数据和有限元方法计算的结果相比较,计算误差小于5%。     

1300V／20A绝缘栅双极晶体管IGBT

基于理论概括与实验研究，已经在Ｎ＾－／Ｎ＾＋／Ｐ＾＋外延基片上获得了１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ；并进而指出了实现该器件相相关联的关键技术。它们分别是：优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备，器件纵横向几何结构及工作参数的准确量化，和通过叠加组合形成的复合高压终端结构。     

一种适合电路仿真的IGBT模型

介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的物理特征及其基本结构,针对IGBT的输入、输出特性,建立了一种宏模型,并运用PSPICE软件对它进行了仿真,并与实际IGBT器件的相关特征数据进行了比较,结果表明,这种宏模型能够很好的模拟IGBT器件的静态和动态特性.     

外延双极晶体管基区表面电流的模型及应用

少数载流子在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的复合对双极器件的影响很大，文中通过对采用ＳｉＯ２膜和ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４双层膜一次钝化的电容和栅控外延ＮＰＮ晶体管表面电特性的研究，发现ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４一次钝化膜能减小基区表面电流，文中建立了外延双极晶体管基区表面电流随栅区（或基区表面电势）变化的理论模型，该模型成功地解释了栅控外延双极晶体管的基区表面电流随栅压变化的实验曲线，从而为器件的计算机模拟提供了更加精     

一种适用于臭氧发生器的变频电源的设计与分析

提出了一种主电路采用IGBT全桥结构，驱动电路采用M57962L模块，利用单片机控制技术的高频逆变电源的设计方法，同时对电路的工作原理作了分析与仿真，该电源系统为小型化和智能化臭氧发生器电源的研究提供了基础。     

低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究

横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计,实现了导通压降为1.0 V,薄外延层上小元胞尺寸,且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件.     

在MATLAB中实现IGBT动态仿真模型

对IGBT动态模型进行了详细的理论分析。由于IGBT中含有宽基极、低增益的晶体管,因此采用双极性传输方程来描述IGBT电流,以此作为模型的物理基础。用非准静分析法描述IGBT的动态电流、电压波形。并用MATLAB的模型语言－－S－Function实现动态仿真。     

基于三维模型的电力巡视系统的仿真

随着计算机的发展与广泛使用以及电力系统设备的复杂化，对技术人员的要求在提高。本文从三维模型的构造、多媒体的编制以及数据之间的交互三个方面，介绍了基于三维模型的电力巡视系统。该系统在实际设计中获得了满意的效果。     

仿真在电子电路教学中的应用

电子电路仿真训练已经成为现代电路分析的必要手段,仿真是实际电路设计与实现的重要一环。文章主要探讨了利用仿真软件进行电子电路课程辅助教学的方法。     

晶体管功率放大电路分类探讨

为了使功放电路达到输出功率尽可能大,效率更高,非线性更小,高保真的效果,需对电路不断进行改进。本文介绍了多种类型的晶体管功率放大电路的结构、定性的工作原理和效率的主要影响因素。     

升降压型DC电源的设计与仿真

用稳态分析的方法对BUCK-BOOST汀升降压型电源的工作原理及主电路的参数选取作了理论上的分析。用Matlab的Power System Blockset对理论分析的结果进行仿真校验，得到的结果与理论计算结果相符．     

IGBT的静态特性的模拟

对 Hefner的 IGBT模型静态部分进行了详细的理论分析 .由于 IGBT中含有宽基极、低增益的晶体管 ,因此采用双极性传输方程来描述 IGBT电流 .而 MOSFET的静态线性区和饱和区的特性也用于表示阳极电压 .并用 MATL AB实现 I- V特性     

电磁式助力转向系统模型分析及仿真

电磁式助力转向系统是一种拥有独立知识产权的新型助力转向系统。利用Matlab对其进行了建模和仿真,并通过对控制系数的合理选择,优化了系统的助力特性。     

电路级栅氧短路故障的动态电流测试分析

栅氧短路故障对于集成电路的稳定性有着重要的影响,故障行为会在不产生逻辑错误的情况下导致参数失效。该文使用了一种电路级的故障模型模拟栅氧短路故障,研究了栅氧缺陷对与非门电路的影响,选取了适合于电流测试的测试矢量,对未发生逻辑错误的故障电路的动态电流进行分析。在实验中采用了TSMC 0.18μm CMOS工艺,仿真结果显示通过分析电源通路上的动态电流可以检测有潜隐性故障的器件。与电压测试方法相比,动态电流测试能更好地对栅氧短路缺陷进行诊断。     

电弧炉的混合仿真模型

为了表征电弧炉在运行过程中能量耗散的物理特性，实现供电系统与冶炼设备组成的多学科系统的混合仿真，宏模型采用了电弧炉电弧功率关系的非线性微分方程，及描写电弧炉时域响应中低频不确定信号的非线性微分方程组，将它们分别表示为含有线性时不变元件和多维、高阶、非线性受控源的电路模型，电弧电压信号与低频混沌信号进行调制后，最终得到的电弧炉输出电压将具有电压谐波和电压闪变等特性。该模型的参数均可在仿真时调整或在选定范围内进行连续仿真，满足了各类电弧炉在冶炼的不同阶段建模的实际需要。文中以电弧炉精炼期为例进行仿真的结果表明，使用本文所提出电弧炉电路宏模型能对电弧炉系统进行切合实际的时域分析，仿真结果能为预测电弧炉对电能质量的污染提供可靠的数据。