四象限探测器组件在激光制导技术中的应用

讨论了象限探测器在激光制导技术中的应用,简述了四象限探测器及其组件用于激光制导的工作原理,以及激光半主动制导系统对四象限探测器组件的特殊要求,介绍了一种实用的激光半主动制导用四象限激光探测器组件.     

一种用于激光制导的高灵敏度制冷型APD四象限探测器组件

设计并制作了一种硅雪崩光电二极管(APD)四象限探测器芯片,基于该芯片研制了一款新型高灵敏度制冷型APD四象限探测器组件;创新性地将探测器芯片、热电制冷器、前置放大电路和增益控制模块集成在带光窗的金属外壳中;该组件制冷加热速度快,在-45～70℃环境温度内可使器件恒定工作在10±2℃。测试结果表明,相对于传统的PIN四象限探测器组件,由于APD探测器本身能产生雪崩增益,该组件的灵敏度提高了近两个数量级,作用距离更远。     

脉冲力控制捷联探测器制导体制下命中精度研究

分析了脉冲力控制捷联探测器制导体制的特点,提出了在捷联制导体制下对光电探测器的要求.根据探测器的探测工作原理,建立了探测器探测目标的数学模型.数学仿真结果表明,增加探测器的象限个数可以提高弹丸的命中精度.当象限个数增加到16个时,弹丸的命中精度与线性探测器命中精度基本一致.     

象限探测器放大组件带宽设计方法研究

为了提高激光导引头探测灵敏度,采用数值仿真的方式,拟合出了象限探测器放大组件带宽与激光导引头探测灵敏度的关系曲线,并定量分析了导引照射激光的脉冲宽度对象限探测器放大组件带宽设计的影响.提出象限探测器放大组件带宽设计方法,以某型激光导引头为例,对该方法的有效性进行了实验验证.结果表明,象限探测器放大组件带宽设计方法可有效...     

基于四象限探测器进行太阳跟踪的偏差分析

为了实现基于四象限探测器的太阳自动跟踪,首先分析了四象限光电探测器工作原理,并说明了选择四象限探测器的依据,介绍了使用四象限探测器进行太阳跟踪的装置,深入研究了太阳光斑几何位置与小孔光阑、四象限探测器安装位置可能存在的偏差影响,对四象限探测器与Ⅰ-Ⅴ转换电路系统进行了一致性分析,评价了一致性对跟踪精度的影响,最后介绍了跟踪时四象限探测器电压值存在偏差的原因和合理性.实验证明,基于四象限探测器的跟踪装置适用于高精度太阳跟踪.     

CO2激光制导用光伏碲镉汞四象限探测器组件

报道了ＣＯ_２激光制导用光伏ＨｇＣｄＴｅ四象限探测器组件研究的进展情况，采用中ＨｇＣｄＴｅ体晶材料已制备出直径达２ｍｍ的四象限二极管阵列，其平均探测率为１．４１×１０（１０）ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，平均响应率为２１４Ｖ／Ｗ。该探测器配有四通道的前置放大器，整个组件具有３．１５×１０（１０）ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ的平均探测率和优于±３％的响应均匀性。     

太阳绝对辐照度测量系统中的太阳跟踪系统设计与性能测试

为实现高精度的太阳绝对辐照度观测,设计了视日运动轨迹跟踪和四象限探测器精密跟踪相结合的太阳自动跟踪系统.分析了四象限探测器的工作原理,对其均匀性进行了测试,确定了其偏离系数.对跟踪系统进行了硬件设计、控制软件设计和结构设计.实现了以C8051F064单片机为核心的数据采集、信号处理和反馈控制系统.在实验室内对系统的跟踪精度进行了测试,结果表明跟踪偏差在0.1°之内.经实际运行证明,该系统方案可行,具有稳定性强、精度高的优点.     

PIN四象限探测器输出特性的改进研究

PIN四象限探测器在应用过程中对其输出一致性的要求很高。文章讨论了影响PIN四象限探测器输出一致性的各种因素,并有针对性地提出了相应的改进措施。通过仿真分析,对PIN器件的各项参数进行了优化设计,并制作出了可工作在1 060nm波长、50V偏压下的PIN四象限探测器,其每个象限响应度达到0.3A/W,暗电流小于50nA,四个象限输出不一致性小于10%。然后通过对单个芯片的四个象限分别进行放大电路的安装调试,制作出了输出不一致性小于3%的四象限探测器器件。     

基于四象限探测器的激光光斑中心定位算法

为了提高用于激光半主动导引系统的四象限探测器对激光光斑中心定位的精度,分析了四象限探测器的定位原理,并对不同光斑模型下常用的定位算法进行了仿真分析.在对传统定位算法进行分析的基础上,针对高斯光斑模型下定位算法的不足,结合标准正态分布的特点,对高斯光斑模型下的定位算法进行了合理的改进.通过仿真分析和设计的实验验证,结果表...     

基于插值法的四象限探测器测角算法设计与实现方法分析

四象限探测器测角系统需要同时满足系统反应时间短和误差小的要求.在分析了四象限探测器测角现有算法的基础上,提出了将插值法和传统算法相结合的一种改进算法,测角误差较小且容易实现.设计了适合实际应用的一套测角系统:模拟信号接收后,首先进行放大、去噪、相关检测等处理.随后进行模数转换,这一部分电路设计为目标方位检测电路;得到数...     

频谱分析仪检波方式的分析与研究

频谱分析仪是常用的射频测量仪器之一。在测试和分析各种信号时,必须选择合适的检波方式才能正确反映它们的特性,如果选择不合适的检波方式可能会导致测试结果出现误差或者错误。介绍频谱分析仪的多种检波方式,详细分析采样检波、最大峰值检波、最小峰值检波、自动峰值检波、普通检波、平均值检波、均方根检波、准峰值检波的特点和用途,最后总结了各种检波方式的区别。     

A New Multiuser Detector for Synchronous DS/CDMA System

1IntroductionInaCode-DivisionMultiple-Access(CDMA)system,severalindependentusersaccesssimulboeouslyacommonchannelbymodulatingpreassignedsignatUrewaveforms.Inthemobileradiochannels,MultipleAccessinterference(MAI)arises.Therefore,muchattelltionhasbeend...     

红外探测器的最新进展

首先,简述了红外光电探测器的发展历史以及分类,可分为室温探测器和低温探测器。然后对每种探测器所使用的材料进行了介绍,室温探测器介绍了氧化钒、无定型硅,低温探测器介绍了碲镉汞（HgCdTe）、量子阱和锡化物超晶格,以及它们在三代红外光电探测器方面的研究进展。最后,介绍了黑硅材料以及黑硅在探测器应用中的最新进展。     

CAV检波器及其在GB 9254中的使用

介绍了电磁兼容测试中使用的传统平均值检波器、CAV检波器的特点,CAV检波器在电磁兼容产品标准中的应用,线性平均值检波器和对数平均值检波器的差异,以及GB9254--2008中CAV检波器的使用和相关国际动态。     

均方根值-平均值检波器的实测对比与研究

介绍了CISPR13：2009中为均方根值-平均值（CRMS）检波器规定的限值。选取了代表性的样品,使用CRMS检波器、传统平均值（AV）检波器、新型平均值（CAV）检波器和准峰值（QP）检波器进行电源端子骚扰电压和辐射骚扰场强测量。根据测试结果,提出CISPR13：2009中针对CRMS检波器规定的限值需要再进行研究。     

Design of Robust Detector with Noise Variance Estimation Censoring Input Signals over AWGN

As an alternative to the classic linear detector which only assumes noise variance, a new robust detector with noise variance estimation censoring input signals over AWGN is proposed. The results demonstrate that analytic detection probability matches the simulation results for the linear detector and that the new robust detector shows better performance than the linear detector when the number of samples increases.     

不同检波方式对测试结果的影响

该文主要是想通过几个实际的案例来探讨不同的检波方式对测试结果是否会产生影响,特别是AV检波和CISPR AV检波在测试结果上到底有什么样的差异。     

新型可编程锁相环锁定检测器设计

采用SMIC0．18μm工艺设计并验证了一种新型可编程锁相环锁定检测器．锁定检测器使用了新型脉宽检测电路将可编程脉宽检测门限与鉴相器输出相位差脉冲的宽度进行对比,并以此做出锁定判断．新型锁定检测器使用了时钟抽取电路以从锁相环参考时钟和反馈时钟中生成系统时钟,保证了在参考时钟丢失的情况下亦能正常工作．测试结果显示锁定检测器工作正常且能够在不同门限下进行准确地判断．     

InSb焦平面探测器的J-T制冷器

论述了InSb红外探测器制冷的必要性及所需的制冷温度，分析了InSb焦平面探测器对制冷的要求比分立引出（或单元）探测器更为严格的原因，指出InSb焦平面探测器的制冷温度在77－90K区间，其探测率变化不大；在137K时，分立引出（或单元）InSb探测器仍有较高输出信噪比，但这时焦平面探测器的SNR却有较严重的下降。试验表明，采用J－T节流制冷器的InSb焦平面探测器可以实现高性能。     

Linear x-ray detector array made on bulk CdZnTe for 30∼100 keV energy

A CdZnTe detector grown by the high pressure Bridgman (HPB) growth technique was tested using high energy x-rays (30∼100 keV), and the performance was compared with a commercially available Nal scintillating detector of 5 cm thickness. The charge collection efficiency of a CdZnTe detector is as high as 90% at relatively low electric field, 600 V/cm. At high x-ray photon energies, the detection efficiency is reduced due to the thickness of the CdZnTe. A 32 channel linear array was fabricated on 1.2∼1.7 mm thick CdZnTe, of which the detector area was 175 × 800 μm² and the pitch size 250 μm. The measured dark current for the 16 element detector was as low as 0.1 pA at 800 V/cm with an excellent uniformity. Energy spectra were measured using a Co⁵⁷ radiation source. A small pixel effect and charge sharing were observed. The energy resolution was improved and compared with the large area detector. The array detector gave an average 5.8% full-width-half-maximum (FWHM) at 122 keV photopeak. The large area detector of the same material before fabrication exhibited a low energy tail at the photopeak, which limits the photopeak FWHM to 8%.